【产品】SMD无铅封装的单片式FET，插入损耗典型值仅1.3dB
CHS5104-FAA是UMS公司推出的一款基于反射开关的单片式FET，其电路采用pHEMT工艺制造，且应用无引脚表面贴装密封金属陶瓷6x6mm²封装，栅极长度为0.25μm，符合RoHS标准。它可以广泛的适用于从太空、军用到商用通信系统等应用。
CHS5104-FAA拥有良好的电气特性，其频率范围在DC-6GHz，打开状态插入损耗典型值为1.3dB@ 6GHz，关断状态隔离度典型值为30dB@ 4GHz，通态回波损耗典型值为10dB@ 4GHz，输入功率典型值为30dBm@ 1dB增益压缩（VL=-5V/VH=0V），拥有较低的损耗及较高的传输效率。器件存储温度范围-55℃~+150℃，操作温度范围在-55℃~+125℃，操作结温最大值为175℃，能够适应较为恶劣的工业环境。
CHS5104-FAA的高水平控制电压VH最大值为0.8V，低水平控制电压VL最大值为-10mA，最大峰值输入功率过载为37dBm。此外，器件采用SMD无铅封装的GaAs单片微波集成电路，是一款DC-6GHz反射式SPDT。
CHS5104-FAA的主要特点：
•宽带性能：DC-6GHz
•低插入损耗：0.6dB @ 2GHz、1.0dB @ 4GHz、1.3dB @ 6GHz
•隔离度：典型值30dB @ 4GHz
•SMD无铅封装
•通态回波损耗典型值为10dB@ 4GHz
•输入功率典型值为30dBm@ 1dB增益压缩（VL=-5V/VH=0V）
•存储温度范围-55℃~+150℃
•操作温度范围在-55℃~+125℃
•操作结温最大值为175℃
•符合RoHS标准
CHS5104-FAA的主要应用：
•雷达
•移动通信设备
•无线电充电
•宽带放大器
图一：CHS5104-FAA的样品示意图及连接电路图
图二：CHS5104-FAA的频率特性曲线
图三：CHS5104-FAA的直流原理图
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服务
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