【产品】采用SOP-8塑封封装的双P沟道MOS场效应管AP4953A，漏源电压为-20V

AP2301 P沟道MOS场效应管(AP2301 P-Channel Power MOSFET)

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FS3401S SOT-23 -30V P沟道增强型场效应管（FS3401S SOT-23 -30V P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor）

富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FS3401S是一款SOT-23封装的-30V P Channel Enhancement MOSFET场效应管。该产品具有高漏极电流、低导通电阻和良好的热性能，适用于各种电源管理、开关电源和电机驱动等应用。

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APM9435 P沟道功率MOSFET

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FSN4481S PDFN5X6-8L P 沟道增强型场效应管（FSN4481S PDFN5X6-8L P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor）

富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FSN4481S是一款沟道增强型MOS场效应管，具有低导通电阻和适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域的特性。

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CJAC30P10 P沟道功率MOSFET

该资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的CJAC30P10型P沟道功率MOSFET。该器件采用先进的槽栅技术设计，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备和电池供电系统等多种应用。

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DI035P04PT P沟道功率MOSFET

本资料介绍了DI035P04PT型P沟道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、封装尺寸等。产品适用于电源管理、电池供电设备、负载开关和极性保护等应用。

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FS6P03F SOT-89 P沟道增强型场效应管(FS6P03F SOT-89 P Channel Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)

FS6P03F是一款沟道增强型MOS场效应管，具有低导通电阻特点，适用于负载开关、DC-DC转换和电源管理等应用。

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BRCS350P04SC数据表

本资料为BRCS350P04SC数据手册，详细介绍了该产品的特性、参数和应用领域。BRCS350P04SC是一款SOP-8封装的P沟道增强型MOS场效应管，适用于电源管理、便携式设备和电池供电系统。

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FS6P03 SOT-23-3L P沟道沟道增强型MOS场效应晶体管

该资料介绍了安徽富信半导体科技有限公司生产的FS6P03沟道增强型MOS场效应管。该器件具有低导通电阻，适用于负载开关、DC-DC升压转换和电源管理等应用。

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FS6P03 SOT-23-3L P场效应管沟道增强型(FS6P03 SOT-23-3L P Channel Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)

FS6P03是一款沟道增强型MOS场效应管，具有低导通电阻特点，适用于负载开关、DC-DC转换和电源管理等领域。

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FS10P10F SOT-89-3L -100V P 沟道增强型场效应管(FS10P10F SOT-89-3L -100V P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)

本资料介绍了富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FS10P10F沟道增强型MOS场效应管。该产品具有高漏极源极电压、低导通电阻等特点，适用于各种电路设计和电源管理应用。

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