【产品】内置两个MOS管的DFN5060-8L封装N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，采用高密度单元设计
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，内置两个MOS管，MOS管的漏源电压均为100V，漏电流均为20A（@TC=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低RDS（ON），最大不超过22mΩ（@VGS= 10V, ID=15A），较低的导通电阻可降低开关损耗。启动时间典型值仅为11ns（@VGS=10V,VDD=50V,ID=4.0A RGEN=3.0Ω），反向恢复时间典型值仅为39.8ns（@IF=20A, di/dt=100A/us），具有高速切换优势。采用DFN5060-8L封装，非常适用于DC-DC转换器、电源管理功能、工业和电机驱动应用等领域。
图1 YJGD20G10A封装及电路图
YJGD20G10A特点：
SGT MOSFET技术
高密度单元设计，具有低RDS（ON）
高速切换
YJGD20G10A应用：
DC-DC转换器
电源管理功能
工业和电机驱动应用
YJGD20G10A订购信息：
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