【产品】1700V，72A/40A碳化硅N沟道增强型MOSFET，助力1500V高阻断电压太阳能逆变器设计
WOLFSPEED于2018年设计生产了两款新的SiC分立MOSFET——C2M0045170P和C2M0080170P。它们的操作结温范围分别为-40~150℃和-55~150℃，均可在苛刻的工业温度环境下工作；漏源电压均高达1700V（VGS=0V，ID=100μA），专为需要1500V高阻断电压的太阳能逆变应用而设计。两者均采用优化的封装设计，在漏极和源极之间具有宽的爬电距离和间隙距离（~8mm），扩展了其在SiC技术方面的领导地位，从而提供适合高污染环境的电气隔离。
在电气参数上，C2M0045170P和C2M0080170P具有低导通电阻，分别是45mΩ（VGS=20V,ID=50A）和
80mΩ （VGS=20V,ID=28A），器件的总栅极电荷典型值分别低至188nC（VDS=1200V，ID=50A）和120nC（VDS=1200V，ID=20A），因此，产品通态损耗低，门极充放电时间短，开关切换迅速。非常适合太阳能升压转换器，DC/DC以及AC/AC转换器。
图1 产品实物图&内部原理图
另外，值得一提的是，该封装包括一个独立的开尔文源极引脚，可降低传统TO-247-3封装中的源极电感，并可将开关损耗降低多达30％；C2M0045170P和C2M0080170P内置反向二极管的反向恢复时间（Trr）典型值分别是44ns和36ns。反向恢复电荷（Qrr）分别是2μC和1μC（VGS=-5V,VR=1200V）。输出电容分别是171pF和105pF。等效电容量低，开关损耗小，能够满足高速应用需求，具有更高的系统效率。
C2M0045170P和C2M0080170P碳化硅功率N沟道增强MOSFET采用无卤素无铅设计，符合RoHS标准，额定电流分别是72A和40A（25℃），能够满足高压大功率电力系统的应用需求。同时，通过改进的开关性能和更高的阻塞能力，设计人员可以从多级拓扑转变为更简单的两级拓扑，从而减少元件数量并简化设计。
表1 C2M0045170P（左）和C2M0080170P（右）的电气数据表
C2M0045170P和C2M0080170P碳化硅MOSFET特征优势：
•在工作温度范围内，阻断电压高达1700V
•优化的封装，带有独立的开尔文源极引脚
•漏源之间的爬电距离为8mm
•高阻断电压，低导通电阻
•应用快速二极管，反向恢复时间短
•最高工作结温：+150℃
•无卤素，符合RoHS标准
C2M0045170P和C2M0080170P碳化硅MOSFET应用领域：
•1500V太阳能逆变器
•开关电源
•高压DC / DC转换器
•电容器放电
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 6
本文由Topaz翻译自Wolfspeed，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（6）
-
![]()
![]()
HQT45 Lv4. 资深工程师 2018-11-13厉害 -
![]()
![]()
盈盈 Lv7. 资深专家 2018-11-10学习 -
![]()
![]()
Jackie0078 Lv8. 研究员 2018-10-08很好学习 -
![]()
![]()
8235 Lv7. 资深专家 2018-08-19学习学习！ -
![]()
![]()
luosai Lv8. 研究员 2018-08-19学习了！ -
![]()
![]()
yuyu Lv8. 研究员 2018-08-19学习了！
相关推荐
【元件】瞻芯电子新推TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET，已通过AEC-Q101认证
瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）产品（IV1Q12160D7Z），该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证（AEC-Q101）。
新产品 发布时间 : 2023-06-26
【产品】碳化硅MOSFET FF06320，符合RoHS和无卤素标准，适用于开关电源等领域
FF06320是即思创意推出的碳化硅MOSFET，符合RoHS和无卤素标准。在Tj=25℃的条件下，漏源电压为650V (VGS=0V, ID=100μA)，漏源通态电阻为320mΩ (VGS=18V, ID=2A)。可适用于开关电源，功率因数校正，便携式适配器，通信电源，可再生能源，D类放大器领域。
新产品 发布时间 : 2022-09-01
国产1200V/80mΩ碳化硅功率MOSFET AKCK2M080WMH，TO-247-3L封装，符合RoHS要求
瑶芯微1200V 、80mohm碳化硅功率MOSFET AKCK2M080WMH具备高耐压、低漏源导通电阻，高速开关速度、低电容，低反向恢复电流、快速本征二极管等特性，无卤素，符合RoHS要求，适用于可再生能源，EV电池充电器，高压DC/DC转换器，开关电源。
新产品 发布时间 : 2022-12-10
【产品】雪崩耐受性强的碳化硅MOSFET FF06030系列，具有更高的系统效率，允许使用高温应用
即思创意推出的碳化硅MOSFET–Falcon Series FF06030具有快速切换行为的优化RDS(on)，能够与标准栅极驱动器兼容，雪崩耐受性强。其具有更高的系统效率，允许使用高温应用并进行高频操作，可靠性高，符合RoHS标准且无卤素。
产品 发布时间 : 2022-08-30
碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等碳化硅功率器件用于变频空调等白色家电，具备更高的效率、开关频率
碳化硅技术带来了更高的效率，可以减少空调散热器的尺寸和热管理的成本。同时，更高的开关频率可以降低磁性元件的成本和尺寸，实现更高的功率密度。此外，低电磁干扰特性则可以降低电磁干扰滤波器的成本并解决电磁干扰的研发成本。
应用方案 发布时间 : 2024-08-26
【经验】浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面。基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。
设计经验 发布时间 : 2019-12-17
基本半导体亮相PCIM并重磅发布2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET等系列新品
日前，全球最大的功率半导体展会PCIM Europe 2024在德国纽伦堡盛大开启。基本半导体再度亮相展会，并正式发布2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET、车规级碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E2B等系列新品。
原厂动态 发布时间 : 2024-06-24
SMC碳化硅MOSFET器件S2M0025120K入选everything PE年度MOSFET榜单！
S2M0025120K是SMC研发和制造的碳化硅功率MOSFET器件，漏源击穿电压超过1200V，栅极阈值电压为2.1V，漏源导通电阻为25毫欧，连续漏极电流高达63A，功率耗散小于446W。是新能源汽车快充模块、车载充电器、太阳能逆变器、在线UPS/工业UPS、开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器和储能系统（ESS）等应用的理想选择。
原厂动态 发布时间 : 2024-01-29
【技术】碳化硅MOSFET替代传统MOSFET及IGBT的优点
本文中芯众享将为大家分享碳化硅MOSFET替代传统MOSFET及IGBT的优点。
技术探讨 发布时间 : 2023-08-07
森国科多款SiC MOSFET可用在开关电源、逆变器、充电桩等领域，开关速度快
针对不同功率的应用场合，森国科1200V、1700V的SiC MOSFET都可以满足，也可以满足满足不同功率充电器中不同电路位置的要求。
应用方案 发布时间 : 2024-03-01
【产品】采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K，连续漏极电流的最大额定值为5A
中电国基南方推出的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K，采用TO-247-3封装，具有高击穿电压、低导通电阻、高速开关和低电容值等特点。在Tc=25℃时，其漏源电压的最大额定值为1700V（VGS=0V，ID=100μA）。
产品 发布时间 : 2023-03-10
【产品】漏源电压高达1700V的碳化硅MOSFET FF17900，反向电容典型值为1pF
即思创意推出的碳化硅MOSFET产品FF17900，符合RoHS和无卤素标准，漏源电压最小值为1700V。可应用于开关模式电源，脉冲电源应用，电池管理系统，电信电源，可再生能源，电机驱动等领域。
产品 发布时间 : 2022-11-22
正芯推出的N沟道增强型MOSFET晶体管RC3134KM3，具有出色的RDS(ON)与低栅极电荷，可用于电源开关
正芯推出的RC3134KM3是N沟道增强型MOSFET晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。该器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。
产品 发布时间 : 2023-06-28
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论