【产品】采用SOT-26表贴封装的CMXD6001硅开关二极管，外延平面工艺制造，超低反向电流仅为500pA

时间： 2018-11-24 来源：Central Semiconductor

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Central Semiconductor（简称Central）公司是美国的分立半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的一款SUPERmini系列硅开关二极管——CMXD6001，其由三个隔离的高压硅开关二极管组成。其通过外延平面工艺制造，并采用SOT-26表贴封装，超低的泄露。其具体实物图如图1所示。

图1.CMXD6001硅开关二极管的实物图

CMXD6001硅开关二极管的峰值重复反向电压VRRM为100V，反向连续电压VR为75V，具有较高的反向耐压能力，连续正向电流IF为250mA。CMXD6001具有低反向电流，其最大值为IR=500pA（VR=75V），功率损耗PD为350mW，漏电流所造成的危害较小，从而能够较好地保护芯片不受损坏。CMXD6001还具有较低的正向压降，当正向电流IF为1.0mA时，正向压降VF的最大值仅为0.85V，在IF=10mA，TA=25°C的条件下，正向压降VF的最大值仅为0.95V。

CMXD6001硅开关二极管的峰值正向浪涌电流IFSM为4.0A（tp=1.0us），峰值正向浪涌电流IFSM为1.0A（tp=1.0s），具备较强的抗浪涌冲击能力。峰值重复正向电流IFRM为250mA，结壳热阻为357°C/W，结电容的典型值为2.0pF(VR=0V, f=1.0MHz)。工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的环境条件下也可正常工作，这提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。其开关速度较快，trr最大仅为3.0us，可实现开关的快速切换。其封装尺寸和引脚定义图如图2所示。

图2.CMXD6001硅开关二极管封装尺寸和引脚定义图

CMXD6001硅开关二极管的主要特性：

•重复峰值反向电压VRRM为100V

•正向浪涌电流能力（tp=10.us）IFSM为4.0A

•开关速度trr最大仅为3.0us

•工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃

•结壳热阻ΘJA为357°C/W

•功率损耗PD为350mW

•连续正向电流IF为250mA（TA=25°C）

•结电容的典型值为2.0pF(VR=0V, f=1.0MHz)

•表面安装
•超低泄漏IR=500pA（VR=75V）

CMXD6001硅开关二极管的主要运用领域：

•通信设备

•消费电子

•电力电子功率器件

•电力电子功率模块

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