【选型】国产N沟道增强型MOSFET YJG90G10A用于电动车BMS系统充放电设计，最大导通电阻低至5mΩ

时间： 2023-07-05 来源：世强

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市面上常用48V系统的电动车，电池常用三元锂电池（标称电压3.7V，充满4.2V），规格为48V 20AH（13串10并），为避免因电池过充造成电池出现燃烧或爆炸风险，以及过放造成电池使用寿命衰减问题，一般需要在BMS主回路中用过充和过放MOSFET做开关控制，典型应用电路示意图参考如下图1所示。

图1：BMS锂电池组保护板充放电保护、均衡保护电路示意图

锂电池组充电回路路径：从充电器BAT+开始，经过放电MOS、充电MOS，锂电池组1~N，回到充电器BAT-；

锂电池组放电回路路径：从充电器BAT-开始，经过锂电池组N~1，充电MOS，放电MOS，回到充电器BAT+；

其中充放电MOSFET主要选型因素如下：

1、最大漏源电压VDS：与电动车电池组串联数量相关，13串电池组（13*4.2=48.1V），以2倍过压考量，建议选择VDS耐压至少100V更安全；

2、最大漏电流ID：48V 20AH三元锂电池组的输出电流能力为20A，以1.3~1.5倍过流考量，建议选择高温60℃条件下，漏电流至少60A（=20A*1.5（过流考量）*2（MOS加50%安全裕量））；

3、低的静态导通电阻Rdson，该值越低越好，导通损耗越小；

为满足如上设计需求，本文推荐扬杰科技 N沟道增强型MOSFET YJG90G10A，采用SGT工艺，PDFN5060-8L封装，最大漏源电压VDSS为100V，最大导通电阻仅5mΩ@VGS=10V，工作温度范围-55℃~150℃，相关电性参数参考如下图1所示。

图2：扬杰技N沟道增强型MOSFET YJG90G10A相关电性参数

推荐理由如下：

1、最大静态导通电阻Rdson低至5mΩ，具有低的导通损耗特性。

2、典型栅极电荷Qg低至66nc，具有低的开关损耗特性。

3、采用市场主流的PDFN5060-8L封装，相对DFN封装焊接引脚稍有外延，便于上锡增强焊接强度，同时可满足小型化设计。

4、在高温60℃条件下，漏电流ID约78A，可满足高温工作环境下，高的漏电流输出能力，相关漏电流-壳温曲线参考如下图3所示。

图3：扬杰技N沟道增强型MOSFET YJG90G10A漏电流ID和壳温Tc对应曲线

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