【产品】铨力半导体推出采用先进沟槽技术的无铅N沟道增强型MOSFET AP6802，规格为4A/30V
铨力半导体推出一款N沟道增强型MOSFET——AP6802，漏源电压最大额定值为30V，连续漏极电流最大额定值为4A@Ta=25℃。采用先进的沟槽技术，无铅产品，可应用于接口开关、负载开关、电源管理等应用。
特点
漏源电压VDS=30V，连续漏极电流ID=4A
漏源导通电阻RDS(ON)<40mΩ@VGS=4.5V（典型值为31mΩ）
漏源导通电阻RDS(ON)<60mΩ@VGS=2.5V（典型值为46mΩ）
采用先进的沟槽技术
无铅产品
应用
接口开关
负载开关
电源管理
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）:
电气参数(Ta=25℃，除非特别说明)
注：
1、重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2、脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
3、表面贴装在FR4板，t≤10s
封装标记及订购信息
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