【产品】基于氮化镓的增强型功率晶体管,导通电阻低至1.15mΩ
EPC2023是EPC公司推出的一款基于氮化镓的增强型功率晶体管,氮化镓(GaN)具有极高的电子迁移率和低温度系数使得可提供非常低RDS(on),有利于支持大电流、高功率密度应用。而其横向器件结构和多数载流子二极管则可提供极低的总栅级电荷QG和零漏源恢复电荷QRR。
图1 EPC2023增强型氮化镓功率晶体管产品示意图
EPC公司推出的EPC2023氮化镓功率晶体管的漏源电压VDS为30V(连续),在TA = 25℃,RθJA=6°C/W测试条件下,漏电流为90A(连续),在25℃, TPULSE =300µs测试条件下,脉冲电流ID高达590A。栅源电压VGS在-4V到6V。此外,EPC2023氮化镓功率晶体管具有较宽的工作温度,即为-40—150 °C,可在极端的温度环境下稳定工作。
EPC公司推出的EPC2023氮化镓功率晶体管的漏源击穿电压最小为30V,漏源导通电阻RDS(on)典型值(VGS = 5 V, ID =40A)仅为1.15mΩ,极大提高了输出电流能力,降低导通损耗。EPC2023氮化镓功率晶体管的总栅级电荷QG典型值仅为19nC,漏源恢复电荷QRR为0 nC,有利于降低开关损耗,快速实现高频转换操作。
EPC的EPC2023氮化镓功率晶体管具有优越的热性能,允许在所有条件下的高功率工作。与机箱相连处的热阻抗RθJC仅为0.4℃/W,与板相连处的热阻抗RθJB仅为1.1℃/W,与环境相连处的热阻抗RθJA仅为42℃/W。同时,EPC2023氮化镓功率晶体管外形尺寸仅为6.05mm x 2.3mm,细小尺寸有利于更高功率密度的转换。此外,EPC2023氮化镓功率晶体管符合RoHS 认证标准,无铅且无卤素。
图2 EPC2023增强型氮化镓功率晶体管最大额定参数图
图3 TJ=25℃,EPC2023增强型氮化镓功率晶体管静态参数图
图4 TJ=25℃,EPC2023增强型氮化镓功率晶体管动态参数图
EPC2023增强型氮化镓功率晶体管主要特性:
• 漏源电压VDS为30V(连续)
• 漏电流ID为90A(连续,TA= 25℃,RθJA= 6℃/W)
• 漏电流ID为590A(脉冲,25℃,Tpulse= 300μs)
• 栅源电压VGS为-4V—6V
• 导通电阻RDS(on)典型值为1.15mΩ(VGS= 5V,ID=40A)
• 操作温度TJ为-40℃—150℃
• 输入电容 CISS典型值为2150pF(VDS = 15 VGS = 0V)
• 总栅级电荷QG典型值仅为19nC(VDS=15V,VGS=5V, ID=40A)
• 漏源恢复电荷QRR=0nC
• 与机箱相连处的热阻抗RθJC仅为0.4℃/W
• 符合RoHS认证标准
• 无铅且无卤素
EPC2023增强型氮化镓功率晶体管典型应用:
• 高频率DC-DC转换
• 负载点(POL)变换器
•马达驱动
•工业自动化
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西安石头哥 Lv7. 资深专家 2018-11-19牛气啊
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嘟嘟星魂 Lv8. 研究员 2018-11-14学习了
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tony92 Lv6. 高级专家 2018-11-12好东西
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用户62703030 Lv4. 资深工程师 2018-11-09不错
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
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型号- EPC2934C
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型号- EPC2065
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产品型号
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品类
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最大耐压(V)
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装(mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
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型号- EPC2023
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型号- EPC2100
电子商城
现货市场
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