【产品】SMD无铅封装的单片式FET,插入损耗典型值仅1.3dB

2018-04-02 UMS
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CHS5104-FAAUMS公司推出的一款基于反射开关的单片式FET,其电路采用pHEMT工艺制造,且应用无引脚表面贴装密封金属陶瓷6x6mm²封装,栅极长度为0.25μm,符合RoHS标准。它可以广泛的适用于从太空、军用到商用通信系统等应用。


CHS5104-FAA拥有良好的电气特性,其频率范围在DC-6GHz,打开状态插入损耗典型值为1.3dB@ 6GHz,关断状态隔离度典型值为30dB@ 4GHz,通态回波损耗典型值为10dB@ 4GHz,输入功率典型值为30dBm@ 1dB增益压缩(VL=-5V/VH=0V),拥有较低的损耗及较高的传输效率。器件存储温度范围-55℃~+150℃,操作温度范围在-55℃~+125℃,操作结温最大值为175℃,能够适应较为恶劣的工业环境。


CHS5104-FAA的高水平控制电压VH最大值为0.8V,低水平控制电压VL最大值为-10mA,最大峰值输入功率过载为37dBm。此外,器件采用SMD无铅封装的GaAs单片微波集成电路,是一款DC-6GHz反射式SPDT。


CHS5104-FAA的主要特点:

•宽带性能:DC-6GHz

•低插入损耗:0.6dB @ 2GHz、1.0dB @ 4GHz、1.3dB @ 6GHz

•隔离度:典型值30dB @ 4GHz

•SMD无铅封装

•通态回波损耗典型值为10dB@ 4GHz

•输入功率典型值为30dBm@ 1dB增益压缩(VL=-5V/VH=0V)

•存储温度范围-55℃~+150℃

•操作温度范围在-55℃~+125℃

•操作结温最大值为175℃

•符合RoHS标准


CHS5104-FAA的主要应用:

•雷达

•移动通信设备

•无线电充电

•宽带放大器


图一:CHS5104-FAA的样品示意图及连接电路图


图二:CHS5104-FAA的频率特性曲线


图三:CHS5104-FAA的直流原理图

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  • TAO Lv7. 资深专家 2018-04-02
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2021年9月  - 海威华芯  - 选型指南  - V5

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