【应用】罗姆1200V SiC肖特基势垒二极管用于充电桩充电模块可降低关断和通态损耗
电动汽车充电桩是电动力车的充电站，分为交流充电桩和直流充电桩，即慢充和快充，由于更好的充电体验和兼容更多的应用场景，直流充电桩在市场上受到青睐。快充的充电桩重要组成部分为直流充电模块，随着市场竞争和充电桩的快速发展，主要面临充电模块在性能效率，高功率密度，提高系统可靠性等反面的压力。
充电桩模块大多都是三相市电输入，因此充电模块输入是接三相交流电。目前市面上主流的充电桩直流模块拓扑结构为：前级PFC整流+后级DCDC的电路结构，在PFC部分，目前大多是电路拓扑为VIENNA结构，后级DCDC多为移相全桥或者LLC等拓扑结构。罗姆的1200V/40A SiC肖特基势垒二极管在充电模块中可有效解决性能效率，高功率密度，提高系统可靠性等问题。下图为20KW充电模块系统框图：
图1、20KW主回路拓扑
推荐使用ROHM 1200V系列SiC二极管SCS240KE2C的充电模块电路拓扑：
1、PFC拓扑VIENNA
图2、三相三线制三电平VIENNA
2、后级DCDC拓扑
图3、两组交错式并联两电平全桥LLC
通过上面两级拓扑结构可以看出，在PFC VIENNA的高频二极管和LLC副边整流二极管中应用SCS240KE2C具有低导通电阻，减小体积，提高效率，发热量小等优势，明显好于普通Si材料器件，具有更低的VF和IR，更好的浪涌能力，适合充电模块等要求较高的应用。
输出整流部分使用ROHM的SCS240KE2C的优势特点如下：
1、反向电压1200V，20KW充电模块输出范围200V-750V能够满足耐压需求；
2、连续正向电流40A@135℃，满足20KW输出功率需求；
3、典型压降VF=1.8V@ IF=20A，Tj=150°C，低正向压降，实现低导通损耗；
4、总电容电荷Qc为66 nC，恢复时间和电流可忽略不计，可实现高速开关，降低开关损耗；
5、工作结温和储存温度范围为-55~175℃，工作温度宽，特性温度影响小；
6、反向恢复时间短，可以大幅降低开关损耗，具有Si-FRD (硅-快速恢复二极管) 无法达到的极短反向恢复时间 (trr) 实现高速开关；
7、降低器件温升，提高系统可靠性，和Si MOSFET配合使用可有效的降低高频二极管和SI MOSFET 的温升；
8、提升DC/DC的性能，优化整流二极管的关断损耗，在LLC电路中副边整流二极管存在反向恢复的工况，使用SiC二极管均可大大优化整流二极管的关断损耗，提升DC/DC的性能；
9、提高系统功率密度，反向恢复电荷量 (Qrr) 小，可降低开关损耗，有助于设备的小型化；
10、多种类型封装供选择如TO-263AB、TO-220AC、TO-220ACP、TO-220FM等；
图4、ROHM SiC二极管封装
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由陌吠提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【元件】采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
ROHM开发出引脚间爬电距离更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器（OBC）等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设备的“SCS2xxxN”。
【经验】SiC肖特基势垒二极管更新换代步履不停，实现了Si-SBD、Si-PND无法攀登的高耐压范围
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品。本文就SCS3系列的特点、应用范围展望等展开探讨。
SCS2xxAN（650V) SCS2xxKN（1,200V) 宽爬电距离封装SiC肖特基势垒二极管
ROHM公司推出新型SiC肖特基势垒二极管，采用小型表贴封装，实现宽爬电距离，适用于xEV系统电压提升。产品具有低开关损耗，有助于降低设备功耗。产品包括650V和1,200V两种电压等级，适用于车载和工业设备。
ROHM - SIC SBD,SIC肖特基势垒二极管,宽爬电距离封装SIC肖特基势垒二极管,SIC备用电池,SCS310AM为10A,SCS2XXAN,SCS220ANHR,SCS212ANHR,SCS205KNHR,SCS2XXKNHR,SCS2XXKN,SCS210KNHR,SCS220KNHR,SCS215ANHR,SCS210ANHR,SCS2XXANHR,SCS230ANHR,充电桩,HV加热器,OBC,车载充电器,不间断电源,工业机器人用AC伺服,UPS,PTC加热器,车载设备,DC-DC转换器,工业设备,光伏逆变器,AC伺服,不间断电源装置
【元件】ROHM新推支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管，确保最小5.1mm爬电距离
ROHM开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（SBD）。新产品去除了以往封装底部的中心引脚，采用了ROHM原创的封装形状，将爬电距离延长至最小5.1mm，约为普通产品的1.3倍。通过确保更长的爬电距离，可以抑制引脚之间的漏电起痕（沿面放电），因此在高电压应用中将器件贴装在电路板上时，无需通过树脂灌封进行绝缘处理。
ROHM SiC肖特基势垒二极管的可靠性试验
进行半导体元器件的评估时，可靠性也是非常重要的因素。JEITA ED-4701是称为“半导体器件的环境和耐久性试验方法”的标准，是用来进行工业及消费电子的半导体评估的试验方法。从文中给出的可靠性数据可以看出，已实施了评估的ROHM的SiC-SBD，在与Si晶体管和IC可靠性试验相同的试验中，确保了充分的可靠性。
SiC肖特基势垒二极管
这份资料主要介绍了多种类型的元器件，包括碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、全碳化硅功率模块和智能功率模块。资料详细描述了这些元器件的尺寸、封装类型和基本订购单位。此外，还提供了相关产品的图片和包装信息。
ROHM - FULL SIC POWER MODULES,智能电源模块,SIC肖特基势垒二极管,IGBTS,SIC MOSFETS,SIC SCHOTTKY BARRIER DIODES,INTELLIGENT POWER MODULES,全碳化硅功率模块,SIC MOSFET
ROHM SiC肖特基势垒二极管（SiC-SBD）发展历程及主流产品
ROHM的SiC-SBD目前第2代是主流产品，保持了与以往产品同等的漏电流和trr性能，同时将VF降低了约0.15V。第3代致力于提高抗浪涌电流特性并改善漏电流性能，采用了JBS结构，成功地进一步改善了第2代实现的低VF特性。与第2代产品相比，第3代产品在高温时的VF-IF曲线坡度陡峭，相对同一IF，VF较低，已经得到改善。
【经验】SiC-SBD（SiC肖特基势垒二极管）与Si二极管的比较
本文从特征高速性和高耐压讲述了SiC-SBD（SiC肖特基势垒二极管）与Si二极管的比较，SiC拥有超过硅10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。并展示ROHM推出的1200V耐压SiC-SBD SCS210KG技术规格。
SCS315AM SiC肖特基势垒二极管规格书
本资料为ROHM公司生产的SCS315AM碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）的数据手册。资料详细介绍了该产品的电气特性、热特性、封装规格、尺寸、封装布局等，并提供了电气特性曲线和典型应用电路。
ROHM - SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE,SIC肖特基势垒二极管,SCS315AM,PFC BOOST TOPOLOGY,PV POWER CONDITIONERS,PFC BOOST拓扑,光伏功率调节器,DATA CENTER,数据中心
【经验】SiC-SBD（SiC肖特基势垒二极管）与Si-PND的正向电压特性的区别
本文对ROHM推出的SiC肖特基势垒二极管最基本的特性以及SiC-SBD（SiC肖特基势垒二极管）与Si-PND正向电压VF特性的区别进行说明。SiC-SBD的VF随着温度升高而上升，但Si-PND（FRD）的VF是下降的。高温下SiC-SBD的VF上升会使IFSM下降，但不会像VF下降的Si-PND（FRD）那样热失控。SiC-SBD可以说是目前情况下降低VF、最有助于降低损耗的功率二极管。
内置SiC肖特基势垒二极管的RGWxx65C系列混合IGBT
该资料介绍了ROHM公司推出的新型混合IGBT器件，包括RGWxx65C系列，该系列器件集成了SiC肖特基势垒二极管，适用于交错 Totem Pole PFC（双向车载充电器）应用。资料详细描述了这些器件的开关特性、效率、成本效益以及在不同应用中的优势，如车辆充电器、汽车DC/DC转换器、光伏逆变器和不间断电源等。此外，还提供了不同封装类型和型号的详细规格参数，包括耐压、集电极电流、导通损耗等关键性能指标。
ROHM - HYBRID IGBTS WITH BUILT-IN SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE,内置SIC肖特基势垒二极管的混合IGBT,RGWXX65C,RGW60TS65CHR,RGW60NL65CHRB,RGWXX65C SERIES,RGW40NL65CHRB,RGW00TS65CHR,RGW50NL65CHRB,RGW80TS65CHR,VEHICLE CHARGERS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES,光伏变流器,车载充电器,PV INVERTERS,不断电系统,AUTOMOTIVE DC/DC CONVERTERS,汽车DC/DC转换器
SCS320AM SiC肖特基势垒二极管规格书
本资料详细介绍了ROHM公司生产的SCS320AM碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）。该产品具有650V的反向电压、20A的连续正向电流和47nC的充电量，适用于PFC升压拓扑和次级侧整流等应用。
ROHM - SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE,SIC肖特基势垒二极管,SCS320AM,PFC BOOST TOPOLOGY,PV POWER CONDITIONERS,PFC BOOST拓扑,光伏功率调节器,DATA CENTER,数据中心
SCS310AP SiC肖特基势垒二极管
本资料为ROHM公司生产的SCS310AP碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）的数据手册。该二极管具有650V的反向电压、10A的连续正向电流和24nC的快速恢复时间等特点，适用于高速开关和高浪涌电流能力的要求。
ROHM - SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE,SIC肖特基势垒二极管,SCS310AP
SCS308AM SiC肖特基势垒二极管规格书
本资料详细介绍了ROHM公司生产的SCS308AM碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）。该二极管具有650V的额定反向电压、8A的额定正向电流和21nC的快速恢复特性，适用于PFC升压拓扑和次级侧整流等应用。
ROHM - SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE,SIC肖特基势垒二极管,SCS308AM,PFC BOOST TOPOLOGY,PV POWER CONDITIONERS,PFC BOOST拓扑,光伏功率调节器,DATA CENTER,数据中心
SCS312AM SiC肖特基势垒二极管规格书
本资料详细介绍了ROHM公司生产的SCS312AM碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）的规格、特性、应用领域等。该二极管具有短恢复时间、低温度依赖性、高速切换能力、高浪涌电流能力等特点，适用于PFC升压拓扑、次级侧整流、数据中心、光伏功率条件器等领域。
ROHM - SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE,SIC肖特基势垒二极管,SCS312AM,PFC BOOST TOPOLOGY,PV POWER CONDITIONERS,PFC BOOST拓扑,光伏功率调节器,DATA CENTER,数据中心
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
最小起订量： 3000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论