【应用】导通电阻低至8.5mΩ的功率MOSFET P40F10SN如何适用于地铁屏蔽门150W直流无刷电机逆变设计?
地铁屏蔽门门机驱动控制器通常选用BLDC直流无刷电机方案,而BLDC直流无刷电机功率一般选择150W,为实现低成本、高安全性性设计,其逆变单元一般需要至少72V/30A的分立MOSFET做三相逆变,此功率MOSFET实际选型参数主要考量如下:
1、小尺寸插件式封装,占PCB板空间面积小;
2、低的导通电阻R(DS)ON,越小越好;
3、快速开关能力;
4、低的总栅极电荷Qg,可有效降低高速开关状态下的开关损耗;
5、低反向传输电容Crss,有效抑制开关噪声,改善Vge波形振铃;
6、宽的工作温度范围。
针对如上设计考量,本文推荐一款SHINDENGEN(新电元)推出的采用绝缘封装的功率MOSFET P40F10SN 100V/40A做直流无刷电机逆变设计,为FTO-220AG(3pin)封装,其实物图和尺寸图参考如下图1所示。
图1:Shindengen(新电元)功率MOSFET P40F10SN实物图和尺寸图
Shindengen(新电元)功率MOSFET P40F10SN最大漏源电压VDSS为100V,连续漏极电流ID为40A,可承受峰值脉冲电流IDP达160A,额定功耗44W,单脉冲雪崩能量68mJ,绝缘耐压能力2kV,沟道温度150℃,存储温度-55℃~150℃,具体的最大额定参数参考如下图2所示。
图2:Shindengen(新电元)功率MOSFET P40F10SN最大额定参数
Shindengen(新电元)功率MOSFET P40F10SN具有出色的低导通电阻特性,典型值仅8.5mΩ,结壳热阻θjc最大2.84℃/W(=(150℃-25℃)/44W),总栅极电荷Qg典型值仅为92nC,可有效降低高速开关状态下的开关损耗,反向传输电容Crss典型值为205pF,低的电容特性可以有效抑制开关噪声,改善Vge波形振铃,避免关断期间因栅极振动过大出现误导通现象,具体的典型电性参数参考如下图3所示。
图3:Shindengen(新电元)功率MOSFET P40F10SN典型电性参数
最后,总结下Shindengen(新电元)功率MOSFET P40F10SN器件优势:
1、高达40A连续漏极直流电流和160A最大峰值脉冲电流;
2、8.5mΩ Typ更低的导通电阻,使自身发热及自身功耗较少,可降低电路的损耗;
3、器件的总开启时间为34ns,关闭时间为114ns,具有快速开关能力,可满足用户针对高速开关的需求;
4、92nC Typ总栅极电荷Qg,可有效降低高速开关状态下的开关损耗;
5、205pF Typ反向传输电容Crss,低的电容特性可以有效抑制开关噪声,改善Vge波形振铃,避免关断期间因栅极振动过大出现误导通现象;
6、pin-pin兼容Infineon公司的IRF540ZPBF,成本降低10%;
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