【选型】国产超小型ESD保护二极管用于智能头盔，具备±30kV接触和空气放电防护能力
电动车行驶过程中，为安全驾驶考虑，常要求驾驶人佩戴头盔。智能头盔具有语音交互、视频图像采集、数据传输等功能，可避免驾驶人在行驶过程中因分神处理其他事情而加大安全隐患。其中语音交互功能由头盔内置的MIC（麦克风）和扬声器实现，MIC将声音转换为电信号后传输给后级电路处理，而人体接触放电会对数据传输和敏感器件造成影响或破坏，通常需要在MIC端加ESD防护器件。
ESD除了需要满足工作电压外，应用在智能头盔中还要考虑一下几个方面：
1、ESD防护等级至少满足IEC61000-4-2 ESD ±8kV Air/±15kV Contact，人体头发是极易产生静电的部位，需要高的防护等级；
2、小型封装，提高产品集成度，减小产品体积，利于驾驶员佩戴；
3、低结电容Cj，MIC端涉及数据传输，结电容越低对数据传输的影响越小，但非高速传输端口，20pF以内即可。
根据上述要求，本文推荐矽航的高ESD防护等级双向ESD保护二极管XE2X5VB，最大反向工作电压VRWM为5V，IEC61000-4-2高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护等级，根据IEC61000-4-5承受高达8A（8/20μs）的峰值脉冲电流，DFN0603-2L超小型封装，典型结电容14pF，相关电气特性如下图一所示：
图一 电气特性
XE2X5VB用于智能头盔MIC端ESD防护还有以下优势：
1、DFN0603-2L超小型封装，典型封装尺寸0.6x0.3mm，提高产品集成度，减少佩戴负担；
2、XE2X5VB具有IEC61000-4-2高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护等级，并根据IEC61000-4-5承受高达8A（8/20μs）的峰值脉冲电流，极大提高ESD防护能力；
3、矽航作为国产厂牌，交期有保障，价格有优势。
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矽航TVS ESD二极管选型表
功率大、IPP电流高、箝位电压低，用于安防、网通、充电口、电池端的各类浪涌防护，电压覆盖3.3V-550V，封装兼容性强，能适应于不同的位置需求。电容最低0.2PF，最小封装0201，可提供单路、双路、四路、五路及六路的全系列产品
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产品型号
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品类
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封装
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VRWM(V)
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Cj(pF)
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箝位电压(VC)
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峰值脉冲电流Ipp(A)
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峰值脉冲功率(W)(tP=8/20μS)
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ESD(kV)
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工作温度(℃)
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最小包装
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XE0603NC5VB
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双向ESD保护二极管
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DFN0603-2L
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5V
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14pF
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12VC
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8A
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80W
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±30kV(air),±30kV(contact)
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-55℃ to +125℃
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10000
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选型表 - 矽航 立即选型
XE5D5VB双向单线ESD保护
描述- 该资料介绍了名为XE5D5VB的双向ESD保护二极管。它旨在为连接到低速数据线和控制线的敏感电子组件提供防护，防止由静电放电（ESD）、快速瞬态电涌（EFT）和雷击引起的过应力。XE5D5VB可承受高达±30kV的ESD保护和5A的峰值脉冲电流。产品采用SOD523封装，无铅且不含卤素。
型号- XE5D5VB
【选型】矽航（XI HANG）ESD/EOS防护器件、稳压/TVS/肖特基二极管、低/高压MOSFET选型指南
目录- ESD防护器件 EOS防护器件/稳压二极管 TVS二极管/肖特基二极管 低压/高压MOSFET 封装种类
型号- XE3DLC5VB,XSBD1DF40V3,XNM05N50F,XSBD1DF40V2,XNM05N50E,XSBD1DF40V1,SMAFJ440CA,XE23T5VB,XNM10N65F,XE3DLC12VB,XNM10N65E,SMCJ440CA,XT1DTF15VB,XE2XLC5VU,SMAJ5_0(C)A-,XE3DHC3V3B,XE2XSC5VB,XBAT54,XZ5D75VB,XNMIRF630,SMF5.0CA,XNM02N65F,XNM02N65E,XT3D15VU,XE9DLC5VB,XT1DFT24VU,XSBD1DF120V2,XSBD1DF120V1,XSBD1DF120V3,XE23T12VU,XTDP4V5B,SMCJ5_0(C)A_,XE3DLC24VB,SMF220(C)A,XSBDBF40V2,XE2XLC5VB,XT1DFT24VB,XNM4946DS,XNM4422S,XE23T712B,XNM2N7002K,XNM05N60E,XT3D9VU,XNM05N60F,XPM2305N,SMBFJ5.0CA,XE10NLC5VU,XE23T24VU,XZ3D75VB,XNMIRF830F,XE9DSC5VB,XZ1D2V0B-,XTDP12VU,XE3F5VB,XNM9926TS,XE3DHC5VB,XE23T12VB,XE6TLC5VU,XNM4946S,XZ1D2V0B,XE23T36VU,XZ2F75VZ,SMF5.0A,XE5DHC12VU,XNM6968S,XTDP5VU,XE23T5VU,XE6TSC5VU,XE23T24VB,XT1DTF15VU,SMBFJ5.0(C)A-,XNM01N60SA,XE5DHC7VU,SMF220A,XZ2F2V0C-,XE23T3V3U,XT3N15VU,XNM01N60SI,XNM01N60SJ,XE2F5VB2,XE2FLC5VU,XNM02N60SI,XNM02N60SJ,XNM02N60SE,XE2X12VB,XE5D4V5B,SMCJ440(C)A,XNM02N60SF,XE23T36VB,XSBD1DF80V1,XNMIRF830,XE2FLC5VB,XSBD1DF80V3,XSBD1DF80V2,XE2FUC5VB,XNM6968CTS,XT3DHC15VB,XNM35N03J,XBAT54S,XT3N7V5U,SMBJ440CA,SMAFJ440(C)A,XNMSG301DK,XE23T3V3B,XE2F12VB,XBAT54C,XSBDAF100V2,XZ5D2V0B,XNMIRF840,XBAT54A,SMAJ5.0A,XT3D7VU,XSBDAF45V5,XPM2301N,XSBD1DF150V2,XSBD1DF20V1,XSBD1DF150V1,SMAFJ5.0CA,XE2FHC5VU,XE5DUC5VB,XZ2F2V0C,XE2FHC5VB,XNM04N60F,XT1DTF12VB,XNM04N60E,XNM2N7000,XNM2N7002,XE5DLC5VB,XNMIRF730,XE2X4V5B,XSBD1DF20V2,XSBD1DF20V3,XNM2N7002SN,XT1DTF7VB,XSBD1DF100V2,XSBD1DF100V1,XSBD1DF100V3,XE2F4V5B,XT1DTF7VU,XNM10N60F,XNM10N60E,XNMIRF740,XT2N26VU,XE5DHC5VU,XE3DHC12VB,XNMIRF630F,XE2XUC5VB,XE2F3V3B,SMAJ440(C)A,XNM50N03J,XTDP15VU,XE3D5VB,XE3FUC5VU,XZ3D2V0B-,XT3D4V5U,XNMIRF740F,XT3N24VU,XNM03N60F,XE9DUC5VB,XNM03N60E,XT3DHC36VB,SMF220CA,XE5D3V3B,XNM12N65F,XNM12N65E,XE9D4V5B,XT3F15VU,XT1DTF12VU,XNM2302N,XT3D12VU,SMAJ440A,XE3DLC15VB,XT1DTF18VB,XT3D5VU,XSBD1DF60V1,XSBD1DF60V2,XSBD1DF60V3,XE2X5VB,XE3FUC5VB,XSBD1DF200V2,XSBD1DF200V1,XE23TLC3V3B,XSBDC100V3,XNM07N60F,XT3D4V5B,XTDP9VU,XNM07N60E,SMAJ440CA,XE2FLC3V3B,XNM04N65E,XE2X3V3B,XNM04N65F,SMBJ5.0A,XNM8205,XNM9926N,XNMIRF840F,XNM9926S,XT2N4V5B,SMCJ440A,SMBJ5.0(C)A-,SMAJ5.0CA,XT3N4V5B,XE9D3V3B,XZ5D2V0B-,SMBFJ5.0A,XNM2N7002KSN,XNM02N60J,XNM02N60I,XNM02N60F,XNM02N60E,XT1DTF18VU,SMBJ440A,SMAFJ440A,XNM07N65F,XE2F5VB,XE3DLC8VB,XNM07N65E,SMCJ5.0CA,XPM4435S,XT3N12VU,XT3DHC24VB,SMBJ440(C)A,XNM3005LJ,XNM12N60F,XNM12N60E,XNM3055MJ,XE2FHC15VU,XZ3D2V0B,SMAFJ5.0(C)A-,XT3D3V3U,XNMIRF730F,SMF5.0(C)A-,XE10NLC3V3U,XE3DLC3V3B,SMCJ5.0A,SMAFJ5.0A,XE9D5VB,XE143TLC5VU,XTDP7VU,XZ1D75VB,XE143TUC5VU,XNM3055LJ,XNM8205A,XPM9435S,XNM06N60F,XNM06N60E,SMBJ5.0CA
XE2XUC5VB双向1线超低电容ESD保护
描述- 该资料介绍了XE2XUC5VB型双向超低电容ESD保护二极管。它专为保护高速数据线和控制线上的敏感电子组件免受静电放电（ESD）、快速瞬态干扰（EFT）和雷击等过压影响而设计。该器件具有超低电容（0.35pF），可提供高达±20kV的ESD保护和5A的峰值脉冲电流承受能力，适用于多种高速接口标准。
型号- XE2XUC5VB
XE3FUC5VU单向2线超低电容ESD保护
描述- 该资料介绍了XE3FUC5VU超低电容ESD保护二极管，用于保护高速数据线和控制线上的敏感电子组件免受静电放电（ESD）、快速瞬态干扰（EFT）和雷击的影响。它提供±20kV（接触）和±25kV（空气）的ESD保护和高达5A（8/20μs）的峰值脉冲电流承受能力。
型号- XE3FUC5VU
【产品】100W/8A的双向ESD保护二极管XE5D5VB，SOD523封装
矽航推出的XE5D5VB是一款双向ESD保护二极管，用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷电造成的过应力冲击。XE5D5VB采用SOD523封装，无铅、无卤素。
XE5DLC5VB双向单线ESD保护
描述- 该资料介绍了名为XE5DLC5VB的双向ESD保护二极管。它旨在为连接到低速数据线和控制线的敏感电子组件提供过压保护，防止由静电放电（ESD）、快速瞬态脉冲（EFT）和雷击引起的应力。该器件符合IEC61000-4-2标准，可承受高达±15kV接触和±20kV空气放电的ESD保护，并能在IEC61000-4-5标准下承受峰值脉冲电流达2A（8/20μs）。XE5DLC5VB采用SOD523封装，无铅且不含卤素。
型号- XE5DLC5VB
【产品】单线双向ESD保护二极管XE2X3V3B/5VB/UC5VB，DFN0603-2L封装
由矽航推出的XE2X3V3B、XE2X5VB是一种双向ESD保护二极管，用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷电引起的过应力。XE2XUC5VB是单线双向低电容ESD保护二极管，设计用于保护连接到高速数据线和控制线的敏感电子元件免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷电引起的过应力。
电子商城
服务
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
提交需求>
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
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