【产品】雪崩击穿电压达600V的功率MOSFET，适用于小型嵌入式电器设计

时间： 2018-05-06 来源：SHINDENGEN

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MOSFET,N沟道金属氧化物场效应晶体管,功率MOSFET,F11F60CPM

F11F60CPM/F16F60CPM/F21F60CPM/F25F60CPM是新电元公司推出的一款性能优异的面向开关电源的N沟道金属氧化物场效应晶体管，相对于P沟道MOS管，导通电阻更小，并且容易制造。最大漏极/源极电压V_DSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大漏极持续电流（DC）I_d为11.0/16.0/21.0/25.0A，性能稳定可靠，具有高电压，低导通电阻，高切换速度的特点，是设计中大功率开关电源的理想选择。广泛使用于电源转换器电路，继电器驱动，逆变器等应用。

采用SMD（Surface Mounted Devices）表面贴装，以Sn为主要材料，大多采用内箱直径为180mm的Tape & Reel带卷式封装。具体封装形态为FTO-220A，是一款具体尺寸为28.5mm（W）X10.0mm（H）X4.5mm（D）mm，适用于小型嵌入式电器设计。

图1 F11F60CPM外部视图

F11F60CPM/F16F60CPM/F21F60CPM/F25F60CPM的最大栅极/源极电压VGSS为±30V，最大总耗散功率Pt为50.0/55.0/60.0/70.0W，提高了能源利用效率，同时保障了MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。其静态漏源导通电阻Rds典型值为0.27/0.18/0.15/0.11Ω，最高沟道温度Tch为150.0℃，总栅极电荷量典型值Qg为22.0/33.0/39.0/53.0 nC。

图2 F11F60CPM典型输出特性及转移特性曲线

F11F60CPM/F16F60CPM/F21F60CPM/F25F60CPM的主要特点：

• 最大漏极/源极电压V_DSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大栅极/源极电压V_GSS为±30V

• 最大漏极持续电流（DC）I_d为11.0/16.0/21.0/25.0A，最大总耗散功率Pt为50.0/55.0/60.0/70.0W

• 静态漏源导通电阻R_ds典型值为0.27/0.18/0.15/0.11Ω

• 最高沟道温度T_ch为150.0℃

• 总栅极电荷量典型值Qg为22.0/33.0/39.0/53.0 nC

• 采用FTO-220A封装, 尺寸大小为28.5mm（W）X10.0mm（H）X4.5mm（D）

F11F60CPM/F16F60CPM/F21F60CPM/F25F60CPM的典型应用：

• 电源转换器电路

• 继电器驱动

• 逆变器

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全部评论（2）

小卫子么么哒 Lv3. 高级工程师 2018-11-15

学习学习
一通电冒烟 Lv3 2018-08-08

你好，需要采购这颗物料，有联系方式吗？

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