【产品】萨科微N沟道功率MOSFET器件2N7002，漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求

时间： 2023-09-27 来源：SLKOR官网

技术问答

今天介绍的是萨科微中压MOS管 2N7002。萨科微2N7002产品是对标安美森半导体公司2N7002 MOSFET设计，2N7002是一款N沟道增强型场效应晶体管, 采用高单元密度与DMOS技术生产。该产品提供坚固, 可靠与快速的开关性能。可用于大多数需要高达400mADC的应用，并可提供高达2A的脉冲电流。

图 1 萨科微SLKOR中压MOS管2N7002产品图

2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件，具有高漏源电压和高效导通等特点，适用于多种应用场合。该器件的漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求。同时，其导通电阻低，最小值为7.5Ω，能够提供更高的效率。此外，MOS管2N700的阈值电压高达2.5V，具有更好的抗干扰能力。该器件采用SOT-23封装，尺寸小巧，便于布局设计和集成。

2N7002是N沟道的MOSFET，因此源极和漏极等端子均由N型材料组成，而村底则为P型材料。当正电压施加到MOS结构时，它将调整半导体内的电荷分配。因此，负电荷载流子与受体原子结合形成耗尽区。一旦在栅极端子处施加正电压，它就会控制电子的流动。同样，当栅极端子处的正电压增加时，它将吸引几个电子，这有助于扩展源极和漏极之间的通道路径。因此，2N7002的导电率主要取决于在栅极端施加的电压强度。

图 2 萨科微slkor中压MOS管2N7002产品图

2N7002的应用领域广泛，专门应用于中低电压和中低电流的应用，包括低电流驱动应用、开关、DC-DC转换器、电源管理和电池管理等。在实际应用中，萨科微2N7002是降低通态电阻的完美替代型号方案，它可以用于基于电动汽车和电源管理的应用程序；用于开关和功率MOSFET栅极驱动器；用于需要低通态电阻的地方；用于控制电机；用于基于低电压和电流开关的应用，许多紧凑型的应用都非常适用。

图 3 萨科微slkor中压MOS管2N7002平面图

总之，2N7002 MOSFET是一种高性能的N沟道功率MOSFET器件，具有高漏源电压和高效导通等特点，此外，它单元设计密度高，具有最大的开关性能，适用于多种应用场合。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由三年不鸣转载自SLKOR官网，原文标题为:【每日一品】萨科微高漏源电压和高效导通的N沟道功率MOSFET器件：2N7002，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】N沟道中压MOS管SL15N10A可承受高达100℃的工作温度，适用于高功率电路

SL15N10A是N沟道中压MOS管，漏源电压(Vdss)为100V，连续漏极电流(Id)为15A，导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id)是130mΩ@20V,15A，阈值电压(Vgs(th)@Id)是20V@15A，具有高漏源电压和低导通电阻的特点，能够承受高达100℃的工作温度，可以广泛应用于各种开关电路、电源管理和电动机控制等领域。

产品发布时间 : 2023-09-26

60V/60A的N沟道MOS管SL60N06，导通电阻11.5mΩ，能在微波频率范围实现快速开关和精确控制

Slkor萨科微SL60N06是一款具有60V漏源电压和60A连续漏极电流的N沟道MOS管，以其低导通电阻（11.5mΩ@10V,30A）和较低的阈值电压（4V@250μA）而著称。该MOS管高频特性优越，能够在微波频率范围内实现快速开关和精确控制，具有高频率响应能力，能够满足高频信号的处理和传输需求。

产品发布时间 : 2024-07-13

60V/3A的N沟道MOS管SL2310，具有大功率处理能力，是小家电应用理想的开关和信号处理元件

Slkor萨科微SL2310是一款具有60V漏源电压和3A连续漏极电流的N沟道MOS管，以其低导通电阻（105mΩ@10V,3A）和较低的阈值电压（2V@250μA）而著称。这些特性使得SL2310成为小家电应用中理想的开关和信号处理元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。

产品发布时间 : 2024-07-15

【产品】4开关N沟道功率MOSFET PL1303N04，漏源电压40V，连续漏极电流25A

PL1303N04是宝砾微推出的4开关N沟道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封装。产品具有较强的体二极管dv/dt能力和雪崩强度，经过100％的UIS测试和Rg测试，适用于DC-DC转换等。

新产品发布时间 : 2020-06-28

【产品】40V/125A的N沟道功率MOSFET NCEAP4090AGU，漏源导通电阻低，采用PDFN5X6-8L封装

NCEAP4090AGU是NCE推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，可以提供最高效的高频开关性能。器件采用PDFN5X6-8L封装，得益于RDS(ON)和Qg的超低组合，导通和开关功率损耗都被最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想选择。

产品发布时间 : 2023-04-18

60V/3A的N沟道MOS管SL3N06，具有大功率处理能力，广泛应用于小家电等领域

Slkor萨科微SL3N06是一款具有60V漏源电压和3A连续漏极电流的N沟道MOS管，以其低导通电阻（90mΩ@10V,3A）和较低的阈值电压（3V@250μA）而著称。这些特性使得 SL3N06成为小家电应用中理想的开关和信号处理元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。

产品发布时间 : 2024-07-14

【产品】800V/5.0A N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP，适用于高电压、快速开关应用

CDM2205-800FP是CENTRAL半导体公司推出的一款N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值为2.2Ω，最大值为2.7Ω，典型值Qg（tot）为17.4nC。N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP采用TO-220FP封装，专为高电压，快速开关应用而设计，如功率因数校正(PFC)，照明和电源逆变器。

新产品发布时间 : 2018-06-17

【产品】采用DFN3*3封装的N沟道功率MOSFET AP0803QD，导通电阻低至9mΩ

AP0803QD系列是铨力半导体推出的采用创新设计和硅工艺技术的N沟道功率MOSFET，实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。采用DFN3*3封装，为设计者提供了一种极为高效的器件，可广泛用于各种电源应用领域。

产品发布时间 : 2022-04-26

60V/17A的N沟道MOS管SL17N06DN1，导通电阻低至73mΩ，广泛应用于智能家居等领域

Slkor萨科微SL17N06DN1是一款具有60V漏源电压和17A连续漏极电流的N沟道MOS管，以其低导通电阻（73mΩ@10V,6A）和较低的阈值电压（2.5V@250μA）而著称。这些特性使得SL17N06DN1成为智能家居领域里各种技术应用理想的开关和信号处理元件，尤其是在需要高效能和高精度控制的场合。

产品发布时间 : 2024-07-10

100V中压MOS管SL53N10Q，连续漏极电流53A，适用于驱动电机与转换电力

SLKOR SL53N10Q的漏源电压（Vdss）为100V，连续漏极电流（Id）可达到53A，而在10V、20A的工作条件下，导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）仅为8mΩ，阈值电压（Vgs(th)@Id）为3V@250μA。这些优秀的参数使得SL53N10Q成为电机驱动器和DC-DC转换器等领域的理想选择。

产品发布时间 : 2024-02-23

【产品】适合负载开关应用的N沟道功率MOSFET AP1606系列，沟槽处理技术设计实现低导通电阻

铨力半导体旗下的AP1606系列N沟道功率MOSFET，采用沟槽处理技术设计，实现尽可能低的导通电阻，它的静态漏源导通电阻RDS(ON)典型值为210mΩ（VGS=2.5V，ID=0.5A）。这款器件具有开关速度快、传输效率高、无铅、符合RoHS标准等特性。

产品发布时间 : 2022-01-07

60V/3A的N沟道型MOS管SL3422，具有较好的开关速度和导通能力，适用于非接触技术应用

SL3422是一款N沟道型MOS管，具有3A的连续漏极电流能力和低导通电阻，适合用于智能家居中的控制电路设计。N沟道型MOS管通常具有较好的开关速度和导通能力，适用于需要快速响应的非接触技术应用。

产品发布时间 : 2024-05-31

60V/5A N沟道MOS场效应管SL05N06Z，具有低导通电阻、高开关速度、低开关损耗等特点

SL05N06Z是一款N沟道MOS场效应管，具有出色的性能参数，其具有较高漏源电压（60V）和一定的电流承受能力（5.0A），非常适合用于中压中功率的电路设计中。此外，其较低的导通电阻（58mΩ@10V,3A）和较低的阈值电压（1.7V@250μA）保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用，为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。

产品发布时间 : 2024-05-06

【产品】100V/108A的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D，漏源导通电阻低至5.7mΩ

NCE采用超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D，无铅，TO-263-2L封装，可提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON) 和Qg的极低组合，导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。

产品发布时间 : 2023-05-07

650V/11A的N沟道功率MOSFET SL11N65CD，具有高坚固性、低栅极电荷等优点

萨科微半导体的SL11N65CD功率MOSFET是一款具有卓越性能和可靠性的高压MOS管。它采用了先进的超级结MOSFET技术，通过专门的设计实现了大程度的降低通态电阻和提供卓越的开关性能，同时具有高坚固性、低栅极电荷、快速切换和通过100%雪崩测试等优秀特点。它广泛应用于高效开关模式电源、工业控制、电力设备等领域，为各种电子应用提供卓越的性能和可靠性。

产品发布时间 : 2024-05-26