【产品】1.24nC总栅极电荷的P沟道增强型场效应晶体管YJL3139K，20V漏源电压
YJL3139K是扬杰科技推出的P沟道增强型场效应晶体管，采用沟槽功率低压MOSFET技术，适用低压电路。具有高速切换能力，ESD保护高达4.5KV（HBM），非常适用于接口、逻辑开关、负载开关、电源管理等相关应用。
图1 YJL3139K封装及电路图
YJL3139K漏源电压为-20V，漏极电流为-0.65A（@TA=25°C，稳态）。采用高密度单元设计，具有低RDS（ON），最大不超过520mΩ（@VGS= -4.5V, ID=-0.6A），较低的导通电阻可有效降低开关损耗。总栅极电荷典型值仅为1.24nC（@VGS=-4.5V,VDD=-10V,ID=-0.65A），可实现高开关速度。结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，具有较强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。
YJL3139K特点：
沟槽功率低压MOSFET技术
高密度单元设计，具有低RDS（ON）
高速切换
ESD保护高达4.5KV（HBM）
YJL3139K应用：
接口，逻辑开关
负载开关
电源管理
YJL3139K订购信息：
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