【产品】单片式半桥氮化镓功率晶体管,可使晶体管占板面积减少50%
宜普电源转换公司(EPC)的EPC2103增强型功率晶体管半桥为氮化镓(eGaN)器件,与传统器件相比,它有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流以及卓越的热性能。EPC2103为单片式半桥氮化镓功率晶体管,它通过集成两个eGaN功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙,使晶体管的占板面积减少50%。这会提高效率(尤其是器件在更高频工作时)及增加功率密度并同时减低终端用户的功率转换系统的组装成本。此产品是面向高频直流/直流转换应用的理想器件,可应用在高频DC-DC转换,电机驱动等领域。
半桥拓扑氮化镓功率晶体管EPC2103漏源连续电压为80V,脉冲电流最高为195A,漏源通态电阻RDS(on)较低,在VGS= 5V,ID=20A时,最大值为5.5mΩ,能够有效降低导通损耗,减少产热,提高效率。同时它的漏源恢复电荷为0,最大程度的降低了输出电荷的损耗,使开关转换时的噪声更低,更高效,提升了FET开关应用的品质因数。
半桥拓扑氮化镓功率晶体管EPC2103为半桥拓扑式,符合RoHS,无铅,无卤素,使用芯片规模封装,封装尺寸为6.05mm×2.3mm,功率密度很高,操作温度和存储温度均为-40℃~150℃,符合军品级器件的温度要求,能够胜任各种苛刻的应用环境,可靠性极高。
半桥拓扑氮化镓功率晶体管EPC2103产品图
半桥拓扑氮化镓功率晶体管EPC2103主要特点和优势:
·占版面积减少50%,实现更高功率密度
·低开关损耗、低寄生电感、低驱动功率,实现更快开关频率
·零漏源恢复电荷,实现高效
半桥拓扑氮化镓功率晶体管EPC2103主要应用:
·高频DC-DC转换
·电机驱动
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阿理 Lv5. 技术专家 2018-12-05学习了
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鄗立恒 Lv8. 研究员 2018-12-05学习了
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龙言无忌 Lv7. 资深专家 2018-12-05支持
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春天里 Lv7. 资深专家 2018-11-29越来越用新材料,越来越节约线路板尺寸!
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春天里 Lv7. 资深专家 2018-11-29支持好产品!
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唉吆喂 Lv7. 资深专家 2018-11-29不错
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dina Lv6. 高级专家 2018-11-26赞
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luose Lv8. 研究员 2018-11-25学习了!
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国丰 Lv7. 资深专家 2018-11-25学习了!
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醉卧美人膝 Lv8. 研究员 2018-11-15器件越来越小了
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产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
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