【产品】SMD无铅封装的单片式FET，插入损耗典型值仅1.3dB

时间： 2018-04-02 来源：UMS

技术问答

CHS5104-FAA是UMS公司推出的一款基于反射开关的单片式FET，其电路采用pHEMT工艺制造，且应用无引脚表面贴装密封金属陶瓷6x6mm²封装，栅极长度为0.25μm，符合RoHS标准。它可以广泛的适用于从太空、军用到商用通信系统等应用。

CHS5104-FAA拥有良好的电气特性，其频率范围在DC-6GHz，打开状态插入损耗典型值为1.3dB@ 6GHz，关断状态隔离度典型值为30dB@ 4GHz，通态回波损耗典型值为10dB@ 4GHz，输入功率典型值为30dBm@ 1dB增益压缩（VL=-5V/VH=0V），拥有较低的损耗及较高的传输效率。器件存储温度范围-55℃~+150℃，操作温度范围在-55℃~+125℃，操作结温最大值为175℃，能够适应较为恶劣的工业环境。

CHS5104-FAA的高水平控制电压VH最大值为0.8V，低水平控制电压VL最大值为-10mA，最大峰值输入功率过载为37dBm。此外，器件采用SMD无铅封装的GaAs单片微波集成电路，是一款DC-6GHz反射式SPDT。

CHS5104-FAA的主要特点：

•宽带性能：DC-6GHz

•低插入损耗：0.6dB @ 2GHz、1.0dB @ 4GHz、1.3dB @ 6GHz

•隔离度：典型值30dB @ 4GHz

•SMD无铅封装

•通态回波损耗典型值为10dB@ 4GHz

•输入功率典型值为30dBm@ 1dB增益压缩（VL=-5V/VH=0V）

•存储温度范围-55℃~+150℃

•操作温度范围在-55℃~+125℃

•操作结温最大值为175℃

•符合RoHS标准

CHS5104-FAA的主要应用：

•雷达

•移动通信设备

•无线电充电

•宽带放大器

图一：CHS5104-FAA的样品示意图及连接电路图

图二：CHS5104-FAA的频率特性曲线

图三：CHS5104-FAA的直流原理图

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全部评论（1）

TAO Lv7. 资深专家 2018-04-02

学习了

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选型指南 - 海威华芯 - V5 - 2021年9月 PDF 中文下载

【应用】UMS下变频器CHR3662-QDG为Ku频段卫星通信提供解决方案，转换增益典型值为14dB

针对Ku频段卫星通信系统设计，本文推荐采用UMS公司的CHR3662-QDG下变频器解决方案，采用0.25µm pHEMT制造工艺，内部集成了FET混频器、LO缓冲器以及包含增益控制的LNA，RF频率范围7GHz~16GHz，LO频率范围4.5GHz~19.5GHz，IF频率范围DC~3.5GHz，符合Ku频段卫星通信系统的频率设计要求。

应用方案发布时间 : 2019-06-21

CHS5104-FAA: A DC-6GHz Reflective SPDT Switch in a 6x6mm2 SMD Ceramic Hermetic Package with Space Requirements

The CHS5104-FAA is a DC-6GHz reflective SPDT switch in a 6x6mm2 SMD ceramic hermetic package compatible with space requirements. It features an input P1dB of 30dBm and a low insertion loss of 0.6dB@2GHz, 1dB@4GHz, and 1.3dB@6GHz.

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CHS5104-FAA DC-6GHz Reflective SPDT GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package

型号- CHS5104-FAA,CHS5104-FAA/XY,CHS5104-FAA/24

数据手册 - UMS - 11 Jan 19 PDF 英文下载查看更多版本

DC-6GHz Reflective SPDT GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package CHS5104-FAA

型号- CHS5104-FAA,CHS5104-FAA/24

数据手册 - UMS - 27 Feb 18 PDF 英文下载

【应用】频带范围DC~12GHz、开关时间20ns的反射式SPDT开关CHS7012-99F，用于X波段卫星通信

针对X波段卫星通信中的SPDT开关，本文推荐UMS公司推出的一款基于单片FET的反射式SPDT开关CHS7012-99F，频带范围宽至DC~12GHz，插入损耗低至1.4dB，关闭状态隔离度高达35dB，开关时间典型值仅为20ns，在1dB增益压缩下输入功率可达40.5dBm，控制电压典型值仅为-25V/0V，采用GaN/SiC pHEMT工艺制造，非常适合用于X波段卫星通信。

应用方案发布时间 : 2019-08-13

UMS CHS5104-FAA 单片微波IC数据手册

型号- CHS5104-FAA,CHS5104-FAA/24

数据手册 - UMS - Ref. : DSCHS5104-FAA8058 - 2018年2月18号 PDF 英文下载

【应用】输入功率30dBm，RF带宽为DC~6GHz的反射式SPDT开关，助力S波段卫星通信系统

针对S波段卫星通信系统中SPDT开关的选取，UMS推出的基于FET的反射式SPDT开关——CHS5104-FAA，RF带宽为DC~6GHz，符合S波段的要求，并且具备低插入损耗优势（可低至0.6dB），在1dB增益压缩的条件下，输入功率的典型值为30dBm，开关时间为10ns（典型值），在关闭状态下的隔离度可达30dB，具备出色的开关性能。

应用方案发布时间 : 2019-07-31

【产品】单刀双掷反射开关带宽高达6GHz，助力太空环境高频应用

UMS发布了一款气密性封装的单刀双掷（SPDT）反射开关CHS5104-FAA，广泛的应用在太空、军事、商业通信系统等领域。

新产品发布时间 : 2018-04-29

【应用】增益高达14dB的中功率放大器CHA3023-99F，助力L波段卫星通信系统设计

针对L波段卫星通信系统中的中功率放大器，本文推荐采用UMS公司推出的一款单片GaAs中功率放大器CHA3023-99F，采用共源共栅FET，频带范围宽至1GHz~18GHz，增益可高达14dB，增益平坦度可为±0.7dB，噪声系数典型值可低至3dB，采用pHEMT工艺制造，工作温度范围为-40℃~+85℃，存储温度范围为-55℃~+125℃，非常适合用于L波段卫星通信。

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UMS推出的CHR3894-98F是一款工作频率为37-40GHz的多功能单芯片接收器，集成了平衡COLD FET混频器，带有与时间二倍频器相关的缓冲器的LO链，以及包括增益控制的RF低噪声放大器。产品电路采用pHEMT工艺制造，栅极长度为0.15μm，通孔穿过基板，空气桥和电子束栅极光刻。CHR3894-98F以芯片形式提供，芯片尺寸为2.6x2.7x0.1mm，军事和商业通信系统。

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