低开通损耗碳化硅MOSFET LSIC1MO120E0080在光伏直流侧升压应用

时间： 2019-03-01 来源：世强

光伏电站并网认证中对于系统效率有比较严格要求，这就要求光伏逆变器在设计中要考虑器件损耗。很多工程师会选择在BOOST部分选择碳化硅MOSFET来提高开关频率减小系统损耗。本文将介绍Littelfuse公司的1200V 80mΩ SiC MOSFET，从器件损耗方面详细说明优势。

为什么需要Boost升压电路?

图1 并网光伏逆变器系统框图

逆变电路需要能够正常工作，直流母线必须高于电网电压峰值(三相系统高于线电压峰值)，使得功率能够向电网正向输出，通常为了效率，直流母线一般随电网电压的变化而变化，保证其高于电网。

图2 碳化硅MOSFET LSIC1MO120E0080在BOOST应用

目前碳化硅MOSFET厂家较多，对比各个厂家MOS损耗：

图3 1200V 80mΩ碳化硅MOSFET 各家性能对比

图4 高温150℃条件下Rds(on)对比

从上图对比可以看出：

1、Littelfuse 碳化硅MOSFET LSIC1MO120E0080开通损耗最低，关断损耗稍高于CREE，整体来看器件开关损耗最低；

2、从高温条件下Rds(on)对比来看，LSIC1MO120E0080 105mΩ为最低，高温条件下器件开通损耗最低，使得系统损耗更低更安全。

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志成 Lv7. 资深专家 2019-03-01

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