【产品】增强型功率晶体管EPC2034C，漏电流导通电阻典型值RDS(on)为6mΩ
EPC推出的增强型功率晶体管EPC2034C，氮化镓极高的电子迁移率和低温度系数允许非常低的RDS(on)，而其横向器件结构和多数载流子二极管提供极低的QG和零QRR。 最终结果是一种能够处理非常高的开关频率和低导通时间以及导通状态损耗占主导地位的任务的器件。
图1 产品外形
特征和应用:
EPC2034C eGaN®FET仅以钝化模具形式提供焊料凸点。 模具尺寸：4.6毫米x 2.6毫米
•高频DC / DC转换
•多级AC / DC电源
•无线电源
•太阳能微型逆变器
•机器人
•D类音频
•低电感电机驱动器
图2 最高评级
图3 热特性
注1：RθJA是通过安装在一平方英寸铜垫上的器件，FR4板上的单层2盎司铜来确定的。
图4 静态特性（除另有说明，TJ＝25℃）
图5 动态特性（除另有说明，TJ=25℃）
＃由设计定义。 不接受生产测试。
注2：COSS（ER）是一个固定电容，它提供与COSS相同的存储能量，而VDS从0到50％BVDSS上升。
注3：COSS（TR）是一个固定电容，与COSS的充电时间相同，而VDS从0到50％BVDSS上升。
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
EPC2057–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET规格书
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型号- EPC2057
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型号- EPC2307
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型号- EPC2308
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EPC2207–增强型功率晶体管
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型号- EPC2207
EPC2001C–增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据表
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型号- EPC2001C
EPC2306–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET数据表
描述- 本资料介绍了EPC2306增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（Gallium Nitride）技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻RDS(on)，适用于高频开关应用，同时提供低QG和零QRR，适合于高频率和高效率转换需求。
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