国基南方精彩亮相上海慕尼黑电子展，展现新能源汽车用SiC器件和功率模块等核心芯片和关键元器件最新发展成果

森未科技IGBT功率模块SF450R12D6顺利通过整车测试，驶入市场应用的“快车道”！

森未科技开发的SF450R12D6采用森未科技D类封装形式1200V 450A模块，其中每个IGBT单元均由三颗独立的1200V150A芯片组成，优良的均流特性保证了模块在恶劣的工况下稳定运行。

展会回顾 | 扬杰科技2024PCIM Asia圆满收官，赋能汽车高效和可再生能源

PCIM Asia展会上，扬杰科技展示了其在IGBT、SiC和模块系列的新产品，这些产品主要服务于新能源汽车、可再生能源等领域。扬杰科技承诺将继续以技术创新为核心，推出高品质产品，成为功率半导体行业的领导者。扬杰电子科技股份有限公司是一家提供一站式半导体分立器件解决方案的IDM厂商，产品广泛应用于多个行业。

清华大学电子系党委书记看望昕感科技，期待未来在集成电路领域的合作交流

2024年7月17日下午，清华大学电子系党委书记沈渊带队前往无锡江阴调研北京昕感科技有限责任公司在江阴特色工艺晶圆厂，集成电路学院校友、董事长王哲参与考察接待并进行交流座谈。昕感科技期待未来更多与清华大学在集成电路领域的合作交流。

碳化硅：第三代半导体材料的性能优势与应用前景

经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体，半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

新能源汽车碳化硅800V平台架构优势及实现方式解析

受限于硅基IGBT的工作频率和偏大的元件尺寸，目前大部分新能源车产品采用的是400V平台。随着碳化硅半导体技术的发展，越来越多车企打造出基于碳化硅的800V甚至更高的高压平台。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。2015年，SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造，并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件，可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。

【元件】新品速递！铭普光磁推出19英寸模块化储能系统，最大输出功率5760W，助力5G基站节费

mentech铭普光磁模块化储能系统通过模块化设计、支持多种电池接入以及实时监控功能，助力运营商提升能效，实现绿色能源的可持续发展。铭普光磁多年来致力于通信网络能源领域的研究，成功研发出了模块化储能系统，该系统把双向DC/DC变换部分做成模块，DC/DC变换模块和储能电池模块为两个独立的部分。

车规级SiC功率模块封装技术及其发展趋势

当前车规级功率器件的封装设计朝着高功率密度、 高工作效率、低热阻、低寄生参数、高绝缘能力和高集成度等方向发展，分析各封装设计手段对器件特性的影响，寻求针对特定需求的电学、热学和机 械等特征参数的最佳平衡，以满足不同应用场景， 适应高标准的发展需求，从不同角度综合考虑，达到多维度优化的最佳效果。本文阿基米德半导体来给大家分享车规级SiC功率模块封装技术及其发展趋势。

【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12，封装一次铸造成型，为高速发展的新能源汽车注入动力

深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12，旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时，提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期，给高速发展的新能源汽车注入动力。