瞻芯电子首款第二代SiC MOSFET IV2Q12040T4Z通过车规级认证，正式开启量产交付
瞻芯电子依托自建的碳化硅（SiC）晶圆产线，开发了第二代碳化硅（SiC）MOSFET产品，其中IV2Q12040T4Z（1200V 40mΩ SiC MOSFET）于近日获得了AEC-Q101车规级可靠性认证证书，而且通过了新能源行业头部企业的导入测试，正式开启量产交付。
这不仅验证了瞻芯电子第二代SiC MOSFET工艺平台的可靠性，也为后续即将量产的其他SiC MOSFET产品奠定了坚实基础，同时也标志着瞻芯电子碳化硅晶圆厂迈进新的阶段。
产品特性
瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压（Vgs）为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。同时，第二代SiC MOSFET产品依然保持高可靠性与强鲁棒性，在AEC-Q101车规可靠性认证、短路测试、浪涌测试中等评估中表现优良。
此外，瞻芯电子将在2023年陆续推出更多规格类型的第二代SiC MOSFET，耐压等级包括650V/750V/1200V/1700V，导通电阻覆盖14mΩ-50Ω，并且大都采用车规级标准设计，如下：
IV2Q12040T4Z是一款车规级1200V 40mΩ SiC MOSFET产品，导通电流Ids=65A（Tc=25℃），可耐受工作结温高达175℃，在对比同类产品测试中，其比导通电阻较低，开关损耗与寄生电容更小，适用于更高开关频率。
备注：所有数据均由瞻芯电子通过同一双脉冲测试平台实测所得。
●Eon/Eoff测试条件为VDS=800V，IDS=30A
●在25℃调整Rg_on和Rg_off，使dV/dt和di/dt达到目标值；175℃下Rg不变
备注：所有数据均由瞻芯电子通过同一双脉冲测试平台实测所得
●反向恢复测试条件为VDS=800V，IDS=30A
●在25℃调整Rg使di/dt达到目标值；175℃下Rg不变
IV2Q12040T4Z的可靠性与鲁棒性也表现不俗，能通过严苛的车规级可靠性认证（AEC-Q101标准，包括100% Vds HTRB、HV-H3TRB等加严项目）。
IV2Q12040T4Z在短路测试中，可耐受500A峰值脉冲电压，短路时间大于3μS，波形图如下：
IV2Q12040T4Z在单次10ms浪涌电流测试中，可耐受峰值电流高达214A，波形图如下：
IV2Q12040T4Z采用T0247-4封装，具备开尔文源极引脚，能减小主回路对驱动信号的影响，因此更适合高功率、高频率、高效率的应用场景。
典型应用
1、电机驱动
2、光伏逆变器、储能
3、车载直流变换器（DC-DC）
4、车载空压机驱动
5、开关电源
6、充电桩
7、特种工业电源
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产品型号
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品类
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Qualification
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VDS（V）
|
RDS(ON) （mΩ）
|
ID（TC=25°C）（A）
|
VTH（ TJ =25°C）（V）
|
VTH（ TJ =175°C）（V）
|
Qg（nC）
|
Operating Junction Temperature（°C）
|
Package
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|
IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
|
汽车级
|
650V
|
25mΩ
|
99A
|
2.8V
|
2.0V
|
125.0nC
|
-55°C to 175°C
|
TO247-4
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
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