【产品】4开关N沟道功率MOSFET PL1303N04，漏源电压40V，连续漏极电流25A
PL1303N04是宝砾微推出的4开关N沟道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封装。产品具有较强的体二极管dv/dt能力和雪崩强度，经过100％的UIS测试和Rg测试，适用于DC-DC转换等。
最大额定值方面，漏源电压为40V，具有一定的耐压性能。连续漏极电流(@25℃)高达25A。脉冲漏极电流高达90A，电流耐受性较好。耗散功率为2.5W。工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃，温度适应性较好。结壳热阻为2.5℃/W，结至环境的热阻为50℃/W，散热性能较好。25℃下，漏源导通电阻的典型值为9.6mΩ(@VGS=10V，ID=9A)或14.5mΩ(@VGS=4.5V，ID=6A)，产品导通损耗较低。总栅极电荷的典型值为24nC。
特点
高速功率开关，逻辑电平
较强的体二极管dv/dt能力
较强的雪崩强度
经过100％UIS测试，100％Rg测试
无铅，无卤素
QFN6*6-40L封装
应用
DC-DC转换
SMPS中的同步整流
硬开关和高速电路
电动工具
电机控制
图1 脚位图
图2 功能框图
图3 电气参数
订购信息
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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