【应用】离线式开关电源IC LNK304PN在超宽范围输入(57-580 VAC)反激式电源中的应用

2018-12-13 Power Intagrations
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本文讲述Power Intagrations推出的LinkSwitch-TN系列离线式开关电源IC LNK304PN在超宽范围输入(57-580 VAC)反激式电源中的应用。输入电压为57 – 580 VAC,输出电压为12 V(250 mA),采用StackFET反激式拓扑结构。

 

设计特色 

·StackFETTM反激式拓扑在极宽的输入范围内输出全功率 

·E-ShieldTM变压器结构减少了共模EMI(>10 dBµV裕量) 

·66 kHz开关频率和频率抖动降低了传导EMI 

·简单的ON/OFF控制器 - 无需反馈补偿 

·自动重启动功能:自恢复的开环、过载和短路保护 

·内置的135 ºC迟滞热关断 


交流输入经整流和滤波,合成为直流加到变压器初级绕组的一端。 耐压450 V的电容与并联平衡电阻叠加在一起以达到要求的电压额 定值。电阻R1到R4在出现突然失效的情况下提供保险功能。 L1、C1和变压器E-Shield绕组允许设计满足EN55022 B传导限制 并且有较好的裕量。 


一个600 V MOSFET、Q1和U1配置成StackFET结构(cascode)。 U1的漏极驱动Q1的源极,同时Q1的漏极驱动变压器初级。


U1的漏极电压被VR1-3限制在450 V。这将U1和Q1的最大合成峰值 漏极电压扩展到1050 V。电阻链R6-R8给Q1的栅极提供启动充电, R9阻尼高频振荡。一旦转换器工作起来,栅极主要由储存在 VR1-3电容中的电荷驱动。齐纳管VR4限制了Q1的栅极到源极的 电压。漏感能量被VR5和D9箝位,增加R10减小了振荡和由此产 生的EMI。 


U1的操作不受StackFET结构的影响。当内部MOSFET导通时, Q1也开通,把输入电压加到变压器初级。一旦初级电流达到 U1的内部限流点,MOSFET关断,储存的能量被传送到输出。 稳压通过ON/OFF控制来维持。开关周期根据进入U1反馈引脚的 电流进行使能/关断。这是非常理想的状态,因为这会使有效开 关频率随负载降低、开关损耗按比例递减和并使效率最大化。 LinkSwitch-TN的使用进一步提高了效率,因为它的开关频率只 有66 kHz。 


图 1. 使用LinkSwitch-TN、以StackFET配置的3 W偏置电源原理图


表 1. 变压器设计参数(TIW = 三层绝缘线,NC = 无连接,FL = 飞线引脚) 


设计要点 

·在有高压DC母线的应用中,输入阶段(C9左边部分)可以 省掉。C9仍需要提供本地去耦。 

·长磁芯(EEL)是这种应用的理想选择,它可以提供更大的骨 架宽度以适应在高压操作时为满足安规而增加边缘的要求。 

·齐纳管VR1-3可以用一个P6KE540代替。 

·如果不要求低至57 VAC操作(最小100 VAC),电容C5到C8 的值可以减少到10 µF(100 VAC最小)。

·R13-16和R6-8使用0.5 W电阻,提供充足的电压额定。 

·效率在高压时降低是由于开关损耗。通过在初级绕组层间加几 层胶带降低变压器电容,从而降低此损耗。


图 2. 传导EMI(230 VAC,EN55022B限值,AV和QP结果)


图 3. 满载效率与输入电压的曲线

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