【技术】UMS的多款适用于E波段的倍频、混频与放大器,助力E波段backhaul发展
UMS公司是为专业市场提供射频单片集成电路和代工服务的欧洲领导者,包括国防和航天,电信通信,汽车雷达和工业传感器。E波段backhaul(回传网络)在5G研发中受到越来越多的重视,其中包括71-76GHz,81-86GHz两个频段,因为具有相当丰富的频谱资源,这两个频段被认为可以提高通信容量,降低延时。UMS公司围绕backhaul 71-76GHz, 81-86GHz两个频段开发了倍频器,混频器,低噪声放大器和驱动放大器等一系列产品。
图1给出了典型射频子系统的简单框图,本文将围绕框图介绍UMS在E波段 backhaul应用的相关产品。
图1 典型射频子系统的简单框图
倍频器:
UMS公司的二次倍频器CHX2192-99F使用GaAs 0.15μm pHEMT工艺制作,覆盖27-33GHz,输入功率12dBm,输出功率11dBm,直流功耗130mA@3.5V,输出端基波泄露为-30~-10dBm@输入12dBm,该款芯片适合用于backhaul本振链路。
混频器:
CHM1080-98F与CHR1080a98F同为71-86GHz混频器,均采用GaAs 0.1μm pHEMT工艺制作,采用二次谐波混频。不同的是CHM1080-98F可用于上变频或者下变频,CHR1080a98F只可用于下变频。两款芯片内部均集成了本振放大器,所需驱动功率较低,分别为2dBm,0~1dBm,简化了后续本振的配置。
放大器:
低噪声放大器CHA2080-98F同时覆盖71-76,81-86GHz频段,典型增益可达22dB,噪声系数仅为3.5dB,1dB压缩点为10dBm。UMS推出的中等功率放大器(驱动放大器)分别为CHA3080-98F(71-76GHz),CHA3090-98F(81-86GHz)。两款芯片都包含检波器。
表1 E波段backhaul芯片重要参数
芯片装配方案:
以上芯片均为裸片,为了减少键合的影响,UMS公司给出了推荐的芯片装配方案,图2为CHA3090-98F的封装键合示例,其他芯片的推荐装配方案请查阅数据手册。
图2 CHA3090-98F的封装键合示例
值得注意的是,无论是71-76GHz频段,还是81-86GHz频段,带宽都为5GHz。宽带射频系统在设计时要选定好中频频率,目的是避免本振及其谐波泄露到射频带内,因为射频端口处泄露的本振及其谐波功率固定,如果泄露到带内,无法滤除,会影响射频系统的动态范围和信号质量。以71-76GHz频段为例,对于接收机设计来说,本振离中频较远,可以在变频之后通过低通滤波器将本振滤除。对于发射机来说,假如使用CHM1080-98F,两倍本振到射频端口的隔离为16dB,因此必须将IF定为5GHz以上,才可以避免二次本振泄露到射频带内,该款混频器支持的最高中频为12GHz,建议将IF定为10GHz左右,既保证了二次本振泄露在带外,又给射频滤波器充足的余量将二次本振泄露滤除。
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
Gain(dB)
|
IP3(dBm)
|
P-1dB OUT(dBm)
|
Sat. Output Power(dBm)
|
PAE(%)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
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CHA1008-99F
|
低噪声放大器
|
80
|
105
|
17
|
DC
|
5
|
DC
|
DC
|
115
|
2.5
|
Die
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
LO Bandwidth (GHz)min
|
LO Bandwidth (GHz)max
|
IF Bandwidth (GHz)min
|
IF Bandwidth (GHz)max
|
Conv. Gain(dB)
|
Noise Figure(dB)
|
P-1dB IN(dBm)
|
LO Input Power(dBm)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
CHR3762-QDG
|
降频器
|
5.5
|
9
|
4
|
12
|
DC
|
3.5
|
14
|
1.7
|
-5
|
5
|
100
|
3
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QFN
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现货市场
服务
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