中电国基南方与55所研制多款功率放大器芯片、二极管及管壳等各类关键核心器件助力天舟四号成功发射

2022-05-12 中电国基南方
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2022年5月10日01时56分,搭载天舟四号货运飞船的长征七号遥五运载火箭,在我国海南文昌航天发射场点火发射,成功将货运飞船送入预定轨道,发射任务取得圆满成功。


在此次任务中,中电国基南方、55所发挥自身技术优势,研制配套了多款功率放大器芯片二极管、管壳等各类关键核心器件,护航太空“快递”成功送达。

其中,功率放大芯片助力解决了高码率数传、高精度指向、高环境适应性、多星座自主切换等技术难题,确保信号可靠传输;二极管助力相关系统实现了高可靠频率变换;多款硅铝管壳为重要模块的小型化、集成化、高可靠封装提供了有力支撑。


逐梦太空,“芯”之所向。中电国基南方、55所将大力弘扬“两弹一星”精神、载人航天精神,在今后的各项任务中拼搏奋斗、创新突破,为航天强国建设再立新功。


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描述- 中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题;申请发明专利超过200多项,其中PCT10项,已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V,电流覆盖2A-150A,产品性能和可靠性满足多种应用需求,已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。

型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B

选型指南  -  中电国基南方  - 2024/7/30 PDF 中文 下载

中电国基南方SiC SBD选型表

中电国基南方提供工业级SiC SBD的以下参数选型:VR:650V~1700V,VF:1.27~1.5V,IF:4A~60A,IFSM:28A~450A,最高耐温175℃,TO-252、TO-220C-2L等多种封装形式。

产品型号
品类
VR(V)
IF(A)
GEN
VF(V)
IFSM(A)
QC(nc)
PTOT(W)
TJ(MAX)(℃ )
Package
质量等级
WS4A004065E0
SiC SBD
650V
4A
G4
1.28V
32A
11.5nc
60W
175℃
TO-252
工业级

选型表  -  中电国基南方 立即选型

阶跃二极管主要电特性参数

型号- WY402D,WY411B,WY373C,WY411C,WY373B,WY373A,WY402A,WY402B,WY402C,WY411A,WY0002H,WY46

技术文档  -  中电国基南方  - 2019/12/25 PDF 中文 下载

数据手册  -  中电国基南方  - Version 2.0  - 2022/5/12 PDF 英文 下载

数据手册  -  中电国基南方  - Version 1.0  - 2023/8/25 PDF 英文 下载

【产品】650V SiC肖特基二极管WS3A003065A,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性

WS3A003065A是中电国基南方推出的一款650V SiC肖特基二极管,器件采用TO-220-2封装,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,正向电流最高达11A,耗散功率为46.8W,工作结温与储存温度为-55℃~175℃

产品    发布时间 : 2022-03-22

数据手册  -  中电国基南方  - Version 3.0  - 2023/9/7 PDF 英文 下载

中电国基南方SiC肖特基二极管应用手册

描述- 本资料主要讲解了以下内容:(1)SiC半导体的材料特性、优点;(2)SiC肖特基二极管特性;(3)SiC SBD产品系列介绍、可靠性测试报告;(4)SiC的应用和优势示例应用优势。

型号- WS3A003065E,WS3A003065B,WS3A003065A,WS3A015065F,WS3A015065J,WS3A010170D,WS3A010170B,WS3A003065J,WS3A008120E,WS3A008120A,WS3A008120B,WS3A030120K,WS3A008120J,WSXAXXXXXX0,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A003120B,WS3A005120E,WS1A030330B,WS3A003120E,WS3A020120J,WS1A025170B,WS3A020120D,WS3A020120B,WS3A020120A,WS3A010065J,WS2A015120B,WS2A015120D,WS2A015120A,WS3A016120K,WS1A025170D,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A005120B,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A012065J,WS3A003120J,WS3A012065K,WS3A008065A,WS3A008065B,WS2A030120K,WS3A008065J,WS3A004065A,WS3A004065B,WS3A012065F,WS3A005170D,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A012065B,NSD10220B,WS3A005170B,WS3A012065A,WS3A020065J,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A020065B,WS3A006065E,WS3A020065A,WS3A006065F,WS3A002065B,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WS3A015120B,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A015120D,WS3A002065F,WS3A002065E,WS3A010065D,WS2A040120B,WS3A010065E,WS3A010065B,WS3A002065J,WS3A015170B,WS2A040120D,WS3A006065A,WS3A006065B,WS3A015170D,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS3A010065A,WS3A020065K,WS3A012120K,WS3A004065J,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WS1A050065D,WS1A050065B,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120B,WS3A015065B,WS3A002120E,WS3A015065A,WS3A006120J,WS3A015065D,WS3A010120D,WS3A010120E,WS3A015120E,WS3A002120J,WS3A010120B,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WS3A006120B,WS3A040120K,WS3A010120A,WS3A030065A,WS3A030065B,WS3A030065J,WS3A030065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K

应用笔记或设计指南  -  中电国基南方 PDF 中文 下载

肖特基势垒混频二极管主要电特性参数

型号- WH5133,WH5132,WH1010,WH513,WH5131,WH1003,WH1001,WH1012,WH1011,WH1001A,WH1007,WH1006,WH1005,WH1004,WH1009,WH1008,WJ3022A

技术文档  -  中电国基南方  - 2019/12/25 PDF 中文 下载

【应用】中电国基南方650V SiC SBD WS3A006065A助力通信电源PFC电路高效率设计

在传统的离线AC-DC通讯电源应用的PFC电路中,建议采用SiC SBD作为PFC升压二极管以提高整机效率。中电国基南方(CETC)的650V SiC SBD WS3A006065A拥有零反向恢复电流和零正向恢复电压,基本没有开关损耗,有与温度无关的开关特性,因此具有较强的温度稳定性且可有效提高系统效率。

应用方案    发布时间 : 2020-05-02

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