【应用】国产碳化硅驱动芯片IVCR1401助力2.5KW无桥PFC设计，传播延迟低至30ns
一般PFC电源工作原理是由AC转DC的功率变换来实现交流向直流转化，而在正常工作中设备会对电网反灌大量谐波，降低的功率因数产生无功功率，会对电网产生极大的污染，因此在设计PFC电源时需要考虑谐波含量，PFC值等指标等，另外就是高效率，高功率密度的需求，采用SiC MOS可实现产品的小型化、高效率设计。
图1 无桥PFC拓扑示意
如上图1是图腾柱PFC拓扑，它是一种高效率的无桥功率因数修整电路。其中开关管Q1 和Q2 是处于高频开关的工作状态采用高速的SiC MOSFET，驱动采用SIC专用驱动芯片IVCR1401，单机需要2PCS, 而Q3 和Q4 是处于低频开关管状态用于同步整流采用普通的Si MOSFET ，本设计采用国产瞻芯电子碳化硅驱动芯片IVCR1401助力2.5KW无桥PFC设计，传播延迟低至30ns。
图2 IVCR1401驱动设计电路参考
对于SiC器件栅极驱动器选型，需要注意以下几点：
1、有足够的驱动电流能力，ns级的传播延迟，适用于更高的开关频率工作，负压UVLO检测和退饱和检测/短路保护，电路设计简单；
2、SiC的Vgs电压比较窄，一般是在-10 to 25V，设计驱动电压是要留有足够的余量，避免栅栅极出现过压的情况；
3、设计时应尽量减小VDD电源电容与漏极和源极器件之间的栅极功率环路电感。这将栅极驱动器的上升时间减至最少，并使得驱动器的di / dt可以最大化。
图3 IVCR1401 封装以及引脚定义图
综上所述，国产碳化硅驱动芯片IVCR1401助力2.5KW无桥PFC设计具有以下几点优势：
1、驱动电流大，单通道大电流，4A的拉电流和灌电流输出能力，保证安全地驱动SIC可靠开通和关断；
2、内置去干扰滤波器，低传播延迟，典型45ns 延迟，最低30ns，最小的容差和变化允许在高频率下高效运行，可支持SICMOS的高频开关应用；
3、强驱动能力和负偏压提高了噪声抗扰度米勒效应在高dv/dt下，提高抗米勒效应的噪声抑制能力；
4、芯片保护功能强大，如退饱和检测防止短路，以及内置固定的200ns 消隐时间，以防止因开关沿电流尖峰和噪声而过早被触发过流保护；
5、可编程的正向栅驱动电压UVLO和固定负偏压UVLO保护可使栅极的操作电压保持在正常范围内，当到达阈值后会触发保护报警信号；
6、封装尺寸小型化和兼容市场主流封装，避免独家，国产器件在技术支持和供货响应上都有很好的保证。
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型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
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原厂动态 发布时间 : 2024-08-24
Product Brochure SiC Power Semiconductor and IC Solution
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