【选型】耐压高达1500V的MOSFET BL4N150-F助力储能光伏直流高压隔离器设计,符合工规要求
某客户储能光伏直流高压隔离器项目里,正在评估一颗国产高压MOS应用电源前端,客户使用前端电压800V ,就需要1500V的高压MOSFET ,电流≥4A ,内阻要求4Ω,满足工规要求即可。经过筛选推荐上海贝岭的BL4N150-F。
主要特点:
物料属于国产高压MOS符合工规要求
高耐压值1500V,低内阻4Ω符合客户要求
通用塑封装TO-247设计,避免封装单一用料
参数表:
综上所述,上海贝岭高压MOSFET BL4N150,耐压值高达1500V,该颗物料满足工规认证,该颗物料通用塑封装TO-247设计,避免封装单一用料,符合某客户储能光伏直流高压隔离器项目要求。
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BLP014N10 MOSFET
描述- BLP014N10是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的双沟槽II技术,具有低导通损耗、高开关性能和增强的雪崩能量。该器件适用于BMS和高电流开关应用。
型号- BLP014N10,BLP014N10-T
BLP021N10 MOSFET
描述- BLP021N10是一款采用先进双沟槽II技术的N沟道增强型功率MOSFET,适用于BMS和高电流开关应用。该器件具有低导通电阻、低栅极电荷和低反向传输电容等特点,提供高雪崩 ruggedness 和 RoHS认证。
型号- BLP021N10,BLP021N10-T
BLP03N08 MOSFET
描述- BLP03N08是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的双槽技术,具有低导通损耗、高开关性能和增强的雪崩 ruggedness。该器件适用于BMS和高电流开关应用。
型号- BLP03N08-T,BLP03N08,BLP03N08-BA
BL4N150功率MOSFET
描述- 该资料介绍了BL4N150型功率MOSFET的特性、规格和应用。BL4N150是一款采用先进技术制造的硅N沟道增强型MOSFET,具有低导通损耗、高开关性能和增强雪崩能量等特点,适用于SMPS、高速切换和通用应用。
型号- BL4N150-K,BL4N150,BL4N150-W,BL4N150-F,BL4N150-B,BL4N150-A,BL4N150-P
BLP04N08 MOSFET
描述- 该资料介绍了BLP04N08型MOSFET的特性、规格和应用。它是一种采用先进双沟槽技术的N通道增强功率器件,具有低导通电阻、低栅极电荷、高雪崩鲁棒性等特点,适用于电池管理系统(BMS)和高电流开关应用。
型号- BLP04N08,BLP04N08-B,BLP04N08-P
BLP03N10 MOSFET
描述- BLP03N10是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的双沟槽技术,具有低导通损耗、高开关性能和增强雪崩鲁棒性。适用于BMS和高电流切换应用。
型号- BLP03N10,BLP03N10-BA,BLP03N10-T
BLP055N10 MOSFET
描述- 该资料介绍了BLP055N10型MOSFET的特性、参数和应用。BLP055N10是一款采用先进双沟槽技术的N通道增强功率器件,适用于同步整流和高速开关应用。它具有低导通电阻、低栅极电荷和高的雪崩鲁棒性等特点。
型号- P055N10,BLP055N10-B,BLP055N10-P,BLP055N10
BLP02N08 MOSFET
描述- BLP02N08是一款采用先进双沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET,适用于BMS和高电流开关应用。该产品具有高雪崩 ruggedness、低导通电阻、低栅极电荷和低反向传输电容等特点。
型号- BLP02N08-T,BLP02N08
BLP032N08 MOSFET
描述- BLP032N08是一款采用先进双沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET,适用于BMS和高压开关应用。该产品具有高雪崩 ruggedness、低导通电阻、低栅极电荷和低反向转移电容等特点。
型号- BLP032N08,BLP032N08-T
BLP023N10 MOSFET
描述- BLP023N10是一款采用先进双沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET,具有低导通损耗、高开关性能和增强的雪崩鲁棒性。该器件适用于BMS和高电流开关应用。
型号- BLP023N10,BLP023N10-T
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型号- BLP032N14,BLP032N14-T
BLP024N10 MOSFET
描述- BLP024N10是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的双槽II技术,具有低导通损耗、高开关性能和增强雪崩鲁棒性。该器件适用于BMS和高电流开关应用。
型号- BLP024N10-BA,BLP024N10,BLP024N10-T
BLP04N08 BLP04N08-BA MOSFET
描述- 该资料介绍了BLP04N08型MOSFET的特性、规格和应用。它是一种采用先进双沟槽技术的N通道增强功率器件,具有低导通电阻、低栅极电荷、高雪崩鲁棒性等特点,适用于电池管理系统(BMS)和高电流开关应用。
型号- P04N08,BLP04N08,BLP04N08-B,BLP04N08-BA
BLP042N10G MOSFET
描述- 该资料介绍了BLP042N10G这款N沟道增强型功率MOSFET的特性。它采用先进的双槽II技术,降低了导通损耗,提高了开关性能和雪崩能量。适用于同步整流和高速切换应用。
型号- BLP042N10G-P,BLP042N10G-B,BLP042N10G
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