【产品】武汉芯源推出N沟道超结功率MOSFET，漏源导通电阻仅150mΩ，经过100%雪崩测试
武汉芯源的SJ MOSFET是一种先进的高压功率MOSFET技术，由P&S根据超结原理设计而成。武汉芯源N沟道超结功率MOSFET CWS60R150A集成了MOSFET快速开关和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑、更轻便的高性能适配器等应用。
绝对最大额定值方面，在TC=25℃时，CWS60R150A的连续漏极电流达24A；在VGS=0V，TJ=25℃时，漏-源电压达600V；在VGS=10V, ID=12A时，最大漏源导通电阻150mΩ。
封装及引脚如下图所示
产品特点
• 由于具有非常低的Rdson*Qg，其损耗极低
• 卓越的雪崩增强技术
• 快速开关能力
• 100%雪崩测试
• 采用无铅电镀引线；符合ROHS标准
应用
• 功率因数校正（PFC）
• 开关电源（SMPS）
• 不间断电源（UPS）
• 高性能适配器
• LED照明电源
绝对最大额定值
（ Tj=25℃，除非另有说明）
Note 1. 受最高结温限制；
Note 2. 脉冲宽度受最高结温限制；
Note 3. IAS=12A，VDD=50V，RG=25Ω，开始时TJ=25°C。
热特性
电气特性
（ Tj=25°C，除非另有说明）
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