The EPC9173 GaN IC Allows Designers of EBikes and Drones to Simplifying Design for Faster Time-To-Market
GaN is a game changer for motor drive applications. For designers to take advantage of this technology, fast and reliable time-to-market is critical. Easy-to-use reference designs using state-of-the-art electronics and techniques provide a valuable tool to speed time to market. The EPC9173 tool allows designers of eBikes and drones to enhance motor system size, performance, range, precision, and torque, all while simplifying design for faster time-to-market.
The EPC9173 integrates all the necessary circuits to operate a 3-phase BLDC motor with high performance, 48V input, 1.5kW output, and a three-phase inverter using six EPC23101 GaN ICs. Thanks to the high power density and the high electrical conductivity of GaN ICs, the EPC9173 delivers up to 25 ARMS on each leg and supports PWM switching frequencies up to 250kHz under a natural convection passive heatsink. The resultant quality of the current output waveforms, lesser torque oscillations, and total system efficiency increase the performance of the motor-drive system. Further, the extremely small size of this inverter allows integration into the motor housing resulting in the lowest EMI, highest density, and lowest weight.
The EPC23101 GaN IC featured in this design has exceptionally high electron mobility and a low-temperature coefficient. The lateral structure of the GaN device and the absence of an intrinsic body diode provide a very low gate charge (QG) and zero reverse recovery charge (QRR) when operated in reverse conduction. Compared to MOSFETs with similar RDS(on), GaN FETs have five times smaller switching losses, so the inverter can operate at higher PWM frequency and with shorter dead times. High PWM frequency allows the use of cost-effective ceramic capacitors in the DC-Link, increasing reliability and decreasing cost and size. Short dead times increase the motor efficiency, helping obtain more torque per Ampere RMS.
The EPC9173 inverter reference design board includes all the circuits required to support a complete inverter for e-bike motor drive, including:
Three-phase inverter based on six EPC23101 GaN ICs
DC link capacitors
Regulated auxiliary power supplies
Voltage, current, and temperature sensors with conditioning circuits
Protection functions
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky转载自EPC News,原文标题为:Shrink Motor Drives for eBikes and Drones,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【应用】基于GaN(氮化镓)的D类音频放大器,实现高质量、低成本的音质
现在,氮化镓FET和IC的出现正在迎来高质量、低成本D类音频放大器的时代。基于GaN的FET和IC更优异的开关和热性能产生的波形比硅MOSFET所能达到的波形更接近所需的理想波形。采用GaN技术的高级音频D类放大器提供高于A类放大器设计的音质。
GaN ePower Integrated Circuits Applied to Motor Drives
The latest ePower™ integrated circuits based on gallium nitride technology by Efficient Power Conversion(EPC)are revolutionizing motor drive applications such as industrial drones, e-bikes, scooters, power tools.
【应用】基于eGaN FET与 GaN IC的低成本ToF激光雷达方案
用于激光雷达系统的典型脉冲激光驱动器通常使用与激光器和电源串联的半导体功率开关器件,其性能受寄生电感和半导体功率器件的速度所限制。GaN技术则能够支持短距离和远距离激光雷达传感器的设计。EPC公司的EPC9126和EPC9126HC是针对远距离直接飞行时间应用的大电流激光二极管驱动器的演示系统,EPC9144激光驱动器演示系统针对间接飞行时间应用进行了优化。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
【IC】EPC推出新型80V、40A eToF™激光驱动器GaN IC,实现更高功率密度激光雷达系统
宜普电源转换公司(EPC)推出新型氮化镓集成电路EPC21701,这是一款80V激光驱动器IC,可提供15A脉冲电流,适用于飞行时间激光雷达应用(ToF激光雷达应用),包括真空吸尘器、机器人、3D安全摄像头和3D传感器。
用于DC-DC转换的镓氮®FET和IC应用简介
描述- 本资料介绍了eGaN® FETs和ICs在DC-DC转换中的应用,重点强调了其高效能、高功率密度和小型化的特点。资料中详细展示了不同型号的产品及其在48V至12V转换中的应用,包括高效能计算和电信应用,以及汽车电子领域。此外,还提供了相关产品的详细规格和开发板信息,以帮助工程师进行设计和评估。
型号- EPC2057,N/A,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC2055,EPC90155,EPC90156,EPC90153,EPC2101,EPC2106,EPC2105,EPC90151,EPC2065,EPC90152,EPC2067,EPC2100,EPC9014,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90146,EPC90147,EPC9091,EPC2619,EPC2014C,EPC2030,EPC2032,EPC2152,EPC2031,EPC2033,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC9195,EPC2019,EPC9166,EPC2252,EPC9047,EPC9162,EPC9041,EPC9163,EPC9165,EPC9160,EPC2302,EPC2304,EPC2306,EPC9010C,EPC2305,EPC9177,EPC2020,EPC9179,EPC2023,EPC9174,EPC9055,EPC9170,EPC9006C,EPC2234,EPC2010C,EPC9148,EPC23101,EPC2071,EPC23102,EPC23103,EPC23104,EPC90140,EPC9143,EPC90132,EPC90137,EPC91106,EPC90138,EPC90135,EPC91108,EPC9159,EPC2007C,EPC2361,EPC9157,EPC9036,EPC9158,EPC9037,EPC2088,EPC9151,EPC90122,EPC9031,EPC90123,EPC9153,EPC90120,EPC9033,EPC90124
【视频】EPC发挥其GaN技术优势,将帮助实现高效能电机驱动应用和DC/DC转换器
型号- EPC9173,EPC2302,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC2308,EPC2307,EPC23102
【视频】EPC氮化镓产品在DCDC的应用,可减少损耗
描述- Efficient Power Conversion (EPC) 作为全球领先的功率转换技术供应商,提供基于氮化镓 (GaN) 的场效应晶体管 (FET) 和集成电路 (IC)。EPC 的 GaN 基器件具有高效率、快速开关速度、小型化和低成本等优势,广泛应用于消费电子、通信、汽车和可再生能源领域。资料中详细介绍了 GaN 基 DC-DC 转换器,包括企业电源架构、功率密度、EPC9159 转换器规格、转换器概述、特色 GaN FET 以及效率与损耗测量等。此外,还讨论了 GaN FET 在提高功率密度和简化设计方面的优势。
型号- EPC2302,EPC2305,EPC2308,EPC23101,EPC23102
USB功率传输的进步:氮化镓技术的效率和高功率密度
描述- 本文探讨了USB技术,特别是USB Power Delivery (USB PD) 3.1规范的演变,以及GaN技术在提高功率传输效率和密度中的作用。文章强调了现代电子设备日益增长的功率需求带来的挑战,并说明了GaN技术如何解决这些挑战。文章以EPC9195为例,展示了高功率密度USB PD充电器的设计,强调了GaN晶体管和模拟控制器在实现高效率和紧凑性方面的优势。实验结果证明了该设计的性能和效率,使其成为需要USB PD 3.1兼容性的下一代电子设备的理想解决方案。
型号- EPC9195,EPC2619,LTC7891
Intellectual Power Amplifier Module Based on GaN FETs
To simplify and accelerate the development process of many devices (D-class audio amplifiers, AC current and voltage calibrators, power supply modulators etc.), the idea of creating an Intellectual Power Amplifier Module (IPAM) appeared. IPAM is a fully differential pulsing power amplifier covered by a common negative feedback. The module contains small FPGA chip. The development of the output choke has turned into a separate R&D work related to the need to study the parameters of the newest high-frequency power ferrites manufactured by TDK/Epcos and Ferroxcube.
氮化镓可靠性和寿命预测:第16阶段
描述- 本报告详细探讨了氮化镓(GaN)器件的可靠性,包括失效机制、测试方法以及在不同应用中的可靠性预测。报告重点介绍了测试至失效方法在确定GaN器件内在失效机制方面的作用,并提供了针对不同应用(如太阳能、DC-DC转换和激光雷达)的可靠性预测指南。此外,报告还讨论了热机械可靠性、过电压指南以及优化焊接工艺的方法。
型号- EPC2302,EPC2218A,EPC23102,EPC21701,EPC21601
How to Design a 2kW 48V/12V Bi-Directional Power Module with GaN FETs for 48V Mild Hybrid Electric Vehicles
This artical tells how to Design a 2kW 48V/12V Bi-Directional Power Module with GaN FETs for 48V Mild Hybrid Electric Vehicles. A new reference design demo board, EPC EPC9165, is available to help jump start the design of a 2 kW bi-directional converter.
EPC21701–ETOF™激光驱动器IC规格书
描述- EPC21701是一款单芯片激光驱动器,采用EPC的专有GaN IC技术,具有高效能转换特性。该产品采用5V逻辑电源,可控制高达15A的激光驱动电流,工作频率超过50MHz。芯片尺寸仅为1.7 x 1 mm,封装为LGA,具有低电感,适用于激光系统。
型号- EPC21701
将氮化镓场效应晶体管与专为硅MOSFET设计的控制器和栅极驱动器结合使用
描述- 本文探讨了使用通用门驱动器与氮化镓(GaN)FET配合使用时需要注意的关键因素。文章详细介绍了GaN FET与硅MOSFET之间的主要差异,包括门电压水平、开关速度、反向导通电压降和物理结构等。此外,文章还提供了将MOSFET驱动器转换为适用于GaN FET的建议步骤,包括使用外部自举二极管、自举钳位、门返回电阻和反向导通钳位等。最后,文章强调了在设计使用集成门驱动器的控制器IC时,需要考虑的布局和设计折衷方案。
EPC新型80V、40A的GAN IC,1.7x1.0mm小尺寸,契合激光系统
EPC推出的EPC21701是一款单芯片激光驱动器,包含80V、40A FET、栅极驱动器和3.3逻辑电平输入,用于飞行时间激光雷达系统,包括用于机器人、监控系统和真空吸尘器。它专为用于手势识别、飞行时间测量(ToF测量)、机器人视觉或工业安全的激光雷达系统量身定制。EPC21701激光驱动器使用5V电源电压和3.3V逻辑进行控制。
电子商城
服务
支持GSM / GPRS 等多种制式产品的射频测试,覆盖所有上行和下行的各项射频指标,包括频差、相差、调制、功率、功控、包络、邻道泄漏比、频谱、杂散、灵敏度、同道干扰、邻道干扰、互调、阻塞等等。满足CE / FCC / IC / TELEC等主流认证的射频测试需求。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可烧录MCU/MPU,EPROM,EEPROM,FLASH,Nand Flash, PLD/CPLD,SD Card,TF Card, CF Card,eMMC Card,eMMC,MoviNand, OneNand等各类型IC,IC封装:DIP/SDIP/SOP/MSOP/QSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN.
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论