【产品】700V/15A N沟道超结功率MOSFET RM15N700TI、RM15N700T2、RM15N700HD
丽正国际推出的N沟道超结功率MOSFET RM15N700TI、RM15N700T2、RM15N700HD，该产品采用先进的沟槽栅极超结技术，具有超低导通电阻和低栅极电荷，该产品适用于具有PFC功能的AD-DC SMPS，AC/DC电源转换器和工业电力供应系统中。
参数最大额定值如下：
漏极-源极电压为700V，栅极-源极电压为±30V，漏极连续电流为15A(TC=25℃)和10A(TC=100℃)，漏极脉冲电流为60A，工作和存储温度范围为-55℃ ~ +150℃。
其它参数：
输入电容典型值1210pF，输出电容典型值为74pF，反向传输电容典型值0.2pF；
导通延时典型值为15ns，上升时间典型值为10ns，关断延时典型值为57ns，下降时间典型值为9ns；
总栅极电荷为24.7nC，栅-源电荷为8.2nC，栅-漏电荷为8.5nC。
主要特征：
采用新技术设计的高电压元件；
低导通电阻和低导通损耗；
小封装；
超低栅极电荷，更低的驱动要求；
通过100%雪崩测试；
ROHS认证；
不含卤素材料
应用领域：
功率因数校正
开关电源
不间断电源
下图1为产品元件符号与和外形图。
图1 产品外形和电路符号
包装信息如下图2所示：
图2 包装信息
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