【应用】解析无锡紫光微系列MOS在Flyback、SR、PFC、LLC、全桥、正激上的应用
无锡紫光微电子推出的MOS可广泛应用于Flyback、SR、PFC、LLC、全桥、正激。
Flyback应用上：
推荐系列：650V/700V/730V/800V Multi-EPI SJ MOS
系统概述：反激是指反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源，MOS导通时，输出变压器充当电感，电能转化为磁能，此时输出回路无电流，相反，当mos关断时，输出变压器释放能量，磁能转化为电能，输出回路有电流。反激电路元器件少，电路简单成本低体积小可同时输出多路互相隔离的电路。
产品优势：基于革命性超结 (SJ) 原理设计，使用先进的多次外延（Multi-EPI）工艺技术制造，拥有更优的EMI特性，更容易通过安规认证；超低导通电阻和结电容，有效降低导通损耗和开关损耗，效率高，发热小，可以适应更高的开关频率；DFN超薄外形封装，可应用于小体积PD快速充电器。
系统原理图：
SR应用上：
推荐系列：DT MOS/Trench MOS
产品优势：DT MOSFET是采用了具有降低表面电场(Reduced Surface) 原理的屏蔽栅（或称为分立栅）MOSFET技术(Shield/Split Gate ）的Trench MOSFET，从而降低器件的比导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。Trench MOS优化了芯片的元胞设计和版图布局，可以提高器件各个方向的电流均匀性，有效防止在极限工作下部分区域的提前失效，增强了产品功率密度和可靠性。
系统概述：同步整流Rectification MOSFET在开关电源中用于提高电源的效率，它替代输出整流二极管，利用其导通内阻低的特点弥补二极管导通损耗高的缺陷。
系统原理图：
PFC应用上：
推荐系列：600V/650V Multi-EPI SJ MOS
紫光微可以提供 600V，650V ，700V 的多次外延（ Multi-EPI ）SJMOS，PFC可选择。
产品优势：基于革命性超结 (SJ) 原理设计，使用先进的多次外延（Multi-EPI）工艺技术制造，拥有更优的EMI特性，更容易通过安规认证；超低导通电阻和结电容，有效降低导通损耗和开关损耗，效率高，发热小，可以适应更高的开关频率。
系统概述：PFC（功率因数校正）拓扑常见的工作模式有CCM电流连续型、DCM不连续型和CRM临界型三种，PFC拓扑对MOS管的要求比较高，在保证系统效率和温升的条件下，要尽可能的提升系统稳定性用来改善电子或电力设备装置的功率因素，用于提高配电设备及其配线的利用率,以降低设备的装置容量。
系统原理图：
LLC应用上：
推荐系列：600V/650V带FRD的Multi-EPI SJ MOS
产品优势：带FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于谐振半桥电路应用，具有高速快恢复二极管（FRD），短的反向恢复时间（Trr），适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用。
系统概述：LLC拓扑常用于大功率谐振式变换器，是150W至1.6kW应用的理想选择。因采用零电压开关（ZVS）而实现了非常高的工作效率，在大幅度减小开关损耗的同时还可以有更高的功率密度，可广泛应用于服务器电源、电动汽车充电桩等领域
无锡紫光微提供的BV为650V的MutliEPISJ-MOS可用于谐波半桥电源应用，也提供具有高速快恢复二极管（FRD）的MutliEPISJ-MOS，且二极管具有短的反向恢复时间（Trr），适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用
系统原理图
全桥应用上：
推荐系列：600V/650V带FRD的Multi-EPI SJ MOS
产品优势：带FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于谐振全桥电路应用，具有高速快恢复二极管（FRD），短的反向恢复时间（Trr），适用于当再生电流流经主体二极管时会导致恢复损耗的应用。
系统概述：逆变电路工作原理开关T1、T4闭合，T2、T3断开: 开关T1、T4断开，T2、T3闭合当以频率fS交替切换开关T1、T4和 T2 、T3 时 ，则在负载电阻R上获得交变电压波形(正负交替的方波)，其周期 Ts=1/fS，这样，就将直流电压变成了交流电压
系统原理图
正激应用上：
推荐系列：Multi-EPI SJ MOS
产品优势：基于革命性超结 (SJ) 原理设计，使用先进的多次外延（Multi-EPI）工艺技术制造，拥有更优的EMI特性，更容易通过安规认证；超低导通电阻和结电容，有效降低导通损耗和开关损耗，效率高，发热小，可以适应更高的开关频率。
系统概述：正激式开关电源在硬开关应用中有单管正激和双管正激两种，对于单管正激，由于变压器需要增加额外的磁复位绕组，在主开关MOS管关断时，MOS管会承受两倍于输入电压的应力，因此该类拓扑应用中我们推荐高BV的MOS管，以应对电压变化带来的冲击。
双管正激，它是非常稳定的拓扑结构，工作频率不高，也不会出现过大的冲击电流，对MOS管的要求相对宽松，每个mos理论上的电压为直流母线电压，对选取相对较低耐压mos，同时Rdson较小，可进一步提高效率通常应用于计算机主电源，中等功率通信电源，变频器等辅助电源。
系统原理图：
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一闪一闪亮眼睛 Lv7. 资深专家 2022-05-23学习 -
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Timm Lv9. 科学家 2022-04-20学习 -
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tiankai001 Lv7. 资深专家 2022-04-12了解，学习
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无锡紫光微（UNIGROUP）SJ MOS/SJ-Multiepi MOS/VD MOS/Trench MOS/DT MOSFET选型指南
目录- SJ MOSFET SJ-Multiepi MOSFET VD MOSFET Trench MOSFET DT MOSFET
型号- TPD60R1K0C,TMP11N60H,TMA28N50HS,TPA70R1K5M,TMD4N50H,TPV60R350C,TSB15N10A,TPU50R5K0D,TPW60R075C,TMA9N70H,TPR60R580C,TMA45N30H,TPW60R160M,TPB70R135MFD,TTB95N68A,TPU65R600M,TMP20N40H,TMP12N65H,TMJ2N50HF,TMU3N55LT,TMA8N90H,TMA45N50HS,TTD100N04AT,TMS05P35H,TPU65R600C,TPW90R350A,TMP30N25H,TPD65R4K3C,TMD5N30H,TMA12N50HF,TMA8N50HFE,TMP10N80H,TPP65R380C,TPA60R260MFD,TMW35N60H,TPW55R060D,TMA3N65H,TPV60R240M,TMA3N65L,TMA3N65M,TMA3N65N,TTD85N03AT,TPA70R600M,TPD50R5K4CT,TPW65R044MFD,TMU6N60H,TPD65R450CFD,TMP12N40H,TPA110R550A,TTU03P06ATS,TPU65R1K5M,TSP180N03A,TPY70R1K5C,TMA9N95H,TPA65R940C,TMA4N100H,TPA65R2K2C,TPA70R1K5C,TMU2N55CT,TMA8N50HF,TMA8N50HE,TTP90N03AT,TMA3N66H,TMU5N80H,TPP80R750C,TMA8N50HH,TPU73R400M,TMP12N43H,TMX05P35H,TMA13N65H,TTX2305A,TPB60R580C,TPU60R7K5C,TPD65R2K7C,TMA20N60H,TMP7N65HS,TTP115N08A,TMA08N60HS,TPV65R085CFD,TPA65R190MFD,TPU65R1K2C,TPP65R160C,TMW3N150H,TPB65R300MFD,TPW50R060DFD,TPP100R500A,TPU65R950M,TMP20N65H,TPD65R280D,TMA4N55LT,TPW100R800A,TMA12N60H,TPU70R700C,TMU8N65H,TPP70R260M,TMV25N55H,TPV70R190MFD,TPC80R1K2C,TPB65R750C,TPD65R2K6C,TPA60R170MFD,TPV70R090M,TMA3N55HT,TPA80R250A,TSG10N06A,TPU55R6K5C,TMA28N30H,TPA50R700C,TSJ10N06AT,TPA73R300M,TPU50R5K4C,TSU10N06A,TMP30N10HT,TTB65N10A,TTJ12N04AT,TPA65R170M,TSP12N06A,TPC60R150C,TMA8N70H,TPB50R400C,TTU05P03ATS,TMC6N70H,TMP15P20H,TPP60R260MFD,TMA8N65HS,TSD12N06AT,TMW9N90H,TPP60R600MFD,TMP13N40H,TPW70R120M,TMD7N53HE,TMP1N60C,TMP140N10A,TPP65R360M,TMR12N50H,TTD18P10AT,TPA65R280D,TPV73R300M,TMB160N10A,TMP110N06H,TPW65R100MFD,TTU01P10ATS,TPD55R2K1C,TMD3N50H,TMD2N70H,TSG10N06AT,TPU50R360D,TMP12N60H,TPD60R1K4M,TMU1N50LT,TPU60R360MFD,TMA12N65H,TMU7N65M,TMA10N80H,TTU08N02ATS,TPA70R950C,TPA70R950M,TMP9N90H,TPA60R330M,TMU7N65H,TPC80R1K5C,TMA11N60H,TMP2N60H,TMA20N50HS,TMA3N120H,TMU4N80H,TPD70R360M,TMP4N60HS,TTG130N03GT,TPU50R250C,TTP70N07A,TPV50R060C,TPY70R1K4C,TPP70R170M,TPC60R700C,TPB65R1K2C,TMU4N40HT,TPA70R1K4C,TMA4N55HT,TMV2N60HF,TPA50R2K3C,TMP12N60HS,TPD65R940C,TPG65R365MH,TMV9N90H,TMA13N68H,TPB65R090M,TMU03N60HT,TPD60R840C,TPD65R2K2C,TPU70R2K8C,TTU95N68A,TTP95N68A,TPP65R600M,TMU1N50HT,TMA4N60H,TPC65R380C,TPD70R1K5M,TMA40N20H,TPD60R1K8C,TMA3N80H,TPP65R070D,TTP100N04AT,TSG010N03AT,TPA100R500A,TTD120N03AT,TPP65R075DFD,TPP65R600C,TMU8N60H,TPC50R690C,TMA4N60N,TMA4N60L,TMA4N60M,TMD2N65HT,TPB80R300CFD,TPP65R950M,TMU08N50HT,TPW60R036M,TTD65N04AT,TPA120R800A,TMP162N04H,TPP60R2K5C,TPP70R700C,TPA60R600MFD,TPA80R300A,TMU1N50C,TPP80R1K2C,TPA80R300C,TPW80R300C,TPB65R400MFD,TMU1N50H,TMA5N65H,TMV8N120H,TMD2N50H,TPC70R260M,TMB120N08A,TPA65R520D,TMP120N08A,TPB100R800A,TPP60R700C,TPD70R950M,TMA12N45H,TMA2N50HF,TMU2N55L,TMA10N60N,TPD70R950C,TMD2N50CF,TPP65R700MFD,TMA10N60H,TMW6N90H,TMP50N06HT,TPD80R2K2C,TSG10N06ATC,TPP70R190C,TPP80R1K5C,TPW110R800A,TPP110R550A,TMA2N65H,TPA65R9K2C,TMP25N055H,TPP65R1K2C,TPD70R1K4C,TMD5N50NF,TTP120N02GT,TMP6N90H,TTG40P02ATC,TPD60R1K7C,TMA18N70H,TMA1N60H,TPU65R380C,TPD70R600M,TMP16N25H,TPU80R750C,TTU04N08ATS,TPW70R300MFD,TPA50R500C,TTD28P10AT,TMP8N50L,TMA11N65H,TPA60R1K0C,TMA4N60HF,TPD70R1K5C,TMP8N50H,TMA9N90H,TTP50P06AT,TPV100R500A,TMD8N60H,TMP20N60H,TPU55R2K9C,TPD65R400MFD,TMB140N10A,TPC65R360M,TMA3N60H,TMU9N20H,TPU50R1K8C,TPV80R300CFD,TMP38N30HF,TMA6N65HH,TPB70R120M,TPA60R530M,TMP5N100H,TMA5N20H,TPA73R190M,TPR70R120M,TPU60R600MFD,TPV73R190M,TPU60R2K2C,TPC50R250C,TMA25N50C,TTP118N08A,TMU7N60H,TMA4N65M,TMA4N65N,TMP3N100H,TMU7N60L,TMU1N50CT,TMY1N60H,TMA4N65H,TMP1N20H,TSB12N10A,TMA4N65D,TSU12N06A,TPD55R2K9C,TMA25N50H,TMA3N100HE,TPP60R360MFD,TMC10N65H,TMY1N60B,TPP50R500C,TPW70R044MFD,TPB70R400MFD,TMA10N40L,TTD135N68A,TMW9N95H,TPU50R1K6C,TPV65R080C,TTB80N04AT,TSP045N10A,TPU80R1K2C,TMA10N40H,TMD7N60HF,TPP60R190A,TMA85N08H,TMP15N40H,TTK8205,TPB90R350A,TPC60R350C,TMA12N50NF,TPA120R1K5A,TTG65N10A,TTP115N68A,TMA10N65N,TSP12N10AT,TPB70R450C,TMA6N65HS,TPP65R1K5M,TMA10N65H,TPU50R1K5C,TPC60R240M,TMA18N50H,TPD60R3K4C,TMA2N60H,TPB65R380C,TMD1N65H,TPR65R260M,TMU5N50CF,TPA80R1K2C,TPA65R400MFD,TMV28N55H,TPP80R270M,TMW57N10H,TMA16N60H,TPA65R280DFD,TMD8N55HE,TPP60R580C,TTP150N02GT,TMU3N50H,TSP15N06A,TPP120R800A,TMC10N60N,TPW50R065CFD,TPA70R190MFD,TMP6N40H,TTD120N02GT,TMC10N60H,TMU2N70H,TTP120N03AT,TMU6N60HF,TTJ05P04AT,TMP8N25H,TMU2N70L,TMU5N30HT,TPA70R450C,TMA9N20HT,TMP2N50HT,TMU2N70N,TPC65R940C,TPB65R100MFD,TMA18N20H,TPU60R3K4C,TMV10N90H,TMU02N15AT,TPA80R300CFD,TSU12N10AT,TPW60R260MFD,TPC70R1K5C,TMA25N55H,TMA4N90H,TPV60R190A,TMU1N55LT,TMW45N50HF,TPA55R2K1C,TPD50R500C,TPA60R3K4C,TPC70R950C,TMD8N50H,TMA3N50LT,TPA60R160M,TSG12N06AC,TTP60N10AT,TMA7N55H,TMP7N65M,TPA65R450CFD,TMA5N70H,TPR70R360M,TPA80R1K5C,TSP15N08A,TPU60R1K7C,TMA7N50LF,TPV60R080M,TMD9N20LT,TSG12N06AT,TPC70R1K4C,TMU4N55C,TPY70R1K5MB,TPW65R170M,TPW110R500A,TMA6N50H,TPU80R1K5C,TMU2N50HT,TMS1N40HT,TMP16N65H,TTP55N12A,TPA80R180M,TPU60R1K8C,TPP65R280DFD,TMV20N65H,TSD10N06AT,TMD7N70H,TPW50R055D,TPD50R700C,TPB65R450CFD,TMV3N150H,TMZ1N60B,TMP2N50CT,TPC65R170M,TPW60R120MFD,TPB65R360M,TMW25N50H,TPP50R1K8C,TTG60N03QTC,TPA70R120M,TPP80R300CFD,TMC12N65H,TMD8N53HE,TTD110P03AT,TMZ1N60L,TMV20N60H,TMV11N90H,TMP50N
TSP20L45D沟槽MOS势垒肖特基整流器
描述- 本资料介绍了Trench MOS Barrier Schottky Rectifier（沟槽栅极肖特基整流器）的技术规格和应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低正向压降、低功率损耗和高效率运行等特点，适用于直流/直流转换器、交流/直流适配器、开关电源和续流二极管等领域。
型号- TSP20L45D
TSP5L45AF沟槽MOS势垒肖特基整流器
描述- 本资料介绍了TSP5L45AF肖特基整流器的主要特点和规格。该产品采用先进的沟槽技术，具有低正向压降、低功率损耗和高效率运行的特点。它符合无铅和无卤素的要求，适用于直流/直流转换器、交流/直流适配器、开关电源和续流二极管等领域。
型号- TSP5L45AF
TSP5S150B沟槽MOS势垒肖特基整流器
描述- 本资料介绍了TSP5S150B肖特基整流器的主要特性、电气参数和应用领域。该产品采用先进的沟槽技术，具有低正向压降、低功率损耗和高效率运行等特点，适用于直流/直流转换器、交流/直流适配器和开关电源等领域。
型号- TSP5S150B
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大功率步进电机的驱动是通过各相有节拍的通断电流来实现的，步进电机转速完全由脉冲频率决定。而功率MOSFET为压控器件，导通压降低、耐压高、导通电流大；导通速度快，且需求的驱动电流小，是步进电机驱动电路的优选器件。无锡紫光微电子有限公司研发生产的Trench MOS为量产产品，耐压VDS范围覆盖20-150V，ID电流范围2-260A（25℃），具有较低导通电阻RDS及导通电荷，可满足客户的选型需求
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型号- D13N45IA
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型号- GC11N65J,GC11N65K,GC11N65,GC11N65T,GC11N65F
LD30N45SKS9 45V沟槽MOS势垒肖特基VF 0.51V@30A，25℃
描述- 本资料介绍了LD30N45SKS9这款45V Trench MOS Barrier Schottky二极管。该器件采用 trench MOS技术，具有低正向压降、低漏电流和高效率等特点，适用于高频开关电源设计。
型号- LD30N45SKS9
TSP5L60B沟槽MOS势垒肖特基整流器
描述- 本资料介绍了TSP5L60B肖特基整流器的主要特性、最大额定值和电学特性。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低正向压降、低功率损耗和高效率运行等特点，适用于直流/直流转换器、交流/直流适配器和开关电源等领域。
型号- TSP5L60B
TSP5V100B沟槽MOS势垒肖特基整流器
描述- 本资料介绍了TSP5V100B肖特基整流器的技术规格和应用。该器件采用先进的沟槽栅极工艺，具有低正向压降、低功率损耗和高效率运行等特点，适用于直流/直流转换器、交流/直流适配器和开关电源等应用。
型号- TSP5V100B
TSR60L60PT沟槽MOS势垒肖特基整流器
描述- 本资料介绍了TSR60L60PT肖特基整流器的主要特点和规格。该器件采用先进的沟槽技术，具有低正向压降和低功率损耗的特点，适用于直流/直流转换器、交流/直流适配器和开关电源等应用。
型号- TSR60L60PT
TSP20V80SP沟槽MOS势垒肖特基整流器
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TSR60L60PTS沟槽MOS势垒肖特基整流器
描述- 本资料介绍了TSR60L60PTS肖特基整流器的主要特点和规格。该器件采用先进的沟槽技术，具有低正向压降和低功率损耗的特点，适用于直流/直流转换器、交流/直流适配器和开关电源等应用。
型号- TSR60L60PTS
TSR20V80D-S沟槽MOS势垒肖特基整流器
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型号- TSR20V80D-S
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