【产品】280V/10A的N沟道功率MOS管 P10B28HP2,导通电阻仅0.3Ω

2018-05-06 SHINDENGEN
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P10B28HP2是新电元(SHINDENGEN)公司推出的一款针对工业化应用的N沟道金属氧化物场效应晶体管,相比于P沟道MOS管,拥有更小的导通电阻。最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为280.0V,最大漏极持续电流(DC)Id为10.0A,体积小巧同时适合大规模批量生产,是中大功率电源类应用的理想选择。具有高电压、低噪声、低导通电阻的特点。广泛使用于负载/电源开关,电源转换器电路,高速脉冲放大器等应用。


采用SMD(Surface Mounted Devices)表面贴装,以Sn为主要材料,大多采用内箱直径为180mm的Tape & Reel带卷式封装。具体封装形态为FB,是一款具体尺寸为10.0mm(W)X6.6mm(H)X2.3mm(D)mm,适用于小型嵌入式电器设计。


图1  P10B28HP2外部视图


P10B28HP2的最大栅极/源极电压VGSS为±30V,最大总耗散功率Pt为70.0W,提高了能源利用效率,同时保障了MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。其静态漏源导通电阻Rds典型值为0.3Ω,最高沟道温度Tch为150.0℃,总栅极电荷量典型值Qg为11.4 nC。


图2  P10B28HP2典型输出特性及转移特性曲线



P10B28HP2的主要特点:

• 最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为280.0V,最大栅极/源极电压VGSS为±30V

• 最大漏极持续电流(DC)Id为10.0A,最大总耗散功率Pt为70.0W

• 静态漏源导通电阻Rds典型值为0.3Ω

• 最高沟道温度Tch为150.0℃

• 总栅极电荷量典型值Qg为11.4 nC

• 采用FB封装, 尺寸大小为10.0mm(W)X6.6mm(H)X2.3mm(D)


P10B28HP2的典型应用:

• 负载/电源开关

• 电源转换器电路

• 高速脉冲放大器



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丙烯酸/光固化&双固化UV胶定制

可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。

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车规级变压器定制

可定制变压器电压最高4.5KV,高频30MHz;支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。

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授权代理品牌:接插件及结构件

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授权代理品牌:部件、组件及配件

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授权代理品牌:电源及模块

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授权代理品牌:电子材料

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授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

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授权代理品牌:电工工具及材料

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