强茂提供有效降低RDS(ON)的车用P沟道MOSFET，可承受接面温度高达175℃，简化车用电路设计

NCEA60P82AK NCE汽车级P沟道增强型功率MOSFET

描述- 该资料介绍了NCEA60P82AK汽车级增强型功率MOSFET的特性。它采用先进的沟槽技术设计，具有低RDS(ON)和高电流承载能力，适用于高负载应用。产品具备良好的热稳定性和均匀性，通过了100% UIS和ΔVds测试，符合AEC-Q101标准。

型号- NCEA60P82AK

NCEA15P30K NCE汽车级P沟道增强型功率MOSFET

描述- NCEA15P30K是一款采用先进沟槽技术的P-Channel增强型功率MOSFET，具有低栅极电荷和优异的RDS(ON)特性。该产品适用于汽车应用和便携式设备及电池供电系统。

型号- A15P30K,NCEA15P30K

PJD45P04-AU 40VP-Channel Enhancement Mode MOSFET

描述- 本资料详细介绍了PPJD45P04-AU型号的40V P-Channel增强型MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度、良好的dv/dt能力、低栅极电荷和反向转移电容等特点，适用于汽车电子和其他工业应用。

型号- PJD45P04-AU_L2_000A1,PJD45P04-AU

PJQ4409P 30V P沟道增强型MOSFET

描述- 该资料详细介绍了PJQ4409P型号的30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET，包括其电气特性、机械数据、封装信息以及典型特性曲线等。

型号- PJQ4409P,PJQ4409P_R2_00001

PJD50P04-AU 40V P沟道增强型MOSFET

描述- 本资料详细介绍了PJD50P04-AU型号的40V P-Channel增强型MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度、良好的dv/dt能力、低栅极电荷和反向转移电容等特点，适用于汽车电子和其他工业应用。

型号- PJD50P04-AU_L2_000A1,PJD50P04-AU

PJW4P06A-AU 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

描述- 本资料详细介绍了PPJW4P06A-AU型号的60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度、良好的dv/dt能力、低栅极电荷和反向转移电容等特点，适用于汽车电子和其他工业应用。

型号- PJW4P06A-AU_R2_000A1,PJW4P06A-AU

AS3415CE-Q1 P沟道增强型MOSFET

描述- 本资料介绍了AS3415CE-Q1型P沟道增强型MOSFET的特性。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性，符合UL 94 V-0阻燃等级标准，适用于汽车电子质量控制体系（AEC-Q101）。资料提供了详细的绝对最大额定值、电气特性、动态特性以及源漏二极管特性。

型号- AS3415CE-Q1

PJQ4443P-Au 40V P沟道增强型MOSFET

描述- 该资料介绍了型号为PJQ4443P-AU的40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度、良好的dv/dt能力等特点，适用于汽车电子和其他工业应用。

型号- PJQ4443P-AU_R2_000A1,PJQ4443P-AU

NCEA40P25G NCE汽车级P沟道增强型功率MOSFET

描述- 该资料介绍了NCEA40P25G汽车级增强型功率MOSFET的特性及应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS(ON)，适用于负载开关或电源管理。其主要特性包括低导通电阻、高密度单元设计、良好的稳定性和均匀性、宽工作温度范围等。

型号- NCEA40P25G

AS23P06S-Q1 P沟道增强型MOSFET

描述- 本资料介绍了AS23P06S-Q1型P沟道增强模式MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、高速开关特性，适用于汽车系统和工业直流/直流转换电路。资料提供了绝对最大额定值、电气特性、典型特性和封装信息。

型号- AS23P06S-Q1

PJQ4433EP-AU 30V P沟道增强型MOSFET

描述- 该资料介绍了型号为PJQ4433EP-AU的30V P-Channel增强型MOSFET。它具有低导通电阻、高电流承载能力、可靠的电气特性，适用于汽车电子和其他工业应用。

型号- PJQ4433EP-AU

汽车级低压MOSFET 30V和40V P沟道增强型MOSFET

型号- PJQ4435EP-AU,PJQ5839E-AU,PJD40P03E-AU,PJQ5431E-AU,PJQ5445EC-AU,PJQ5453E-AU,PJQ5449E-AU,PJD55P03E-AU,PJQ4437EP-AU,PJD45P03E-AU,PJQ5435E-AU,PJD70P03E-AU,PJQ5439E-AU,PJQ4453EP-AU,PJQ5433E-AU,PJD75P04E-AU,PJQ5447EC-AU,PJQ5455E-AU,PJQ5429E-AU,PJQ4433EP-AU,PJQ4439EP-AU,PJQ4431EP-AU,PJD60P04E-AU,PJD90P03E-AU,PJQ5451E-AU,PJQ4451EP-AU,PJQ5437E-AU,PJD95P04E-AU

PJQ4453P-Au 40V P沟道增强型MOSFET

描述- 该资料介绍了型号为PJQ4453P-AU的40V P-Channel增强型MOSFET。它具有低导通电阻、高密度单元设计、符合AEC-Q101标准等特点，适用于汽车电子和其他工业应用。

型号- PJQ4453P-AU_R2_000A1,PJQ4453P-AU

PJQ4401P-AU 30V P沟道增强型MOSFET

描述- 该资料介绍了型号为PJQ4401P-AU的30V P-Channel增强型MOSFET。它具有低导通电阻、高开关速度、良好的dv/dt能力、低栅极电荷和反向转移电容等特点，适用于汽车电子和其他工业应用。

型号- PJQ4401P-AU,PJQ4401P-AU_R2_000A1