【产品】高性能双引脚同步整流芯片DK5V45R20ST1，内部集成45V、20mΩ功率NMOS管
东科半导体推出的高性能双引脚同步整流芯片DK5V45R20ST1是一款简单高效率的同步整流芯片，只有A，K两个引脚，分别对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了45V功率NMOS管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管。
DK5V45R20ST1采用TO-220F封装。
产品封装图（引出端排列）
主要特点
●适用于反激PSR、SSR应用
●超低VF
●超低温升
●集成45V20mΩ功率NMOS
●可工作于CCM、DCM&QR模式
●自供电技术，无需外围供电
●智能检测系统，无需前端同步信号
●对EMI/C有适当改善
●可以直接替换肖特基二极管
●无需任何外围
典型应用
●USB充电器
●适配器
●LED驱动等
引出端功能
典型功率
备注：
典型功率在密闭环境45℃环境下测试，DK5V45R20ST1系统输出额定电流建议不超过3A.
电路结构方框图
极限参数
电特性参数
（TA=25℃除非有其他说明）
备注：①．规格书中电压均以A点为参考点；
②．同步整流芯片会依据K点波动自动调整死区时间；
功能描述
DK5V45R20ST1是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片，无需任何外围，可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗，提高整机效率。
1.启动
芯片内置储能电容和自供电线路，可以实现芯片和NMOS管驱动需求，无需外接电源。当K极电压高于A极时，通过自供电线路，给内置VCC电容充电，VCC电压逐渐上升。在VCC电压低于启动电压VCC_ON时，内置NMOS管关闭，当VCC电压大于VCC_ON时，芯片内部控制电路开始工作，启动完成。当VCC电压降低到欠压保护阈值VCC_OFF以下时，芯片重启。
2.NMOS控制
当检测到A、K端正向导通电压大于开通电压VON时，则打开NMOS管；芯片实时检测K点电压变化，依据K点电压变化，判断系统工作模式。在CCM模式时，通过智能算法算出当前周期NMOS管开通时间TON，当NMOS管开通时间达到TON，关闭NMOS管。在非CCM模式时，当检测到流过功率MOS管的电流逐渐减小到0时，则关闭功率MOS管。
3.RC吸收电路
在启动、输出短路、输入电压过高，CCM模式等容易在二极管体产生尖峰电压，为防止内置NMOS管过压击穿，可以在A和K之间接入RC吸收电路，以减小K点的尖峰电压。
4.NMOS导通内阻
由于NMOS管的本身存在的特性。在工作过程中，随着温度升高，内阻值会增大，效率会降低。可适当的增加散热面积，降低IC的工作温度。
5.注意事项
●应用中需要测量同步芯片的耐压，确保同步整流芯片工作最高电压低于同步芯片NMOS源漏耐压；
●应用中需要测量同步芯片的温度，评估产品工作环境最高温度下是否超过工作结温。
典型应用线路图
1.正向整流
2.反向整流
封装外形及尺寸图：TO-220F
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