【产品】萨科微N沟道功率MOSFET器件2N7002，漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求

时间： 2023-09-27 来源：SLKOR官网

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今天介绍的是萨科微中压MOS管 2N7002。萨科微2N7002产品是对标安美森半导体公司2N7002 MOSFET设计，2N7002是一款N沟道增强型场效应晶体管, 采用高单元密度与DMOS技术生产。该产品提供坚固, 可靠与快速的开关性能。可用于大多数需要高达400mADC的应用，并可提供高达2A的脉冲电流。

图 1 萨科微SLKOR中压MOS管2N7002产品图

2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件，具有高漏源电压和高效导通等特点，适用于多种应用场合。该器件的漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求。同时，其导通电阻低，最小值为7.5Ω，能够提供更高的效率。此外，MOS管2N700的阈值电压高达2.5V，具有更好的抗干扰能力。该器件采用SOT-23封装，尺寸小巧，便于布局设计和集成。

2N7002是N沟道的MOSFET，因此源极和漏极等端子均由N型材料组成，而村底则为P型材料。当正电压施加到MOS结构时，它将调整半导体内的电荷分配。因此，负电荷载流子与受体原子结合形成耗尽区。一旦在栅极端子处施加正电压，它就会控制电子的流动。同样，当栅极端子处的正电压增加时，它将吸引几个电子，这有助于扩展源极和漏极之间的通道路径。因此，2N7002的导电率主要取决于在栅极端施加的电压强度。

图 2 萨科微slkor中压MOS管2N7002产品图

2N7002的应用领域广泛，专门应用于中低电压和中低电流的应用，包括低电流驱动应用、开关、DC-DC转换器、电源管理和电池管理等。在实际应用中，萨科微2N7002是降低通态电阻的完美替代型号方案，它可以用于基于电动汽车和电源管理的应用程序；用于开关和功率MOSFET栅极驱动器；用于需要低通态电阻的地方；用于控制电机；用于基于低电压和电流开关的应用，许多紧凑型的应用都非常适用。

图 3 萨科微slkor中压MOS管2N7002平面图

总之，2N7002 MOSFET是一种高性能的N沟道功率MOSFET器件，具有高漏源电压和高效导通等特点，此外，它单元设计密度高，具有最大的开关性能，适用于多种应用场合。

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产品型号	品类	N/P	Vᴅss(V)	Iᴅ@Tᴄ=25℃(A)	Pᴅ@Tᴄ=25℃(W)	Vɢs(V)	Rᴅs(on)(mΩ)Max.@Tᴄ=25℃(at Vɢs=4.5V)	Rᴅs(on)(mΩ)Max.@Tᴄ=25℃(at Vɢs=2.5V)	Package
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