【产品】双工器RSFD1702C支持LTE Band3，采用MEMS工艺，插入损耗典型值低至1.5dB
诺思（ROFS）作为国内领先的射频器件供应商，以多年积淀的MEMS工艺和专业射频前端滤波器设计技术，持续为通讯行业客户提供射频前端解决方案。诺思利用FBAR滤波技术能够解决业界最具挑战性的LTE系统问题。诺思推出了采用全新升级工艺FBAR技术、新一代Band3 FBAR双工器RSFD1702C。
Band3 FBAR双工器RSFD1702C和功能框图
产品描述：
RSFD1702C是一款高性能双工器，用于LTE Band3 (1710 -1785 MHz UL,1805-1880MHz DL)的应用。RSFD1702C采用薄膜体声波谐振器(FBAR)技术设计，提供高Q值滤波器，满足低插入损耗、高带外衰减、高功率和高线性度要求。RSFD1702C采用CSP封装技术将滤波器组装成一个模压片上模块，尺寸为1.8mmx1.4mm，高度为0.61mm。
产品特性：
超小尺寸
1.8mmx1.4mmx0.61mm
低插入损耗
TX band,1710-1785MHz:1.5dB Typ.
RX band,1805-1880MHz:1.8dB Typ.
高隔离度
TX 隔离度: 60dB Typ
RX 隔离度: 58dB Typ.
输入功率
+29dBm CW for 5000h@+55deg.C
ESD防护能力：HBM 1C级
湿敏等级：MSL3
单端(SE)50欧姆接收&发射端口
储存温度：-40℃~+85℃
完全符合RoHS要求
无铅(Pb free)
电气特性：
订货信息：
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