【产品】SMD无铅封装的单片式FET,插入损耗典型值仅1.3dB
CHS5104-FAA是UMS公司推出的一款基于反射开关的单片式FET,其电路采用pHEMT工艺制造,且应用无引脚表面贴装密封金属陶瓷6x6mm²封装,栅极长度为0.25μm,符合RoHS标准。它可以广泛的适用于从太空、军用到商用通信系统等应用。
CHS5104-FAA拥有良好的电气特性,其频率范围在DC-6GHz,打开状态插入损耗典型值为1.3dB@ 6GHz,关断状态隔离度典型值为30dB@ 4GHz,通态回波损耗典型值为10dB@ 4GHz,输入功率典型值为30dBm@ 1dB增益压缩(VL=-5V/VH=0V),拥有较低的损耗及较高的传输效率。器件存储温度范围-55℃~+150℃,操作温度范围在-55℃~+125℃,操作结温最大值为175℃,能够适应较为恶劣的工业环境。
CHS5104-FAA的高水平控制电压VH最大值为0.8V,低水平控制电压VL最大值为-10mA,最大峰值输入功率过载为37dBm。此外,器件采用SMD无铅封装的GaAs单片微波集成电路,是一款DC-6GHz反射式SPDT。
CHS5104-FAA的主要特点:
•宽带性能:DC-6GHz
•低插入损耗:0.6dB @ 2GHz、1.0dB @ 4GHz、1.3dB @ 6GHz
•隔离度:典型值30dB @ 4GHz
•SMD无铅封装
•通态回波损耗典型值为10dB@ 4GHz
•输入功率典型值为30dBm@ 1dB增益压缩(VL=-5V/VH=0V)
•存储温度范围-55℃~+150℃
•操作温度范围在-55℃~+125℃
•操作结温最大值为175℃
•符合RoHS标准
CHS5104-FAA的主要应用:
•雷达
•移动通信设备
•无线电充电
•宽带放大器
图一:CHS5104-FAA的样品示意图及连接电路图
图二:CHS5104-FAA的频率特性曲线
图三:CHS5104-FAA的直流原理图
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CHS5104-FAA: A DC-6GHz Reflective SPDT Switch in a 6x6mm2 SMD Ceramic Hermetic Package with Space Requirements
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电子商城
品牌:UMS
品类:GaAs Monolithic Microwave IC
价格:¥169.1086
现货: 1,503
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可定制OGS一片式电容屏,G+G电容屏,G+F电容屏,G+F+F电容屏,尺寸范围:1”~21”,单层产品厚度:0.55mm~2mm,可按客户要求在产品上附加防反射,防指纹,多色丝印,钻孔磨边,2.5D导圆角等工艺。
最小起订量: 1000 提交需求>
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