【产品】60V/±80A的N沟道功率MOSFET RD3L08BGN，100%Rg和UIS测试

时间： 2019-11-10 来源：ROHM

技术问答

RD3L08BGN是罗姆推出的低导通电阻、高功率小型封装的N沟道功率MOSFET，产品不含卤素，采用无铅电镀，符合RoHS标准，且通过了100%Rg和UIS测试，主要用于开关类应用。

RD3L08BGN功率MOSFET产品特性：

低导通电阻

高功率小型封装（TO-252）

无铅电镀；符合RoHS标准

无卤

100%Rg和UIS测试

RD3L08BGN功率MOSFET应用领域：

开关类应用

图1 RD3L08BGN产品图及内部电路图

在最大额定值方面，漏源电压为60V，栅源电压为±20V，较高的栅源电压可有效的保护栅极，连续漏极电流高达±80A，脉冲漏极电流高达±160A，单脉冲雪崩电流高达40A，单脉冲雪崩能量为60mJ，有效抑制了雪崩效应。同时产品的导通电阻的最大值仅为5.5mΩ，导通损耗低，导通延迟时间的典型值仅为28ns，上升时间的典型值为36ns，关断延迟时间典型值为99ns，下降时间典型值为150ns，体二极管的反向恢复时间的典型值为48ns，产品响应速度快。

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