【产品】重新定义电源功率转换的ePower™Stage IC EPC2152
除了性能和成本提高外，GaN技术影响功率转换市场的最大机会还在于其将多个器件集成在同一芯片上的能力。与标准的硅IC技术相比，GaN技术使设计人员能够以更直接，更具成本效益的方式在单个芯片上实现单片电源系统。
如今，功率转换中最常用的构建模块是半桥。2014年，EPC推出了一系列集成式半桥设备，这成为了迈向片上电源系统的起点。随着EPC2107和EPC2108的推出，这种趋势得到了扩展，EPC2107和EPC2108集成了半桥和集成的同步自举。2018年，进一步推出了集成了eGan IC的路线，该eGaN IC将栅极驱动器和高频GaN FET集成在单个芯片中，以提高效率，减小尺寸并降低成本。现在，ePower™Stage IC系列通过将所有功能集成到硅上无法承受的更高电压和更高频率水平的单个GaN-on-Si集成电路中，重新定义了功率转换。
EPC2152 – 80 V，12.5 A的ePower™ Stage
EPC2152是一款集成了使用EPC的专有氮化镓IC技术的eGaN ® FET半桥功率级单芯片驱动器。输入逻辑接口，电平转换，自举充电和栅极驱动缓冲电路以及配置为半桥的eGaN输出FET集成在单片芯片中，这样就形成了一个芯片级LGA外形尺寸器件，对于基于80 V，12.5 A氮化镓的功率级集成电路，其尺寸仅为3.9 mm x 2.6 mm x 0.8 mm。根据工作条件，该器件可以在高达3 MHz的PWM频率范围内工作，远高于分立MOSFET或IC解决方案所能达到的频率。
输出器件配置为半桥式，高、低侧FET的RDS(ON)均小于10 mΩ。内部栅极驱动电路设计成与输出FET相匹配，在额定电流下，从0 V到60 V的开关时间小于1 ns。
高频工作时，延迟时间小于20 ns，匹配的高侧对低侧延迟时间小于10 ns的低死区时间可方便使用。
输入端兼容3.3V逻辑，允许用户直接与MCU或模拟控制器接口。
EPC2152采用晶圆级芯片级封装(WLCSP)，采用LGA外壳封装。焊料凸点的布局设计考虑到了电流流向，在实际PCB应用中最大限度地减少了功率环路电感。EPC的开发板（EPC90120）的功率环路电感小于0.2nH。
易于设计
EPC2152至少取代了三个分立芯片；栅极驱动器和两个FET使设计和制造更加容易。与分立实现相比，该器件节省了印刷电路板至少33％的空间。该系列产品使设计人员可以轻松利用GaN技术带来的显着性能改进。单个芯片中的集成设备更易于设计，更易于布局，更易于组装，节省了PCB上的空间并提高了效率。
48 V DC-直流
EPC2152旨在用于要求高效率和小尺寸的DC-DC转换器。这些是电信、服务器和客户端计算、工业、汽车和军事市场的关键优势。该器件可设计用于降压和升压转换器以及LLC转换器。一些客户甚至尝试使用开关电容拓扑的设备。
EPC 使用EPC2152 构建并测试了降压转换器，其中V IN = 48 V，V OUT = 12 V，f SW = 1 MHz，I OUT = 12.5A。在此降压转换器中工作时，峰值效率达到96％以上，优于分立的GaN FET，并且远胜于分立的MOSFET或基于MOSFET IC的单片MOSFET。
马达驱动
ePower Stage的另一个有希望的应用是用于机器人，无人机和电动踏板车的电机驱动逆变器。这些电机驱动应用要求更轻的重量，更高的带宽和更低的转矩脉动，这对于使用EPC2152构造的逆变器来说是有利的。
EPC使用EPC2152为电动踏板车的电动机供电，构建了一个原型。ePower Stage设备用于三相正弦激励，每相10 ARMS，15A峰值电动机驱动器，从而为BLDC电动机的电动汽车提供了高效，安静，高性能和低成本的解决方案。
未来发展
EPC2152是将以芯片级封装和共封装模块提供的广泛集成功率级系列中的第一款产品。一年之内，该系列产品将满足能够在高达3至5 MHz范围的高频下工作以及每个功率级从15 A至30 A的高电流运行的产品的要求。
最终目标是要实现一种单组件IC，该IC仅需要来自微控制器的简单数字输入即可产生功率输出，该功率输出可在所有条件下以尽可能最小的空间经济地高效，可靠地驱动负载。
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大周 Lv5. 技术专家 2020-08-04学习了 -
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用户56731903 Lv9. 科学家 2020-08-03学习一下！！！ -
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otsuka Lv9. 科学家 2020-07-26学习了 -
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好运常伴吾 Lv8. 研究员 2020-06-15学习了 -
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maomao Lv8. 研究员 2020-06-06了解了 -
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jishizhong Lv9 2020-05-20学习了 -
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Chandler Lv8 2020-05-16支持 -
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用户84786367 Lv8. 研究员 2020-05-16学习了
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
|
0.42
|
0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
用于DC-DC转换的镓氮®FET和IC应用简介
描述- 本资料介绍了eGaN® FETs和ICs在DC-DC转换中的应用，重点强调了其高效能、高功率密度和小型化的特点。资料中详细展示了不同型号的产品及其在48V至12V转换中的应用，包括高效能计算和电信应用，以及汽车电子领域。此外，还提供了相关产品的详细规格和开发板信息，以帮助工程师进行设计和评估。
型号- EPC2057,N/A,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC2055,EPC90155,EPC90156,EPC90153,EPC2101,EPC2106,EPC2105,EPC90151,EPC2065,EPC90152,EPC2067,EPC2100,EPC9014,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90146,EPC90147,EPC9091,EPC2619,EPC2014C,EPC2030,EPC2032,EPC2152,EPC2031,EPC2033,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC9195,EPC2019,EPC9166,EPC2252,EPC9047,EPC9162,EPC9041,EPC9163,EPC9165,EPC9160,EPC2302,EPC2304,EPC2306,EPC9010C,EPC2305,EPC9177,EPC2020,EPC9179,EPC2023,EPC9174,EPC9055,EPC9170,EPC9006C,EPC2234,EPC2010C,EPC9148,EPC23101,EPC2071,EPC23102,EPC23103,EPC23104,EPC90140,EPC9143,EPC90132,EPC90137,EPC91106,EPC90138,EPC90135,EPC91108,EPC9159,EPC2007C,EPC2361,EPC9157,EPC9036,EPC9158,EPC9037,EPC2088,EPC9151,EPC90122,EPC9031,EPC90123,EPC9153,EPC90120,EPC9033,EPC90124
【经验】EPC推出的用于氮化镓器件的LGA和BGA封装寄生电感低、尺寸小和热性能出色，应用时需考虑相关制造和设计事项
LGA和BGA封装提供了充分利用eGaN技术能力所必需的低寄生电感、小尺寸和出色的热性能。通过适当的制造技术，使用eGaN器件的组件将具有高产量和长而可靠的工作寿命。本文EPC将就LGA和BGA器件封装、正确的焊点大小和回流曲线等展开叙述，这些都是关键的设计考量因素。
How2GaN | 如何设计具有最佳布局的eGaN® FET功率级
eGaN FET的开关速度比硅基MOSFET更快，因此需要更仔细地考虑印刷电路板（PCB）布局设计以最小化寄生电感。寄生电感会导致过冲电压更高，同时减慢开关速度。本篇笔记将会探讨使用eGaN FET设计最佳功率级布局的关键步骤，来避免上述不良影响并最大化转换器性能。
用于机器人和无人机的氮化镓®FET和IC
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2012C,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC9049,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9046,EPC9047,EPC9087,EPC9040,EPC2102,EPC9002C,EPC2024,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC90142,EPC9098,EPC9055,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9050,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2035,EPC2010C,EPC9001C,EPC2038,EPC2037,EPC2034C,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC23101,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2033,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC9048C,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC2040,EPC9034,EPC9078,EPC21603,EPC9035,EPC9156,EPC2045,EPC21601,EPC90122,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC90120,EPC9033,EPC9154,EPC90124
EPC23102–V-In、100 V、I-Load、35 A ePower™级IC数据表
描述- 该资料介绍了EPC23102 ePower™ Stage IC，一款集成了输入逻辑接口、电平转换、自举充电和栅极驱动缓冲电路的功率级集成电路。它采用EPC专有的氮化镓IC技术实现集成，将逻辑电平输入转换为高压和大电流的功率输出，具有尺寸小、制造简单、设计简便和运行效率高等优点。
型号- EPC90147,EPC23102
EPC23101-ePower™Stage IC氮化镓®FET规格书
描述- 该资料介绍了EPC23101 ePowerTM Stage集成电路，这是一种集成了高侧eGaN® FET、内部栅极驱动器和电平转换器的高效功率转换解决方案。该芯片适用于多种转换器拓扑，如降压、升压和升降压转换器，以及半桥、全桥LLC转换器和电机驱动逆变器。它具有低导通电阻、高开关频率和低静态电流等特点，适用于高效率、小型化和易于制造的电源设计。
型号- EPC23101
EPC21601–40V、10 A EPower™载物台激光驱动器
描述- EPC21601是一款采用 proprietary GaN IC 技术的单芯片激光驱动器，可接受 3.3 V 至 1.6 V 的逻辑输入信号，并产生高电流脉冲以驱动激光。该器件具有小型化（1.5 mm x 1 mm x 0.68 mm）和BGA 封装形式，适用于高速应用。
型号- EPC21601
【经验】EPC eGaN FET和eGaN IC PCB封装设计指南
一个良好的PCB封装设计对于GaN器件的一致性和可靠性是很重要的。本文是根据数据手册为EPC器件设计正确封装的指导原则——以EPC2016C和EPC2045为例，分别从LGA和BGA封装来完成介绍。
EPC23103-ePower™Stage IC规格书
描述- 该资料介绍了EPC23103 ePower™ Stage IC产品，这是一种集成了输入逻辑接口、高边电平转换、同步自举充电和栅极驱动器以及eGaN输出FET的单芯片集成电路。它将逻辑级控制信号转换为高压和高电流功率阶段，简化了设计过程，减小了尺寸，便于制造，同时提高了运行效率。
型号- EPC23103
极端氮化镓–当氮化镓®FET暴露于远高于数据手册限制的电压和电流水平时会发生什么
描述- 本文探讨了宽禁带氮化镓（GaN）器件在超出数据表极限电压和电流条件下的表现。文章介绍了高效功率转换公司（EPC）对第五代100V额定EPC2045 eGaN FET进行的测试，分析了其在硬开关条件下承受高达150V漏源偏置的情况。此外，还讨论了超过数据表最大脉冲电流限制的短路电流测试结果。
型号- EPC2212,EPC2203,EPC2207,EPC2052,EPC2051,EPC21603,EPC2045
电子商城
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格：￥5.6384
现货： 2,417
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格：￥5.9251
现货： 2,357
服务
可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN；IC包装Tray/Tube/Tape；IC厂商不限，交期1-3天。支持IC测试（FT/SLT），管装、托盘装、卷带装包装转换，IC打印标记加工。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
支持GSM / GPRS 等多种制式产品的射频测试，覆盖所有上行和下行的各项射频指标，包括频差、相差、调制、功率、功控、包络、邻道泄漏比、频谱、杂散、灵敏度、同道干扰、邻道干扰、互调、阻塞等等。满足CE / FCC / IC / TELEC等主流认证的射频测试需求。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
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授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
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