【产品】1700V，72A/40A碳化硅N沟道增强型MOSFET，助力1500V高阻断电压太阳能逆变器设计
WOLFSPEED于2018年设计生产了两款新的SiC分立MOSFET——C2M0045170P和C2M0080170P。它们的操作结温范围分别为-40~150℃和-55~150℃，均可在苛刻的工业温度环境下工作；漏源电压均高达1700V（VGS=0V，ID=100μA），专为需要1500V高阻断电压的太阳能逆变应用而设计。两者均采用优化的封装设计，在漏极和源极之间具有宽的爬电距离和间隙距离（~8mm），扩展了其在SiC技术方面的领导地位，从而提供适合高污染环境的电气隔离。
在电气参数上，C2M0045170P和C2M0080170P具有低导通电阻，分别是45mΩ（VGS=20V,ID=50A）和
80mΩ （VGS=20V,ID=28A），器件的总栅极电荷典型值分别低至188nC（VDS=1200V，ID=50A）和120nC（VDS=1200V，ID=20A），因此，产品通态损耗低，门极充放电时间短，开关切换迅速。非常适合太阳能升压转换器，DC/DC以及AC/AC转换器。
图1 产品实物图&内部原理图
另外，值得一提的是，该封装包括一个独立的开尔文源极引脚，可降低传统TO-247-3封装中的源极电感，并可将开关损耗降低多达30％；C2M0045170P和C2M0080170P内置反向二极管的反向恢复时间（Trr）典型值分别是44ns和36ns。反向恢复电荷（Qrr）分别是2μC和1μC（VGS=-5V,VR=1200V）。输出电容分别是171pF和105pF。等效电容量低，开关损耗小，能够满足高速应用需求，具有更高的系统效率。
C2M0045170P和C2M0080170P碳化硅功率N沟道增强MOSFET采用无卤素无铅设计，符合RoHS标准，额定电流分别是72A和40A（25℃），能够满足高压大功率电力系统的应用需求。同时，通过改进的开关性能和更高的阻塞能力，设计人员可以从多级拓扑转变为更简单的两级拓扑，从而减少元件数量并简化设计。
表1 C2M0045170P（左）和C2M0080170P（右）的电气数据表
C2M0045170P和C2M0080170P碳化硅MOSFET特征优势：
•在工作温度范围内，阻断电压高达1700V
•优化的封装，带有独立的开尔文源极引脚
•漏源之间的爬电距离为8mm
•高阻断电压，低导通电阻
•应用快速二极管，反向恢复时间短
•最高工作结温：+150℃
•无卤素，符合RoHS标准
C2M0045170P和C2M0080170P碳化硅MOSFET应用领域：
•1500V太阳能逆变器
•开关电源
•高压DC / DC转换器
•电容器放电
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