【产品】600V/±11A/124W的N沟道功率MOSFET R6011END3，易于并联使用
罗姆(ROHM)推出的一款N沟道功率MOSFET R6011END3，漏源电压额定值为600V，连续漏极电流最大±11A，静态漏源导通电阻最大值仅为390mΩ，可使MOSFET在电路中自身损耗更低。产品为无铅电镀产品，符合RoHS标准，易于并联使用，具有低导通电阻和低辐射噪声的特点，是开关应用领域的优秀选择。其产品图及最大额定值如下。
图1 R6011END3功率MOSFET产品图及内部电路图
表1 R6011END3功率MOSFET最大额定值
此外，产品导通延迟时间td（on)典型值为25ns，上升时间tr典型值为40ns，关断延迟时间td（off)典型值为90ns，下降时间tf典型值为35ns。该MOSFET最大结壳热阻为1.0℃/W，工作结温和存储温度为-55℃~+150℃，能够满足工业需求的环境温度。
R6011END3功率MOSFET产品特性：
低导通电阻
低辐射噪声
可轻松驱动电路
并联使用方便
无铅电镀；符合RoHS标准
R6011END3功率MOSFET应用领域：
开关类应用
R6011END3功率MOSFET订购信息：
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