【产品】采用DFN5060-8L封装的40V/70A N沟道增强型MOSFET PJQ5444-AU
PANJIT（强茂）推出了PJQ5444-AU为N沟道增强型MOSFET。采用DFN5060-8L封装，其中漏-源电压最大额定值为40V，连续漏极电流最大额定值为70A。
图1 封装图
PJQ5444-AU特性：
RDS(ON), VGS@10V, ID@20A<6.5mΩ
RDS(ON), VGS@4.5V, ID@10A<9mΩ
开关速度快
改进的dv/dt能力
符合AEC-Q101标准
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC61249标准
PJQ5444-AU机械参数：
外壳：DFN5060-8L封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.0028盎司，0.08克
PJQ5444-AU最大额定值和热特性：
PJQ5444-AU电气特性：
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现货市场
品牌：PANJIT
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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