【产品】耗散功率仅为0.3W的国产NPN/PNP互补型晶体管，可用于功率放大电路领域
GoalTop公司推出的两款晶体管SS8050和SS8550，SS8050为NPN型晶体管，SS8550为PNP型晶体管。这两款晶体管均具有较低的功率，其功率耗散仅为0.3W。它们还具有最小值为100MHz的特征频率。SS8050,SS8550为互补型晶体管，它们可用于功率放大电路领域。
图1 SS8050、SS8550晶体管引脚图
SS8050、SS8550晶体管的集电极-基极击穿电压V（BR）CBO最小均为40V，集电极-发射极击穿电压V（BR）CEO最小均为25V，发射极-基极击穿电压V（BR）EBO最小均为5V。两款器件的集电极电流IC为1.5A，较适合用在中小功率的电路中。该互补晶体管的工作性能是非常良好的，其ICBO和ICEO最大均为0.1uA ，证明两款器件的单向导通效果良好。两款产品的集电极-发射极饱和压降VCE(SAT)最大值仅有0.5V，基极-发射极饱和压降VBE(SAT)最大值仅有1.2V，导通损耗极低。
另外，SS8050，SS8550晶体管均采用SOT-23表面贴装封装，其封装尺寸较小。工作和存储结温的范围均为-55 °C~+150 °C，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的环境条件下也可正常工作。其封装尺寸如图2所示。
图2 SS8050、SS8550晶体管尺寸图
SS8050、SS8550晶体管的产品特性：
• 功耗均为0.3W
• 集电极电流IC为1.5A
• 集电极-基极电压（V（BR）CBO）为40V
• 工作和存储结温范围为-55°C~+150°C
SS8050、SS8550晶体管的应用领域：
• 功率放大电路
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|
产品型号
|
品类
|
Polarity
|
Ptot(W)
|
IC(A)
|
Vcbo(V)
|
Vceo(V)
|
Vebo(V)
|
Icbo(uA)
|
IcboVcb(V)
|
Vcet(sat)(V)
|
Vcet(sat)Ic(mA)
|
Vcet(sat)Ib(mA)
|
hFE Min~Max
|
hFE Vce
|
hFE Ic
|
Package
|
|
MMBT2222A
|
Transistor
|
NPN
|
0.3
|
0.6
|
75
|
40
|
6
|
0.01
|
60
|
0.3
|
150
|
15
|
100~300
|
10
|
150
|
SOT-23
|
选型表 - 高特 立即选型
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