【产品】35V P沟道功率MOSFET XER2N0525，采用绝缘体上硅工艺制造，工作温度-60~+175℃
XER2N0525是EASii IC推出的一款35V P沟道功率MOSFET，可在宽温度范围内工作。在-60℃至+175℃的温度范围内工作能保证功能完整，高于或者低于该温度范围也能良好工作。
XER2N0525系列部件采用绝缘体上硅（SOI）工艺制造，在提供高漏极电流和低RDS（on）的同时，降低了泄漏电流。这些功能使XER2N0525器件非常适合开关和线性电源应用。XER2N0525系列通过减少学习量，提供智能且易于使用的功能来降低系统成本，简化应用。XER2N0525系列的零件采用塑料SOIC8封装。
特点
•最小BVDSS=-40V。
•允许的VGS范围–5.5V至+5.5V。
•在-60she'shi'd至+175℃的温度范围内运行。
•低RDS(on)
o XER2N0525: 2.3 Ω @ 175℃
•最大峰值ID：
o XER2N0525: 5.3 A @ 175℃
•导通时间（td（on）+tr）：
o XER2N0525: 26 nsec @ 175℃
•关闭时间（td（off）+tf）：
o XER2N0525: 76 nsec @ 175℃
•塑料SOIC8封装。
应用
•汽车、航空航天、井下。
•DC/DC转换器、负载点电源转换器、开关电源、PWM控制。
产品亮点
订购信息
绝对最大额定值
警告：超过“绝对最大额定值”所列的应力可能会对设备造成永久性损坏。这些仅为应力额定值，不暗示设备在这些或任何其他条件下的功能，超出规范操作部分所示的条件。长时间暴露在“绝对最大额定值”条件下可能会永久影响设备可靠性。
推荐工作条件
1 超出规定温度范围可工作。对于给定的壳体温度，当ID≤ID(DC)时，考虑壳体温度为-60℃~+175℃。
电气规格
除非另有说明，否则本规格适用于-60℃<Tj<175℃。
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产品型号
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品类
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Package
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Operating Temperature
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Minimum BVᴅss
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RDS(ON)@230℃
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Maximum Peak ID @230℃
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XTR2N0325-TD
|
P-CHANNEL POWER MOSFETs
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Tested Die
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-60℃ to +230℃
|
-30V
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1.05 Ω
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7.5 A
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选型表 - EASII IC 立即选型
EASII IC晶体管选型表
如下表格提供EASII IC晶体管选型，Pin Count：3-16，Minimum BVᴅss：-30V-90V，RDS(ON)@230℃：330mΩ-2.3 Ω，Voltage on DRAIN to SOURCE(V)：-1.5V-90V。
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产品型号
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品类
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Operating Temperature
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Voltage on DRAIN to SOURCE(V)
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Operating Junction Temperature Range
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XTR20411-BD
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晶体管
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-60℃ to +230℃
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-1.5V~45V
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-70℃ to +300℃
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选型表 - EASII IC 立即选型
XTR2N0500 High Temperature 35V P-Channel Power MOSFET Data Sheet
型号- XTR2N0525,XTR2N0525-FE,XTR2N0525-TD,XTR2N0550-TD,XTR2N0500 FAMILY,XTR2N0550,XTR2N0500,XTR2N05XX,XTR2N0525-D
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