【产品】重新定义电源功率转换的ePower™Stage IC EPC2152
除了性能和成本提高外,GaN技术影响功率转换市场的最大机会还在于其将多个器件集成在同一芯片上的能力。与标准的硅IC技术相比,GaN技术使设计人员能够以更直接,更具成本效益的方式在单个芯片上实现单片电源系统。
如今,功率转换中最常用的构建模块是半桥。2014年,EPC推出了一系列集成式半桥设备,这成为了迈向片上电源系统的起点。随着EPC2107和EPC2108的推出,这种趋势得到了扩展,EPC2107和EPC2108集成了半桥和集成的同步自举。2018年,进一步推出了集成了eGan IC的路线,该eGaN IC将栅极驱动器和高频GaN FET集成在单个芯片中,以提高效率,减小尺寸并降低成本。现在,ePower™Stage IC系列通过将所有功能集成到硅上无法承受的更高电压和更高频率水平的单个GaN-on-Si集成电路中,重新定义了功率转换。
EPC2152 – 80 V,12.5 A的ePower™ Stage
EPC2152是一款集成了使用EPC的专有氮化镓IC技术的eGaN ® FET半桥功率级单芯片驱动器。输入逻辑接口,电平转换,自举充电和栅极驱动缓冲电路以及配置为半桥的eGaN输出FET集成在单片芯片中,这样就形成了一个芯片级LGA外形尺寸器件,对于基于80 V,12.5 A氮化镓的功率级集成电路,其尺寸仅为3.9 mm x 2.6 mm x 0.8 mm。根据工作条件,该器件可以在高达3 MHz的PWM频率范围内工作,远高于分立MOSFET或IC解决方案所能达到的频率。
输出器件配置为半桥式,高、低侧FET的RDS(ON)均小于10 mΩ。内部栅极驱动电路设计成与输出FET相匹配,在额定电流下,从0 V到60 V的开关时间小于1 ns。
高频工作时,延迟时间小于20 ns,匹配的高侧对低侧延迟时间小于10 ns的低死区时间可方便使用。
输入端兼容3.3V逻辑,允许用户直接与MCU或模拟控制器接口。
EPC2152采用晶圆级芯片级封装(WLCSP),采用LGA外壳封装。焊料凸点的布局设计考虑到了电流流向,在实际PCB应用中最大限度地减少了功率环路电感。EPC的开发板(EPC90120)的功率环路电感小于0.2nH。
易于设计
EPC2152至少取代了三个分立芯片;栅极驱动器和两个FET使设计和制造更加容易。与分立实现相比,该器件节省了印刷电路板至少33%的空间。该系列产品使设计人员可以轻松利用GaN技术带来的显着性能改进。单个芯片中的集成设备更易于设计,更易于布局,更易于组装,节省了PCB上的空间并提高了效率。
48 V DC-直流
EPC2152旨在用于要求高效率和小尺寸的DC-DC转换器。这些是电信、服务器和客户端计算、工业、汽车和军事市场的关键优势。该器件可设计用于降压和升压转换器以及LLC转换器。一些客户甚至尝试使用开关电容拓扑的设备。
EPC 使用EPC2152 构建并测试了降压转换器,其中V IN = 48 V,V OUT = 12 V,f SW = 1 MHz,I OUT = 12.5A。在此降压转换器中工作时,峰值效率达到96%以上,优于分立的GaN FET,并且远胜于分立的MOSFET或基于MOSFET IC的单片MOSFET。
马达驱动
ePower Stage的另一个有希望的应用是用于机器人,无人机和电动踏板车的电机驱动逆变器。这些电机驱动应用要求更轻的重量,更高的带宽和更低的转矩脉动,这对于使用EPC2152构造的逆变器来说是有利的。
EPC使用EPC2152为电动踏板车的电动机供电,构建了一个原型。ePower Stage设备用于三相正弦激励,每相10 ARMS,15A峰值电动机驱动器,从而为BLDC电动机的电动汽车提供了高效,安静,高性能和低成本的解决方案。
未来发展
EPC2152是将以芯片级封装和共封装模块提供的广泛集成功率级系列中的第一款产品。一年之内,该系列产品将满足能够在高达3至5 MHz范围的高频下工作以及每个功率级从15 A至30 A的高电流运行的产品的要求。
最终目标是要实现一种单组件IC,该IC仅需要来自微控制器的简单数字输入即可产生功率输出,该功率输出可在所有条件下以尽可能最小的空间经济地高效,可靠地驱动负载。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 9
本文由一号演员翻译自EPC,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
评论
全部评论(9)
-
大周 Lv5. 技术专家 2020-08-04学习了
-
用户56731903 Lv9. 科学家 2020-08-03学习一下!!!
-
otsuka Lv9. 科学家 2020-07-26学习了
-
好运常伴吾 Lv8. 研究员 2020-06-15学习了
-
maomao Lv8. 研究员 2020-06-06了解了
-
jishizhong Lv9 2020-05-20学习了
-
Chandler Lv8 2020-05-16支持
-
zwjiang Lv9. 科学家 2020-05-16学习学习
-
用户84786367 Lv8. 研究员 2020-05-16学习了
相关推荐
Epc Expands Its Family of Footprint Compatible Epower™ Stage ICs to Boost Power Density and Simplify Design for Different Power Requirements
EPC news ePower™ Stage ICs feature a thermally enhanced QFN package measuring only 3.5x 5mm. Footprint compatibility enables customers to upgrade their design for better performance or lower cost without modification to the board, and therefore can easily adapt to changing load requirements.
EPC Launches a 3-phase BLDC Motor Drive Inverter EPC9173 with Embedded Gate Driver Function and a Floating Power GaN FET with 3.3mΩ RDS(on)
EPC‘s EPC9173 is a 3-phase BLDC motor drive inverter using the EPC23101 eGaN IC with embedded gate driver function and a floating power GaN FET with 3.3mΩ RDS(on). It operates from an input supply voltage between 20V and 85V and can deliver up to 50Apk (35 ARMS).
EPC2152 GaN Integrated Power Stage – Redefining Power Conversion
This complete power stage, the EPC2152 ePower™ Stage, can be driven at multi-megahertz frequencies and controlled by a simple ground-referenced CMOS IC, and with just a few added passive components, could become a complete DC-DC regulator. Integrated devices in a single chip are easier to design, easier to layout, easier to assemble, save space on the PCB, and increase efficiency.
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
【经验】EPC推出的用于氮化镓器件的LGA和BGA封装寄生电感低、尺寸小和热性能出色,应用时需考虑相关制造和设计事项
LGA和BGA封装提供了充分利用eGaN技术能力所必需的低寄生电感、小尺寸和出色的热性能。通过适当的制造技术,使用eGaN器件的组件将具有高产量和长而可靠的工作寿命。本文EPC将就LGA和BGA器件封装、正确的焊点大小和回流曲线等展开叙述,这些都是关键的设计考量因素。
How2GaN | 如何设计具有最佳布局的eGaN® FET功率级
eGaN FET的开关速度比硅基MOSFET更快,因此需要更仔细地考虑印刷电路板(PCB)布局设计以最小化寄生电感。寄生电感会导致过冲电压更高,同时减慢开关速度。本篇笔记将会探讨使用eGaN FET设计最佳功率级布局的关键步骤,来避免上述不良影响并最大化转换器性能。
eGaN® FETs and ICs for Robotics and Drones
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2012C,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC9049,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9046,EPC9047,EPC9087,EPC9040,EPC2102,EPC9002C,EPC2024,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC90142,EPC9098,EPC9055,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9050,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2035,EPC2010C,EPC9001C,EPC2038,EPC2037,EPC2034C,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC23101,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2033,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC9048C,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC2040,EPC9034,EPC9078,EPC21603,EPC9035,EPC9156,EPC2045,EPC21601,EPC90122,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC90120,EPC9033,EPC9154,EPC90124
eGaN® FETs and ICs for Medical Technology APPLICATION BRIEF
型号- EPC2036,EPC2234,EPC2035,EPC2038,EPC2012C,EPC2037,EPC2059,EPC2039,EPC2014C,EPC2215,EPC9507,EPC9049,EPC90140,EPC2055,EPC2110,EPC9063,EPC9064,EPC9087,EPC90132,EPC9022,EPC2307,EPC9005C,EPC9004C,EPC2106,EPC2304,EPC2108,EPC2207,EPC2107,EPC8002,EPC9057,EPC9058,EPC8004,EPC90150,EPC9098,EPC9055,EPC9099,EPC9050,EPC90124
【经验】EPC eGaN FET和eGaN IC PCB封装设计指南
一个良好的PCB封装设计对于GaN器件的一致性和可靠性是很重要的。本文是根据数据手册为EPC器件设计正确封装的指导原则——以EPC2016C和EPC2045为例,分别从LGA和BGA封装来完成介绍。
Extreme GaN – What Happens When eGaN® FETs are Exposed to Voltage and Current Levels Well Above Data Sheet Limits
型号- EPC2212,EPC2203,EPC2207,EPC2052,EPC2051,EPC21603,EPC2045
电子商城
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.6384
现货: 2,417
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.9251
现货: 2,357
服务
世强深圳实验室提供Robei EDA软件免费使用服务,与VCS、NC-Verilog、Modelsim等EDA工具无缝衔接,将IC设计高度抽象化,并精简到三个基本元素:模块、引脚、连接线,自动生成代码。点击预约,支持到场/视频直播使用,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
拥有IC烧录机20余款,100余台设备,可以烧录各种封装的IC;可烧录MCU、FLASH、EMMC、NAND FLASH、EPROM等各类型芯片,支持WIFI/BT模组PCBA烧录、测试。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论