【产品】雪崩击穿电压达600V的功率MOSFET,适用于小型嵌入式电器设计

2018-05-06 SHINDENGEN
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F11F60CPM/F16F60CPM/F21F60CPM/F25F60CPM是新电元公司推出的一款性能优异的面向开关电源的N沟道金属氧化物场效应晶体管,相对于P沟道MOS管,导通电阻更小,并且容易制造。最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为600.0V,最大漏极持续电流(DC)Id为11.0/16.0/21.0/25.0A,性能稳定可靠,具有高电压,低导通电阻,高切换速度的特点,是设计中大功率开关电源的理想选择。广泛使用于电源转换器电路,继电器驱动,逆变器等应用。


采用SMD(Surface Mounted Devices)表面贴装,以Sn为主要材料,大多采用内箱直径为180mm的Tape & Reel带卷式封装。具体封装形态为FTO-220A,是一款具体尺寸为28.5mm(W)X10.0mm(H)X4.5mm(D)mm,适用于小型嵌入式电器设计。


图1  F11F60CPM外部视图


F11F60CPM/F16F60CPM/F21F60CPM/F25F60CPM的最大栅极/源极电压VGSS为±30V,最大总耗散功率Pt为50.0/55.0/60.0/70.0W,提高了能源利用效率,同时保障了MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。其静态漏源导通电阻Rds典型值为0.27/0.18/0.15/0.11Ω,最高沟道温度Tch为150.0℃,总栅极电荷量典型值Qg为22.0/33.0/39.0/53.0 nC。


图2  F11F60CPM典型输出特性及转移特性曲线



F11F60CPM/F16F60CPM/F21F60CPM/F25F60CPM的主要特点:

• 最大漏极/源极电压VDSS(雪崩击穿电压)为600.0V,最大栅极/源极电压VGSS为±30V

• 最大漏极持续电流(DC)Id为11.0/16.0/21.0/25.0A,最大总耗散功率Pt为50.0/55.0/60.0/70.0W

• 静态漏源导通电阻Rds典型值为0.27/0.18/0.15/0.11Ω

• 最高沟道温度Tch为150.0℃

• 总栅极电荷量典型值Qg为22.0/33.0/39.0/53.0 nC

• 采用FTO-220A封装, 尺寸大小为28.5mm(W)X10.0mm(H)X4.5mm(D)


F11F60CPM/F16F60CPM/F21F60CPM/F25F60CPM的典型应用:

• 电源转换器电路

• 继电器驱动

• 逆变器

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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全部评论(2

  • 小卫子么么哒 Lv3. 高级工程师 2018-11-15
    学习学习
  • 一通电冒烟 Lv3 2018-08-08
    你好,需要采购这颗物料,有联系方式吗?
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HI-SEMICON(深鸿盛)场效应管(MOSFET)选型表

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型号- SFU6007T,SFP20N65,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFF10N65R,SFD7N70,SFF4N60E,SFQ0320T4,SFM4009T,SFE6001T2,SFP20N60,SFK2N50,SFF60N06,SFM041R8T,SFD60N06,SFD2N50,SFP4N65,SFP33N10,SFP4N65E,SCP60R190C,SFP20N70,SFS3401,SFD4N60E,SFS3400,SFD6005T,SFD7N65E-Y,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SCA60R280C,SFM4N65,SFD1N65,SCP70R360C6,SFD3015T,SGA855R0T,SFP50N06,SCA65R540T,SCF65R640C,SFQ0322T4,SFU4N65E,SFF12N65,SFD6006T,SFD6N70,SGM10HR14T,SFQ0420T4,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3N50-P,SFN3009T,SCD60R360C,SFF6N70,SFU3006T,SCF65R1K15C,SFP9N20,SFF50N06,SFD6007T,SFF3N50-P,SFP10N60,SCF65R380C,SFP7N65E-Y,SCP65R380C,SCP60R280C,SFS4008T2,SFS2300,SFF7N65-Y,SCF60R280C,SFF13N50,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP10N70,SCD65R1K2C,SFM4010T,SFD3N50TS,SFF6007T,SCF80R500C,SCD80R500C,SFF2N50,SFD3012T,SFA3018T,SFF7N65,SCF65R310C,SFF7N65E-Y,SCD70R360C6,SFF6006T,SCK65R1K15C,SFD4N65E,SFF15N10,SFU4N65,SFF7N70,SFD4003T,SFU9N65,SFF6005T,SFD7N65-Y,SCP60R160C,SCA60R190C,SCF80R950C,SFK3N50,SCF55R2K7C,SFF12N65-Y,SFE3007T,SFP3006T,SFD5N50,SGM6005DT,SFF9N20,SGF15N10,SFP60N06,SFS2N10,SCF70R600C6,SFD4001PT5,SFP10N65-Y,SFF3N50,SFM4N65E,SCD65R125C,SCF65R125C,SFD4N70,SFP7N65-Y,SFF5N50TS,SFP6005T,SCP65R125C,SGM031R1T,SCF70R420C,SCD70R420C,SFP12N65-Y,SCP65R540T,SCF60R160C,SFD4N65,SFS2N7002,SFF3N50TS,SFF33N10,SCF70R360C6,SFS2302B,SFS2301B,SFD15N10,SFF20N60,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFS4606T,SFU4003T,SGD15N10,SFF9N50,SFD10N65-J,SFF4N65E,SFD4004PT,SFD9N65,SFF20N70,SFU10N65R,SCD55R2K7C,SFU6003T,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SFF9N65,SFP13N50,SCD70R600C6,SFU7N70,SCD65R380C,SFD5N50TS,SFAP4580,SFF10N60,SCD65R540T,SCP60R360C,SFF4N65,SFM0320T4,SCF65R1K2C,SCP80R500C,SGP855R0T,SFU6005T,SFD10N65R,SFD3N50,SFP12N65,SFU6N70,SFU4N60E,SFF4N70,SFF10N65-Y,SFF9N90,SGU15N10,SFM3011T,SFF16N65,SFP110N55,SFU6006T,SFP18N50,SFU15N10,SFF5N50,SFF10N65-J,SFN6004T5,SFP59N10,SFD9N20,SCF65R240C,SCD65R640C,SFM3012T,SFS5N10S,SFN0250T2,SCD65R1K15C

选型指南  -  HI-SEMICON  - 2022/9/28 PDF 中文 下载

功率MOSFET的寄生导通行为和抑制方法

本文中瑶芯微将与大家分享功率MOSFET的寄生导通行为和抑制方法。SiC MOSFET和Super Junction MOSFET(简称SJ MOS)都是高速功率器件,经常被应用于大功率AC-DC电源、电动汽车充电桩、OBC等高频应用场合。较低的导通电阻和高速开关特性,获得较低的导通损耗和开关损耗,助力电源获得越来越高的功率密度,更小的体积,更高的效率,助力降低碳排放。

技术探讨    发布时间 : 2023-12-30

【选型】揭秘高效电源如何选择合适的MOS管

开关电源中MOS管的特性、寄生参数和散热条件都会对其工作性能产生重大影响,如何确保所选择的MOS管能够承受连续电流和脉冲尖峰成为关键所在。

器件选型    发布时间 : 2016-11-23

HI-SEMICON多款MOSFET产品满足光伏逆变器的不同应用需求

SiC MOSFET产品在光伏逆变器中是一种重要的功率开关器件,可以承担关键的电源开关和电流控制功能。在光伏逆变器中,SiC MOSFET产品通常作为主开关管使用,用于控制输入直流电源的开关和输出交流电源的频率和电压。HI-SEMICON提供多款MOSFET产品满足光伏逆变器的不同应用需求。

应用方案    发布时间 : 2023-10-24

小功率光伏逆变器采用导热垫片T-gard 500用于MOSFET下面散热,由于产品体积较小,要求温升不超过15度,实际测试中温升超过15度,不满足要求,请问如何解决此问题?

根据目前光伏逆变器的功率等级和散热环境,推荐采用T-gard 5000导热垫片代替T-gard 500,T-gard 5000材质是由聚酰亚胺表面涂覆一层填充陶瓷材料的高温硅树脂橡胶制成,热阻在50psi压力下仅为0.48度in2/W,且厚度只有0.127mm,更利于热量传导。

技术问答    发布时间 : 2017-05-05

【产品】N沟道超结功率MOSFET SL11N65C,漏源电压高达650V,连续漏极电流高达11.5A

SLKOR的N沟道超结功率MOSFET SL11N65C,TC=25℃,漏源电压VDS高达650V,连续漏极电流高达11.5A,采用新技术的高压器件,具有低导通电阻和低导通损耗,经过100%雪崩测试,符合ROHS。

产品    发布时间 : 2023-06-01

UK2996 MOSFET 600V SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET

型号- K2996G-TF1-T,K2996G-TF2-T,2996G-TF3-T,UK2996L-TF1-T,UK2996L-TF3-T,UK2996L-TA3-T,UK2996G-TA3-T,UK2996L-TF2-T,UK2996

数据手册  -  UTC  - 2018/01/15 PDF 英文 下载

【产品】铨力半导体推出的N沟道功率MOSFET AP2020K,漏源电压最大额定值为20V,用于开关电源等领域

铨力半导体推出的N沟道功率MOSFET AP2020K,TC=25℃,漏源电压最大额定值为20V,栅源电压最大额定值为±12V。可提供无铅和绿色器件,具有低 RDS(ON)以最大限度地减少导通损耗和高雪崩电流的优点,可用于开关电源(SMPS)和负载开关。

产品    发布时间 : 2023-04-01

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品类:MOSFET/BRIDGE模组

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功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

低功耗测试

提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

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