低开通损耗碳化硅MOSFET LSIC1MO120E0080在光伏直流侧升压应用
光伏电站并网认证中对于系统效率有比较严格要求,这就要求光伏逆变器在设计中要考虑器件损耗。很多工程师会选择在BOOST部分选择碳化硅MOSFET来提高开关频率减小系统损耗。本文将介绍Littelfuse公司的1200V 80mΩ SiC MOSFET,从器件损耗方面详细说明优势。
为什么需要Boost升压电路?
图1 并网光伏逆变器系统框图
逆变电路需要能够正常工作,直流母线必须高于电网电压峰值(三相系统高于线电压峰值),使得功率能够向电网正向输出,通常为了效率,直流母线一般随电网电压的变化而变化,保证其高于电网。
图2 碳化硅MOSFET LSIC1MO120E0080在BOOST应用
目前碳化硅MOSFET厂家较多,对比各个厂家MOS损耗:
图3 1200V 80mΩ碳化硅MOSFET 各家性能对比
图4 高温150℃条件下Rds(on)对比
从上图对比可以看出:
1、Littelfuse 碳化硅MOSFET LSIC1MO120E0080开通损耗最低,关断损耗稍高于CREE,整体来看器件开关损耗最低;
2、从高温条件下Rds(on)对比来看,LSIC1MO120E0080 105mΩ为最低,高温条件下器件开通损耗最低,使得系统损耗更低更安全。
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