【元件】 瞻芯电子新推1200V/30A碳化硅肖特基二极管IV3D12030T2，其开关特性不受温度影响
瞻芯电子新推出的碳化硅肖特基二极管IV3D12030T2，其反向重复峰值电压VRRM为1200V，最大结温为175℃，总存储电荷QC为19nC，具有高浪涌电流容量、极快反向恢复、开关特性不受温度影响等特点，可减少电路能量损耗。
特性
最大结温为175℃
高浪涌电流容量
低正向电压
极快反向恢复
减少电路能量损耗
高频工作
开关特性不受温度影响
正向导通电压VF为正温度系数
应用
太阳能升压器
逆变器续流反并联二极管
维也纳三相PFC整流变换器
EV充电桩
开关电源
封装示意图
丝印示意图
最大额定值 (Tc=25℃，除非特别说明)
电气特性
热阻特性
典型特性
封装尺寸
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本文由Iris虹转载自瞻芯电子，原文标题为:IV3D12030T2 – 1200V 30A 碳化硅肖特基二极管，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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瞻芯电子SiC肖特基二极管（SBD）选型表
瞻芯电子提供以下参数选型：VRRM（V）：650V&1200V、IF（ TJ =150°C）（A）：2~40
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产品型号
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品类
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Qualification
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VRRM（V）
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IF（ TJ =150°C）（A）
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IFSM（ tp=10ms）（A）
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VF（ TJ =25°C）（V）
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VF（ TJ =175°C）（V）
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IR（ TJ =25°C）（μA）
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IR（ TJ =175°C）（μA）
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QC（nC）
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Package
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IV1D06004BD
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SiC肖特基二极管
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工业级
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650V
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4A
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32A
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1.45V
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1.85V
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1.0μA
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5.0μA
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7.7nC
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Bare Die
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选型表 - 瞻芯电子 立即选型
IV1D12020U2 – 1200V 20A 碳化硅肖特基二极管
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型号- IV1D12020U2
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型号- IV2D12030T2
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型号- IV1D12020T2
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