【产品】内置两个MOS管的DFN5060-8L封装N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，采用高密度单元设计
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，内置两个MOS管，MOS管的漏源电压均为100V，漏电流均为20A（@TC=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低RDS（ON），最大不超过22mΩ（@VGS= 10V, ID=15A），较低的导通电阻可降低开关损耗。启动时间典型值仅为11ns（@VGS=10V,VDD=50V,ID=4.0A RGEN=3.0Ω），反向恢复时间典型值仅为39.8ns（@IF=20A, di/dt=100A/us），具有高速切换优势。采用DFN5060-8L封装，非常适用于DC-DC转换器、电源管理功能、工业和电机驱动应用等领域。
图1 YJGD20G10A封装及电路图
YJGD20G10A特点：
SGT MOSFET技术
高密度单元设计，具有低RDS（ON）
高速切换
YJGD20G10A应用：
DC-DC转换器
电源管理功能
工业和电机驱动应用
YJGD20G10A订购信息：
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
|
产品型号
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品类
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Package
|
Status
|
ESD
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Configuration
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Type
|
VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
|
Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
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150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
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3000
|
27.5
|
2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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