专注于功率和模拟集成电路设计、制造和销售的半导体技术公司——应能微
产品亮点:
ESD/TVS产品
· 行业最低的漏电流 (nA);
· 低散热,效率高 – 行业最低钳位电压;
· 保护最敏感芯片级系统 (SoC) 电路 – 行业最低电容 (0.2pF);
· 千兆高速接口 (USB3.0/HDMI2.0);
· 行业最高抗静电 (ESD) 和浪涌能力(ESD : +/-30KV; IPP: 1000-5000W)。
电路保护芯片核心技术
• 超深双沟槽结构(隔离和TVS) (专利技术);
• 原位掺杂多晶硅深槽填充 (专利技术);
• 近本证高阻外延生长 (专利技术)。
转向二极管:高电流承载能力、超低电容。
可控硅整流器 (SCR):结合TVS结构可轻 易调节工作电压 (3.3-20V)。
电磁干扰滤波器 (EMI)
选型指南:
【选型】应能微TVS/半导体放电管/MOSFET/电源管理IC(PMIC)/过压保护设备(OVP)/DC-DC同步降压转换器选型指南
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用户23050317 Lv4. 资深工程师 2021-12-27学习了
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派大星 Lv7. 资深专家 2021-11-27学习
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用户56731903 Lv9. 科学家 2021-04-20了解一下!!!
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芯弟 Lv5. 技术专家 2021-04-20学习
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Lang Lv7. 资深专家 2021-04-16学习
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yichun417 Lv7. 资深专家 2021-04-16学习
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Adu啦 Lv7. 资深专家 2021-04-09学习
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型号- AU3371D1
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描述- 该资料介绍了AU0921P1双向TVS二极管,这是一种利用先进单晶硅技术制造的器件,具有快速响应时间和低ESD钳位电压。它适用于保护敏感数据和电源线路,符合IEC 61000-4-2(ESD)标准。
型号- AU0921P1
AU0571D3单线单向TVS二极管
描述- 该资料介绍了AU0571D3单向高功率TVS二极管,采用先进的单晶硅技术,提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,具有±30kV空气放电和±30kV接触放电能力。它采用超小无铅SOD-323封装,适用于保护手机、数码相机、音频播放器等多种便携式设备。
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型号- ASMF05
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型号- AU1221P1L
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描述- 该资料介绍了AU1261P1双向TVS二极管,这是一种利用先进单晶硅技术提供快速响应时间和低ESD钳位电压的二极管。它适用于保护敏感数据和电源线路,符合IEC 61000-4-2(ESD)标准。该器件采用超小型DFN1006-2封装,适用于手机、数码相机、音频播放器等多种便携式设备。
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描述- 该资料介绍了AU0501D5单向TVS二极管,这是一种利用先进单晶硅技术提供快速响应时间和低ESD钳位电压的二极管。它符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,具有±30kV空气和±30kV接触放电能力。采用超小型无铅SOD封装,适用于保护手机、数码相机、音频播放器等多种便携式设备。
型号- AU0501D5
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描述- 该资料介绍了AU1261P0双向TVS二极管,这是一种利用先进单晶硅技术提供快速响应时间和低ESD钳位电压的二极管。它符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,具有±30 kV空气放电和±25 kV接触放电能力。AU1261P0尺寸小,ESD浪涌保护能力强,适用于手机、数码相机、音频播放器等多种便携式设备。
型号- AU1261P0
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整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603),工作电压范围覆盖2.5V~36V,电容值低至0.2pF,浪涌能力最高可达240安培,静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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测试1.2/50us-8/20us组合波,10/700us-5/320us组合波,8/20us单波。能够模拟雷电瞬变引起的浪涌冲击抗干扰测试,最高电压达20KV,电流达20KA。点击预约,支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
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