【产品】600V/15A的BM63564S-VA、BM63564S-VC IGBT智能功率模块,专用于低速开关驱动

2018-09-08 ROHM
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全球知名的半导体厂商罗姆(ROHM)公司推出了两款600V IGBT智能功率模块IPM)——BM63564S-VABM63564S-VC,内部结构功能框图如图1所示,由栅极驱动器、自举二极管、IGBT和飞轮二极管组成。它们是针对低速(至6kHz)开关驱动而优化的低饱和电压IGBT。

图1:BM63564S-VA和BM63564S-VC的内部结构功能框图


BM63564S-VA、BM63564S-VC IGBT智能功率模块均具有内置的高侧IGBT栅极驱动器(HVIC)和低侧IGBT栅极驱动器(LVIC)。高侧IGBT栅极驱动器由SOI(绝缘体上硅)工艺、驱动电路、高电压电平转换、自举二极管电流限制和控制电压欠压锁定(UVLO)组成。低侧IGBT栅极驱动器由驱动电路、短路电流保护(SCP)、控制电压欠压锁定(UVLO)和模拟信号的温度输出(VOT)组成。


BM63564S-VA、BM63564S-VC IGBT智能功率模块推荐的供电电压范围为0到400V,控制电源电压范围为13.5V到16.5V,IGBT集电极-发射极饱和电压VCESAT的典型值为1.5V。BM63564S-VA、BM63564S-VC IGBT智能功率模块有HSDIP25和HSDIP25VC两种封装,封装大小均为38.0mm x 24.0mm x 3.5mm,实物如图2所示,典型应用电路如图3所示,主要应用于交流电压100至240Vrms(直流电压:小于400V)电机的低速开关驱动以及空调、洗衣机、冰箱用压缩机电机的低速开关驱动等领域。

图2:BM63564S-VA、BM63564S-VC IGBT智能功率模块的产品实物图

图3:BM63564S-VA、BM63564S-VC IGBT智能功率模块的典型应用电路


BM63564S-VA、BM63564S-VC IGBT智能功率模块的产品特性:

·IGBT集电极-发射极电压VCESAT:1.5V(典型值)

·FWD正向电压VF:1.5V(典型值)

·FWD反向恢复时间trr:100ns(典型值)

·模块外壳温度TC:-25℃至+100℃

·结温 Tjmax:150℃

·三相DC/AC逆变器

·600V/15A

·低侧IGBT开路发射极

·内置自举二极管

·高侧IGBT栅极驱动器(HVIC):SOI(绝缘体上硅)工艺,驱动电路,高电压电平转换,自举二极管电流限制,控制电压欠压锁定(UVLO)

·低侧IGBT栅极驱动器(LVIC):驱动电路,短路电流保护(SCP),控制电压欠压锁定(UVLO),模拟信号的温度输出(VOT)

·故障信号(LVIC):对应于SCP(低侧IGBT),UVLO故障

·输入接口3.3V,5V

·UL认可:文件E468261


BM63564S-VA、BM63564S-VC IGBT智能功率模块的应用领域:

·交流电压100至240Vrms(直流电压:小于400V)电机的低速开关驱动

·空调、洗衣机、冰箱用压缩机电机的低速开关驱动

 

 


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  • 辛巴 Lv8. 研究员 2018-11-05
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  • 王学峰 Lv5 2018-10-31
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