【产品】700V/15A N沟道超结功率MOSFET RM15N700TI、RM15N700T2、RM15N700HD

时间： 2019-10-22 来源：丽正国际

技术问答

丽正国际推出的N沟道超结功率MOSFET RM15N700TI、RM15N700T2、RM15N700HD，该产品采用先进的沟槽栅极超结技术，具有超低导通电阻和低栅极电荷，该产品适用于具有PFC功能的AD-DC SMPS，AC/DC电源转换器和工业电力供应系统中。

参数最大额定值如下：

漏极-源极电压为700V，栅极-源极电压为±30V，漏极连续电流为15A(T_C=25℃)和10A(T_C=100℃)，漏极脉冲电流为60A，工作和存储温度范围为-55℃ ~ +150℃。

其它参数：

输入电容典型值1210pF，输出电容典型值为74pF，反向传输电容典型值0.2pF；

导通延时典型值为15ns，上升时间典型值为10ns，关断延时典型值为57ns，下降时间典型值为9ns；

总栅极电荷为24.7nC，栅-源电荷为8.2nC，栅-漏电荷为8.5nC。

主要特征：

采用新技术设计的高电压元件；

低导通电阻和低导通损耗；

小封装；

超低栅极电荷，更低的驱动要求；

通过100%雪崩测试；

ROHS认证；

不含卤素材料

应用领域：

功率因数校正

开关电源

不间断电源

下图1为产品元件符号与和外形图。

图1 产品外形和电路符号

包装信息如下图2所示：

图2 包装信息

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桃梅 Lv7. 资深专家 2019-10-23

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Sky Lv7. 资深专家 2019-10-23

学习了

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