【产品】35V P沟道功率MOSFET ​XER2N0525,采用绝缘体上硅工艺制造,工作温度-60~+175℃

2022-10-26 EASII IC
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XER2N0525是EASii IC推出的一款35V P沟道功率MOSFET,可在宽温度范围内工作。在-60℃至+175℃的温度范围内工作能保证功能完整,高于或者低于该温度范围也能良好工作。

XER2N0525系列部件采用绝缘体上硅(SOI)工艺制造,在提供高漏极电流和低RDS(on)的同时,降低了泄漏电流。这些功能使XER2N0525器件非常适合开关和线性电源应用。XER2N0525系列通过减少学习量,提供智能且易于使用的功能来降低系统成本,简化应用。XER2N0525系列的零件采用塑料SOIC8封装。


特点

•最小BVDSS=-40V。

•允许的VGS范围–5.5V至+5.5V。

•在-60she'shi'd至+175℃的温度范围内运行。

•低RDS(on) 

o XER2N0525: 2.3 Ω @ 175℃

•最大峰值ID

o XER2N0525: 5.3 A @ 175℃

•导通时间(td(on)+tr):

o XER2N0525: 26 nsec @ 175℃

•关闭时间(td(off)+tf):

o XER2N0525: 76 nsec @ 175℃

•塑料SOIC8封装。


应用

•汽车、航空航天、井下。

•DC/DC转换器、负载点电源转换器、开关电源、PWM控制。


产品亮点


订购信息


绝对最大额定值

警告:超过“绝对最大额定值”所列的应力可能会对设备造成永久性损坏。这些仅为应力额定值,不暗示设备在这些或任何其他条件下的功能,超出规范操作部分所示的条件。长时间暴露在“绝对最大额定值”条件下可能会永久影响设备可靠性。


推荐工作条件

1 超出规定温度范围可工作。对于给定的壳体温度,当ID≤ID(DC)时,考虑壳体温度为-60℃~+175℃。


电气规格

除非另有说明,否则本规格适用于-60℃<Tj<175℃。


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • csfeeling Lv8. 研究员 2022-10-30
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