【产品】35V P沟道功率MOSFET XER2N0525，采用绝缘体上硅工艺制造，工作温度-60~+175℃
XER2N0525是EASii IC推出的一款35V P沟道功率MOSFET，可在宽温度范围内工作。在-60℃至+175℃的温度范围内工作能保证功能完整，高于或者低于该温度范围也能良好工作。
XER2N0525系列部件采用绝缘体上硅（SOI）工艺制造，在提供高漏极电流和低RDS（on）的同时，降低了泄漏电流。这些功能使XER2N0525器件非常适合开关和线性电源应用。XER2N0525系列通过减少学习量，提供智能且易于使用的功能来降低系统成本，简化应用。XER2N0525系列的零件采用塑料SOIC8封装。
特点
•最小BVDSS=-40V。
•允许的VGS范围–5.5V至+5.5V。
•在-60she'shi'd至+175℃的温度范围内运行。
•低RDS(on)
o XER2N0525: 2.3 Ω @ 175℃
•最大峰值ID：
o XER2N0525: 5.3 A @ 175℃
•导通时间（td（on）+tr）：
o XER2N0525: 26 nsec @ 175℃
•关闭时间（td（off）+tf）：
o XER2N0525: 76 nsec @ 175℃
•塑料SOIC8封装。
应用
•汽车、航空航天、井下。
•DC/DC转换器、负载点电源转换器、开关电源、PWM控制。
产品亮点
订购信息
绝对最大额定值
警告：超过“绝对最大额定值”所列的应力可能会对设备造成永久性损坏。这些仅为应力额定值，不暗示设备在这些或任何其他条件下的功能，超出规范操作部分所示的条件。长时间暴露在“绝对最大额定值”条件下可能会永久影响设备可靠性。
推荐工作条件
1 超出规定温度范围可工作。对于给定的壳体温度，当ID≤ID(DC)时，考虑壳体温度为-60℃~+175℃。
电气规格
除非另有说明，否则本规格适用于-60℃<Tj<175℃。
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