【经验】以SCT3040KL/R为例说明To-247-4L封装SiC MOSFET相对于3L封装产品性能更优
TO-247系列的SiC MOSFET的4L封装是在3L封装上对源极进行优化的产品。ROHM的SCT3040KL和SCT3040KR分别是3L和4L的SiC MOSFET。本文以这两个产品为例，从应用电路图和开关测试波形图进行分析，比较4L封装的产品在性能上更优于3L产品。
ROHM的SCT3040KL和SCT3040KR，主要的区别就是结构的3L和4L差异以及结构带来的相关差异。
1：4L封装相对于3L封装，让驱动设计更加简易，且消除了栅极驱动回路中源极的封装电感Lsource部分，缩短驱动路径，减小杂散参数，加强驱动设计的可靠性。
图1：3L和4L应用原理
2：图2是同样条件下，SCT3040KL（3L）和SCT3040KR（4L）的开关波形测试。红色曲线是SCT3040KR的波形，蓝色曲线是SCT3040KL波形。从波形可以看出，4L封装明显的优化了产品ON时的di/dt和dv/dt的特性。OFF时di/dt是更快的，但是dv/dt几乎相同，可通过调节门极电阻调节关断的di/dt参数。
图2：开关波形测试
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