【产品】40V/40A采用TO-252AA封装N沟道增强型MOSFET PJD40N04-AU
PANJIT（强茂）推出了PJD40N04-AU为N沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装，其中漏-源电压最大额定值为40V，连续漏极电流最大额定值为40A。
图1 PJD40N04-AU封装图
PJD40N04-AU特性：
RDS(ON), VGS@10V, ID@20A<12mΩ
RDS(ON), VGS@4.5V, ID@10A<17mΩ
开关速度快
改进的dv/dt能力
低栅极电荷
反向传输电容低
符合AEC-Q101标准
符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准
绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
PJD40N04-AU最大额定值特性：
PJD40N04-AU电气特性：
PJD40N04-AU机械参数：
外壳：TO-252AA封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量为：0.0104盎司，0.297克
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